Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния

https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-

Аннотация

Предложена молекулярно-кинетическая модель процесса осаждения слоев из газовой фазы, включающая комплексную схему стадий и выражения для расчета скоростей по гетерогенному и гомогенному механизмам роста. Модель учитывает диффузию, адсорбцию и химическое превращение реагентов с образованием на подложке и в пограничном газовом слое основного, побочного продуктов и кластеров. На основе полученных выражений сформулированы показатели химической, структурной и топологической неоднородностей, как отклонений базовых характеристик слоев. Сделаны оценки характеристик слоев оксида кремния на примерах их осаждения окислением моносилана и тетраэтоксисилана.

Об авторе

В. Л. Евдокимов
АО «НИИМЭ»
Россия


Список литературы

1. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов. Красников Г.Я. / Москва, изд «Техносфера», 2011. P 123-180.

2. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. Часть I Красников Г.Я, Зайцев Н.А./Москва, изд «Микрон-Принт»,1999. Р 211-213.

3. Chemical Vapor Deposition of Inorganic Thin Films in Thin Film Processes. Kern W and Ban,W.S. / Academic Press, New York, 1978. P 257-331.

4. Handbook of chemical vapor deposition, Hugh O.Pierson / Academic Press, Pennington, N J, 1992. P 26-34,

5. Васильев В.Н., С.М. Репинский, Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы. Ж. Успехи химии, 2005,74.Р 452-483,

6. F. Rosenberger, Flow Dinamics and Modelling of CVD, Proc 10th Int Conf on CVD, JElectrochem. Soc./ Pennington, NJ, 1987, P 193-203.

7. С.Cobianu and C. Rovelescu, A Theoretical Study of the Low – Temperature CVD of SiO2 Films. /J Electrochem.Soc. ,1983, vol 130 №9,P 1888-1893.

8. C. Morosanu and E Segal, Mechanism of the CVD of Si3N4 films from SiH2Cl2 and NH3 under diffusion controlled conditions/ Thin Solid Films 1982 (91) № 3, P.251-256.

9. L.L. Vasilyeva, V.N. Drozdov, S.M. Repinsky and K.K. Svitashev. Deposition of Silica Films by The Oxidaton of Silane in Oxygen. /Thin Solid Films, 1978, 55, P 221-228.

10. R. Aurora and R. Pollard, A Mathemathical Model For The Coupled Reaction Kinetics And Transport Processes in CVD Systems / Department of Chemical Engineering, University of Houston, 1987, P.106-112.

11. P.Tobin, J.Price and L. Kempbell, Gas Phase Composition in the Low Pressure CVD of Silicon Dioxide J. Electrochem.Soc., 1980vol 127 №10, P 2222-2227 .

12. A. Shintany, K. Suda, M. Suzuki, M.Maki and K.Takami. SiO2 Particulates Dispersed in CVD Reactor. / J. Electrochem.Soc., 1977 vol 124 №11, P 1771-1776.

13. Евдокимов В.Л., Моделирование процесса химического осаждения слоев из газовой фазы. 1994, Ж. Электронная промышленность, 6, стр 136.

14. Евдокимов В.Л. Молекулярно-кинетическая модель процесса осаждения слоев из газовой фазы. Ж. Электронная техника, серия 3, Микроэлектроника, Вып 4(168), 2017, стр 42-55.

15. Евдокимов В.Л. Моделирование топологической неравномерности слоев осаждаемых из газовой фазы на микрорельефную подложку. Ж. Электронная техника, серия 3, Микроэлектроника, Вып 1(177), 2020, стр 47-53.


Для цитирования:


Евдокимов В.Л. Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(2). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-

Просмотров: 18


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)