Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Получение кремний-углеродных пленок методом плазмохимического осаждения с индукционным ассистированием

https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202310.564

Аннотация

Кремний-углеродные пленки вызывают большой интерес как алмазоподобные материалы, сочетающие уникальные свойства — высокую твердость, адгезию к широкому классу материалов, прочность на стирание, а также химическую стойкость, низкий коэффициент трения и биосовместимость. Наличие кремния в составе позволяет существенно уменьшить внутренние механические напряжения в таких покрытиях по сравнению с алмазными. В современном производстве пленки получили применение, прежде всего, в качестве твердых смазочных материалов и защитных покрытий. Существует большое количество методик получения кремний-углеродных пленок, наибольшее распространение среди которых получили различные варианты парофазового химического осаждения. В данной работе был предложен и опробован способ синтеза кремний-углеродных пленок, основанный на применении высокочастотного индуктора для получения плазмы паров кремний-углеродной жидкости, напускаемых в камеру из внешнего источника. На подложках ситалла были получены беспримесные кремний-углеродные пленки с содержанием атомов углерода с sp3-гибридизованными орбиталями 63—65 %. Исследовался состав, шероховатость поверхности и коэффициент трения беспримесных кремний-углеродных пленок, полученных предложенным методом. Была изучена возможность реализации резистивного переключения в тонких кремний-углеродных пленках в кроссбар-структурах с металлическими электродами. 

Об авторах

А. А. Темиров
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Темиров Александр Анатольевич — научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



И. В. Кубасов
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Кубасов Илья Викторович — канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



А. В. Турутин
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Турутин Андрей Владимирович — канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



Т. С. Ильина
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Ильина Татьяна Сергеевна — научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



А. М. Кислюк
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Кислюк Александр Михайлович — научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



Д. А. Киселев
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Киселев Дмитрий Александрович — канд. физ.-мат. наук, заведующий лабораторией, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



Е. А. Скрылева
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Скрылева Елена Александровна — научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



Н. А. Соболев
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»; Университет Авейру
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049, Российская Федерация;

3810-193, Авейру, Португалия

Соболев Николай Андреевич — канд. физ.-мат. наук, научный сотрудник, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков, лаборатория ФНС (1); доктор естественных наук, профессор, Департамент физики (2)



И. А. Салимон
Сколковский институт науки и технологий
Россия

территория Инновационного Центра «Сколково», Большой б-р, д. 30, стр. 1, Москва, 121205

Салимон Игорь Алексеевич — аспирант, Center for Photonic Science and Engineering



Н. В. Батрамеев
АО «Пьезо»
Россия

ул. Буженинова, д. 16, Москва, 107023

Батрамеев Николай Владимирович — инженер



М. Д. Малинкович
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Малинкович Михаил Давыдовыч — канд. физ.-мат. наук, доцент, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



Ю. Н. Пархоменко
Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС»
Россия

Ленинский просп., д. 4, стр. 1, Москва, 119049

Пархоменко Юрий Николаевич — доктор физ.-мат. наук, профессор, научный руководитель, кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков



Список литературы

1. Meškinis Š., Tamulevičienė A. Structure, properties and applications of diamond like nanocomposite (SiOx containing DLC) films: A review. Materials Science. 2011; 17(4): 358—370. https://doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.770

2. Горшунов Б.П., Шупегин М.Л., Иванов В.Ю., Прохоров А.С., Спектор И.Е., Волков А.А. Инфракрасная спектроскопия алмазоподобных кремний-углеродных пленок. Журнал технической физики. 2008; 78(5): 111—116.

3. Yu S. Neuro-inspired computing with emerging nonvolatile memorys. Proceedings of the IEEE. 2018; 106(2): 260—285. https://doi.org/10.1109/JPROC.2018.2790840

4. Wan J.Z., Pollak F.H., Dorfman B.F. Micro-Raman study of diamondlike atomic-scale composite films modified by continuous wave laser annealing. Journal of Applied Physics. 1997; 81(9): 6407—6414. https://doi.org/10.1063/1.364421

5. Gao X., Zhang X., Wan C., Wang J., Tan X., Zeng D. Temperature-dependent resistive switching of amorphous carbon/silicon heterojunctions. Diamond and Related Materials. 2012; 22: 37—41. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2011.12.012

6. Ren B., Wang L., Wang Lin., Huang J., Tang Ke, Lou Y., Yuan D., Pan Zh., Xia Y. Investigation of resistive switching in graphite-like carbon thin film for non-volatile memory applications. Vacuum. 2014; 107: 1—5. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2014.03.021

7. Santini C.A., Sebastian A., Marchiori Ch., Jonnalagadda V.P., Dellmann L., Koelmans W.W., Rossell M.D., Rossel Ch.P., Eleftheriou Ev. Oxygenated amorphous carbon for resistive memory applications. Nature Communications. 2015; 6(1): 8600. https://doi.org/10.1038/ncomms9600

8. Liao Y.-Y., Liao W.-B., Jaing C.-C., Chang Y.-C., Lee C.-C., Kuo C.-C. Optical properties of transparent diamond-like carbon thin films. In: Optical Interference Coatings 2016. Tucson, Arizona United States 19–24 June 2016. Washington, D.C.: OSA; 2016. P. TD.10. https://doi.org/10.1364/OIC.2016.TD.10

9. Grill A. Diamond-like carbon: state of the art. Diamond and Related Materials. 199; 8(2-5): 428—434. https://doi.org/10.1016/S0925-9635(98)00262-3

10. Белогорохов А.И., Додонов А.М., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н., Смирнов А.П., Шупегин М.Л. Исследование молекулярной структуры матрицы алмазоподобных кремний-углеродных нанокомпозитов. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007; 1: 69—71.

