Проблемы синтеза коннекционистских представлений и континуальных моделей среды на примере мемристоров
https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202311.567
Аннотация
Обсуждаются способы взаимодополнения локальных параметров К-системы и интегральных характеристик среды, в которую она погружена. Примерами такой модельной ситуации служит расчет проводимости области филамента мемристора, явления перколяции, химически усиленные фоторезисты. Простейший случай взаимодействия К-системы и среды связан с прыжковой проводимостью полимеров, а для анализа более сложных случаев нами выделены 4 пары оппозиций. Впервые обнаружено скрытое противоречие в формальной дефиниции К-системы. Чтобы избежать этого противоречия в моделях материаловедения необходимо использовать быстрые переменные при описании транспортных сигналов. Понятие среды формализуется нами как кортеж непрерывных функций, например, электрического поля, заданного в пространстве. Эти функции интерполируются по некоторому объему, из которого выколоты шары малого радиуса, находящиеся в точках расположения элементов К-системы. Непосредственная семантика такого шара это нанокристалл внутри аморфного диэлектрика.
При поддержке: Работа выполнена при поддержке Национального центра физики и математики, направление № 9 «Искусственный интеллект и большие данные в технических, промышленных, природных и социальных системах».
Об авторе
И. В. Матюшкин
АО «НИИ молекулярной электроники»;
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Россия
Россия
ул. Акад. Валиева, д. 6, стр. 1, Зеленоград, Москва, 124460;
пл. Шокина, д. 1, Зеленоград, Москва, 124498
Матюшкин Игорь Валерьевич — канд. физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник, доцент кафедры проектирования и конструирования интегральных микросхем
Список литературы
1. Матюшкин И.В., Тельминов О.А. Формально-философские вопросы коннекционизма и актуальные проблемы разработки нейроморфных систем. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2022; (2(186)): 49—59. https://doi.org/10.7868/S2410993222020099
2. Видеоролик «Странное явление, муравьи бегают по кругу пока все не погибнут!». https://youtu.be/i_25OGxAdC0?si=Do_TMfrQV-eKxFDT
3. Painter K.J. Mathematical models for chemotaxis and their applications in self-organisation phenomena. Journal of Theoretical Biology. 2018; 481. https://doi.org/10.1016/j.jtbi.2018.06.019
4. Gill W.B. Drift mobilities in amorphous charge‐transfer complexes of trinitrofluorenone and poly‐n‐vinylcarbazole. Journal of Applied Physics. 1972; 43(12): 5033—5040. https://doi.org/10.1063/1.16610655033
5. Tyutnev A., Saenko V., Pozhidaev E. Dipolar disorder formalism revisited. Chemical Physics. 2011; 389(1–3): 75—80. https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2011.08.003
6. Горнев Е.С., Матюшкин И.В., Калимова И.Ф. Сравнительный анализ моделей проводимостив мемристивных структурах на основе тонких пленок нитрида кремния. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2021; (2(182)): 33—48. https://www.elibrary.ru/mbfxfm
7. Serdouk F., Boumali A., Makhlouf A., Benkhedi M.L. Solutions of q-deformed multiple-trapping model (MTM) for charge carrier transport from time-of-flight transient (TOF) photo-current in amorphous semiconductors. Revista Mexicana de Física. 2020; 66(5): 643–655. https://doi.org/10.31349/RevMexFis.66.643
8. Никеров А.В. Транспорт носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Дисс. … канд. физ.-мат. наук. МИФИ; 2016. 100 с. https://www.elibrary.ru/yxlrcl
9. Dieckmann A., Bässler H., Borsenberger P.M. An assessment of the role of dipoles on the density‐of‐states function of disordered molecular solids. The Journal of Chemical Physics. 1993; 99(10): 8136—8141. https://doi.org/10.1063/1.465640
