ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-45-48

Полный текст:


Аннотация

Рассмотрено влияние буферных слоев, формируемых при различных температурах и отношениях элементов V и III групп (V/III), на кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев AlN, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках a-Al2O3. Показано, что наиболее эффективным способом повышения структурного совершенства эпитаксиальных слоев является использование высокотемпературного буферного слоя при низком отношении V/III. Дальнейшее улучшение качества слоев AlN возможно благодаря снижению паразитных реакций между аммиаком и триметилалюминием в газовой фазе путем оптимизации потока газа через реактор. Установленные значения ростовых параметров, позволили получить слои AlN высокого кристаллического совершенства (полуширина рентгеновских кривых качания для отражений (0002), (0004) и (101-3) составила 50, 97 и 202 угл. с соответственно) с хорошей среднеквадратической шероховатостью поверхности 0,7 нм, пригодные для создания приборов на их основе.


Об авторах

А. В. Мазалов
ООО «Сигм Плюс»
Россия
инженер


Д. Р. Сабитов
ООО «Сигм Плюс»
Россия
инженер


В. А. Курешов
ООО «Сигм Плюс»
Россия
инженер


А. А. Падалица
ООО «Сигм Плюс»
Россия
главный технолог


А. А. Мармалюк
ООО «Сигм Плюс» МИТХТ им. М. В. Ломоносова
Россия

доктор техн. наук

технический директор



Р. Х. Акчурин
МИТХТ им. М. В. Ломоносова
Россия
доктор техн. наук, профессор, зав. кафедрой


Список литературы

1. Amano, H. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer / H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, T. Toyoda // Appl. Phys. Lett. – 1986. – V. 48. – P. 353—355.

2. Nakamura, S. GaN growth using GaN buffer layer / S. Nakamura // Jap. J. Appl. Phys. – 1991. – V. 30. – P. L1705—L1707.

3. Paduano, Q. S. Effect of initial process conditions on the structural properties of AlN films / Q. S. Paduano, D. W. Weyburne, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber // J. Cryst. Growth. – 2004. – V. 261. – P. 259—265.

4. Thapa, S. B. Structural and spectroscopic properties of AlN layers grown by MOVPE / S. B. Thapa, C. Kirchner, F. Scholz, G. M. Prinz, K. Thonke // Ibid. – 2007. – V. 298. – P. 383—386.

5. Okada, N. Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification / N. Okada, N. Kato, S. Sato, T Sumii, T. Nagai, N. Fujimoto // Ibid. – 2007. – V. 298. – P. 349—353.

6. Imura, M. Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio / M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya // Ibid. – 2007. – V. 300. – P. 136—140.

7. Лундин, В. В. Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе / В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, П. Н. Брунков, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников // Письма в ЖТФ. – 2010. – Т. 36, вып. 24. – C. 33—39.

8. Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. – СПб. : Наука, 2002. – 274 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Мазалов А.В., Сабитов Д.Р., Курешов В.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Акчурин Р.Х. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(1):45-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-45-48

For citation: Mazalov A.V., Sabitov D.R., Kureshov V.A., Padalitsa A.A., Marmalyuk A.A., Akchurin R.K. INFLUENCE OF CONDITIONS OF GROWTH ON STRUCTURAL PERFECTION OF LAYERS OF ALN RECEIVED BY METHOD MOS-GIDRIDNOY OF AN EPITAXY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):45-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-45-48

Просмотров: 268

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)