11. Jana S., Das S., Gangopadhyay U., Mondal A., Ghosh P. A clue to understand environmental influence on friction and wear of diamond-like nanocomposite thin film. Advances in Tribology. 2013; (1-4): 1—7. https://doi.org/10.1155/2013/352387

12. Hofmann D., Kunkel S., Bewilogua K., Wittorf R. From DLC to Si-DLC based layer systems with optimized properties for tribological applications. Surface and Coatings Technology. 2013; 215: 357—363. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2012.06.094

13. Venkatraman C., Brodbeck C., Lei R. Tribological properties of diamond-like nanocomposite coatings at high temperatures. Surface and Coatings Technology. 1999; 115(2-3): 215—221. https://doi.org/10.1016/S0257-8972(99)00241-8

14. Barve S.A., Chopade S., Kar R., Chand N., Deo M.N., Biswas A., Patel N., Rao G.M., Patil D.S., Sinha S. SiOx containing diamond like carbon coatings: Effect of substrate bias during deposition. Diamond and Related Materials. 2017; 71: 63—72. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2016.12.003

15. Nakazawa H., Kamata R., Miura S., Okuno S. Effects of frequency of pulsed substrate bias on structure and properties of silicon-doped diamond-like carbon films by plasma deposition. Thin Solid Films. 2015; 574: 93—98. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.11.078

16. Batory D., Jedrzejczak A., Kaczorowski W., Kolodziejczyk L., Burnat B. The effect of Si incorporation on the corrosion resistance of a-C:H:SiOx coatings. Diamond and Related Materials. 2016; 67: 1—7. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2015.12.002

17. Lazauskas A., Grigaliunas V., Guobienė A., Puišo J., Prosyčevas I., Baltrusaitis J. Polyvinylpyrrolidone surface modification with SiOx containing amorphous hydrogenated carbon (a-C:H/SiOx) and nitrogen-doped a-C:H/SiOx films using Hall-type closed drift ion beam source. Thin Solid Films. 2013; 538: 25—31. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.11.109

18. Santra T.S., Bhattacharyya T.K., Patel P., Tseng F.G., Barik T.K. Structural and tribological properties of diamond-like nanocomposite thin films. Surface and Coatings Technology. 2011; 206(2-3): 228—233. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2011.06.057

19. Dorfman B.F. Stabilized sp2/sp3 carbon and metal-carbon composites of atomic scale as interface and surface-controlling dielectric and conducting materials. In: Handbook of Surfaces and Interfaces of Materials. 2001; 1(8): 447—508. https://doi.org/10.1016/B978-012513910-6/50015-3

20. Yang W.J., Sekino T., Shim K.B., Niihara K., Auh K.H. Microstructure and tribological properties of SiOx/DLC films grown by PECVD. Surface and Coatings Technology. 2005; 194(1): 128—135. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2004.05.023

21. Lanza M., Philip Wong H.-S., Pop E., Ielmini D., Strukov D., Regan B.C., Larcher L., Villena M.A., Yang J.J., Goux L., Belmonte A., Yang Y., Puglisi F.M., Kang J., Magyari-Kope B., Yalon E., Kenyon A., Buckwell M., Mehonic A., Shluger A.L., Li H., Hou T.-H. A., Hudec B., Akinwande D., Ge R., Ambrogio S., Roldan J.B., Miranda E., Sune J., Pey K.L., Wu X., Raghavan N., Wu E., Lu W.D., Navarro G., Zhang W., Wu H., Li R., Holleitner A., Wurstbauer U., Lemme M.Ch., Liu M., Long Sh., Liu Q., Lv H., Padovani A., Pavan P., Valov Il., Jing X., Han T., Zhu K., Chen Sh., Hui F., Shi Y. Recommended methods to study resistive switching devices. Advanced Electronic Materials. 2019; 5(1): 1800143. https://doi.org/10.1002/aelm.201800143

22. Robertson J. Diamond-like amorphous carbon. Materials Science and Engineering: R: Reports. 2002; 37(4-6): 129—281. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00005-0


Рецензия

Для цитирования:


Темиров А.А., Кубасов И.В., Турутин А.В., Ильина Т.С., Кислюк А.М., Киселев Д.А., Скрылева Е.А., Соболев Н.А., Салимон И.А., Батрамеев Н.В., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н. Получение кремний-углеродных пленок методом плазмохимического осаждения с индукционным ассистированием. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2024;27(1):56-65. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202310.564

For citation:


Temirov A.A., Kubasov I.V., Turutin A.V., Ilina T.S., Kislyuk A.M., Kiselev D.A., Skryleva E.A., Sobolev N.A., Salimon I.A., Batrameev N.V., Malinkovich M.D., Parkhomenko Yu.N. Creattion of silicon-carbon films by induction assisted plasma chemical deposition. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2024;27(1):56-65. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202310.564

Просмотров: 498


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)