Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-88-96
Аннотация
Предложена молекулярно-кинетическая модель процесса осаждения слоев из газовой фазы, включающая комплексную схему стадий и выражения для расчета скоростей по гетерогенному и гомогенному механизмам роста. Модель учитывает диффузию, адсорбцию и химическое превращение реагентов с образованием на подложке и в пограничном газовом слое основного, побочного продуктов и кластеров. На основе полученных выражений сформулированы показатели химической, структурной и топологической неоднородностей, как отклонений базовых характеристик слоев. Сделаны оценки характеристик слоев оксида кремния на примерах их осаждения окислением моносилана и тетраэтоксисилана.
Об авторе
В. Л. Евдокимов
АО «НИИ молекулярной электроники»
Россия
Россия
ул. Акад. Валиева, д. 6, стр. 1, Москва, Зеленоград, 124460
Евдокимов Владимир Лукьянович — научный сотрудник
Список литературы
1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М.: Техносфера; 2011. 800 с.
2. Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. В 2 ч. М.: Микрон-Принт; 1999. Ч. 1. 226 с.
3. Kern W., Ban W.S. Chemical vapor deposition of inorganic thin films in thin film processes. In: Thin film processes. USA, NY: Academic Press; 1978: 257—331. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-728250-3.50012-X
4. Pierson H.O. Handbook of chemical vapor deposition. USA, NY: Academic Press; NJ: Pennington; 1992. 436 p.
5. Васильев В.Н., Репинский С.М. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы. Успехи химии. 2005; 74(5): 452—483.
6. Rosenberger F. Flow dinamics and modelling of CVD. Proc. 10th Int. Conf on CVD. Electrochemical Society. USA, NJ: Pennington; 1987: 193—203.
7. Cobianu С., Rovelescu C. A theoretical study of the low-temperature CVD of SiO2 films. Journal of the Electrochemical Society. 1983; 130(9): 1888—1893. https://doi.org/10.1149/1.2120118
8. Morosanu C., Segal E. Mechanism of the CVD of Si3N4 films from SiH2Cl2 and NH3 under diffusion controlled conditions. Thin Solid Films. 1982; 91(3): 251—256. https://doi.org/10.1016/0040-6090(82)90114-6
9. Vasilyeva L.L., Drozdov V.N., Repinsky S.M., Svitashev K.K. Deposition of silica films by the oxidaton of silane in oxygen. Thin Solid Films. 1978; 55(2): 221—228. https://doi.org/10.1016/0040-6090(78)90052-4
10. Arora R., Pollard R. A mathemathical model for the coupled reaction kinetics and transport processes in CVD systems. In: CVD-XI: Proc. of the Eleventh Int. Conf. on Chemical Vapor Deposition. USA, NJ: Pennington; 1990: 106—112.
11. Tobin P., Price J., Kempbell L. Gas phase composition in the low pressure CVD of silicon dioxide. Journal of the Electrochemical Society. 1980; 127(10): 2222—2227. https://doi.org/10.1149/1.2129379
12. Shintany A., Suda K., Suzuki M., Maki M., Takami K. SiO2 particulates dispersed in CVD reactor: I. Semi-in situ. Journal of the Electrochemical Society. 1977; 124(11): 1771—1776. https://doi.org/10.1149/1.2133154
13. Евдокимов В.Л. Моделирование процесса химического осаждения слоев из газовой фазы. Электронная промышленность. 1994; 6: 136.
14. Евдокимов В.Л. Молекулярно-кинетическая модель процесса осаждения слоев из газовой фазы. Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. 2017; 4(168): 42—55.
15. Евдокимов В.Л. Моделирование топологической неравномерности слоев осаждаемых из газовой фазы на микрорельефную подложку. Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. 2020; 1(177): 47—53.
Рецензия
Для цитирования:
Евдокимов В.Л. Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(2):88-96. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-88-96
For citation:
Evdokimov V.L. Modeling of kinetics of chemical vapor deposition and the basic characteristics of the layers. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2021;24(2):88-96. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-88-96
Просмотров:
456
Послать статью по эл. почте 