Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Моделирование времени до пробоя пористого диэлектрика в системе металлизации интегральных схем современного топологического уровня

https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-

Аннотация

В работе выполняется имитационное моделирование процессов диффузии ионов металлического барьера в low-k диэлектрик между двумя медными линиями.

Ключевые слова


Об авторах

А. А. Орлов
1АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», г. Зеленоград 2Московский физико-технический институт (НИУ), г. Долгопрудный
Россия

Орлов Андрей Алексеевич, младший научный сотрудник



А. А. Резванов
1АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», г. Зеленоград 2Московский физико-технический институт (НИУ), г. Долгопрудный
Россия

Резванов Аскар Анварович, к.ф.-м.н., начальник лаборатории



Список литературы

1. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) Interconnect, 2020 Edition. [Online]. Available: https://irds.ieee.org/editions/2020

2. Tan T.L., Gan C.L., Du A.Y., Cheng C.K. Effect of Ta migration from sidewall barrier on leakage current in Cu/SiOCH low-k dielectrics // Journal of Applied Physics. – 2009. – V. 106. – № 4. – 043517.

3. Huang X., Sukharev V., Qi Z., Kim T., Tan S. X.-D. Physics-based full-chip TDDB assessment for BEOL interconnects // Proceedings of the 53rd Annual Design Automation Conference 2016 - DAC ’16.

4. Groove A.S. Physics and Technology of Semiconductor Devices. Hoboken, NJ, USA: Wiley, 1967.

5. Валеев А. С., Красников Г. Я. Технология изготовления внутрикристальных и межкристальных межсоединений современных СБИС (обзор, концепция развития) // Микроэлектроника, 2015. – Т. 44. – № 3. – С. 180-201.

6. Yang L.Y., Zhang D.H., Li C.Y., Liu R., Wee A.T.S., Foo P.D. Characterization of Cu/Ta/ultra low-k porous polymer structures for multilevel interconnects // Thin Solid Films. – 2004. – V. 462-463. – P. 182-185.

7. Kuo Y.-L., Lee H.-H., Lee C., Lin J.-C., Shue S.-L., Liang M.-S., Daniels B. J. Diffusion of Copper in Titanium Zirconium Nitride Thin Films // Electrochemical and Solid-State Letters. – 2004. – V. 7. – № 3. – C35.


Для цитирования:


Орлов А.А., Резванов А.А. Моделирование времени до пробоя пористого диэлектрика в системе металлизации интегральных схем современного топологического уровня. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(2). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-

Просмотров: 31


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)