10. Tyutnev A., Ikhsanov R., Saenko V., Pozhidaev E. Analysis of the carrier transport in molecularly doped polymers using the multiple trapping model with the Gaussian trap distribution. Chemical Physics. 2012; 404: 88—93. https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2012.03.004
11. Burdakov Ya.V., Saunina A.Yu., Bässler H., Köhler A., Nikitenko V.R. Modeling of charge transport in polymers with embedded crystallites. Physical Review B. 2023; 108(8/2): 085301. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085301
12. Mikhaylov A., Belov A., Korolev D., Antonov I., Kotomina V., Kotina A., Gryaznov E., Sharapov A., Koryazhkina M., Kryukov R., Zubkov S., Sushkov A., Pavlov D., Tikhov S., Morozov O., Tetelbaum D. Multilayer metal‐oxide memristive device with stabilized resistive switching. Advanced Materials Technologies. 2020; 5(1): 1900607. https://doi.org/10.1002/admt.201900607
13. Guseinov D.V., Matyushkin I.V., Chernyaev N.V., Mikhaylov A.N., Pershin Y.V. Capacitive effects can make memristors chaotic. Chaos, Solitons & Fractals. 2021; 144: 110699. https://doi.org/10.1016/j.chaos.2021.110699; https://www.elibrary.ru/bukycp
14. Россоленко А.Н., Тулина Н.А., Шмытько И.М., Иванов А.А., Зотов А.В., Борисенко И.Ю., Сироткин В.В., Тулин В.А. Свойства перколяционных каналов в планарных мемристивных структурах на основе эпитаксиальных пленок оксидных перовскитных соединений YBa2Cu3O7-δ и La1-хSrхMnO3-δ. Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2023; 87(4): 541—545. https://doi.org/10.31857/S036767652270096X; https://www.elibrary.ru/noxznr
15. Pasinetti P.M., Centres P.M., Ramirez-Pastor A.J. Jamming and percolation of k2-mers on simple cubic lattices. Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. 2019; 2019(10): 103204. https://doi.org/10.1088/1742-5468/ab409c; https://www.elibrary.ru/ropxjp
16. Москалев П.В. Перколяционное моделирование пористых структур. М.: URSS; 2018. 240 с. https://www.elibrary.ru/zrjswd
17. Liu J., Kang W. New chemically amplified positive photoresist with phenolic resin modified by GMA and BOC protection. Polymers. 2023; 15(7): 1598. https://doi.org/10.3390/polym15071598
18. Manouras T., Argitis P. High sensitivity resists for EUV lithography: A review of material design strategies and performance results. Nanomaterials. 2020; 10(8): 1593. https://doi.org/10.3390/nano10081593; https://www.elibrary.ru/qdbice
19. Funato S., Kinoshita Y., Kudo T., Masuda S., Okazaki H., Padmanaban M., Przybilla K.J., Suehiro N., Pawlowski G. Photodecomposable bases. A novel concept to stabilize chemically amplified resists. Journal of Photopolymer Science and Technology. 1995; 8(4): 543—553. https://doi.org/10.2494/photopolymer.8.543
20. Foulger S.H., Bandera Yu., Grant B., Vilčáková J., Sáha P. Exploiting multiple percolation in two-terminal memristor to achieve a multitude of resistive states. Journal of Materials Chemistry C. 2021; 9(28): 8975—8986. https://doi.org/10.1039/d1tc00987g
Дополнительные файлы
|
1. Неозаглавлен | |
| Тема | ||
| Тип | Прочее | |
Скачать
(B)
|
Метаданные ▾ | |
Рецензия
Для цитирования:
Матюшкин И.В. Проблемы синтеза коннекционистских представлений и континуальных моделей среды на примере мемристоров. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2024;27(2):117-124. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202311.567
For citation:
Matyushkin I.V. Problems of synthesis of connectionist representations and continuum models of the environs on the example of memristors. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2024;27(2):117-124. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202311.567
Просмотров:
218
Послать статью по эл. почте 