Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Электротранспортные свойства углеродной наноструктуры, полученной методом PECVD

Аннотация

Изучены дефектные графитовые слои, полученные на начальных стадиях формирования вертикального графена методом химического осаждения из газовой фазы усиленной микроволновой плазмой (PECVD) толщиной ≈ 20 нм и ≈ 35 нм. Температурные зависимости проводимости образцов, измеренные в интервале от 2 К до 300 К, демонстрируют полупроводниковый характер. Установлено, что в образце толщиной 20 нм механизм электротранспорта обусловлен комбинацией вклада описываемого теорией двухмерных (2D) квантовых поправок (КП) к проводимости Друде в условиях слабой локализации, доминирующих во всем температурном интервале, и обычного зонного вклада с активационным механизмом составляющего ≈8% при комнатной температуре. При увеличении толщины до 35 нм наблюдается дополнительный механизм проводимости, описываемый теорией трехмерных квантовых поправок с вкладом≈ 1,6 % при Т = 300К. Показано, что активационный механизм, несмотря на свой малый вклад в проводимость, оказывает существенное влияние на температурное изменение проводимости при Т > 200 К, сопоставимое с величиной вклада механизма 2D КП.

Об авторах

А. А. Харченко
Научно-исследовательское учреждение «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета (НИИ ЯП БГУ)
Беларусь

Харченко Андрей Андреевич

лаборатория физики перспективных материалов, Научно-исследовательское учреждение «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета (НИИ ЯП БГУ), ул. Бобруйская, 11 220006, Минск, Беларусь

SPIN-код: 5781-7325, AuthorID: 997910

Web of Science ResearcherID:  AAE-3125-2019Scopus Author ID: 56460244000


А. К. Федотов
Научно-исследовательское учреждение «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета (НИИ ЯП БГУ)
Беларусь

Федотов Александр Кириллович

лаборатория физики перспективных материалов, Научно-исследовательское учреждение «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета (НИИ ЯП БГУ), ул. Бобруйская, 11 220006, Минск, Беларусь



Ю. А. Федотова
Научно-исследовательское учреждение «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета (НИИ ЯП БГУ)
Беларусь

Федотова Юлия Александровна

лаборатория физики перспективных материалов, Научно-исследовательское учреждение «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета (НИИ ЯП БГУ), ул. Бобруйская, 11 220006, Минск, Беларусь



Список литературы

1. Yaguchi H., Singleton J. Destruction of the field- induced density-wave state in graphite by large magnetic fields. Physical review letters. 1998; 81: 5193. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.81.5193

2. Zhang X., Xue Q., Zhu D. Positive and negative linear magnetoresistance of graphite. Physics Letters A. 2004; 320: 471—477. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2003.11.050

3. Hishiyama Y., Irumano H., Kaburagi Y., Soneda Y. Structure, Raman scattering, and transport properties of boron-doped graphite. Physical Review B. 2001; 63: 245406. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.63.245406

4. Kaburagi Y., Hishiyama Y. Electronic properties of kish graphite crystals with low values of residual resistivity ratio. Carbon. 1998; 36(11): 1671—1676. https://doi.org/10.1016/S0008-6223(98)00163-8

5. Романенко А.И., Аникеева О.Б., Окотруб А.В., Булушева Л.Г., Кузнецов В.Л., Бутенко Ю.В., Чувилин А.Л., Dong C., Ni Y. Температурная зависимость электросопротивления и отрицательное магнетосопротивление углеродных наночастиц. Физика твердого тела. 2002; 44(3): 468—470.

6. Kaburagi Y., Hishiyama Y. Linear dependence of transverse magnetoresistance on magnetic field in kish graphite. Carbon. 1995; 33(10): 1505—1506. https://doi.org/10.1016/0008-6223(95)96989-L

7. Kaburagi Y., Hishiyama Y. Anomalous hall coefficient in kish graphite. Carbon. 1995; 33(9): 1349—1350. https://doi.org/10.1016/0008-6223(95)93956-M

8. Fujita S. Negative magnetoresistance in carbons and diffuse scattering at crystallite boundaries. Carbon. 1968; 6(5): 746—748. https://doi.org/10.1016/0008-6223(68)90022-5

9. Andrade E., López-Ur´ıas F., Naumis G. G. Topological origin of flat bands as pseudo-Landau levels in uniaxial strained graphene nanoribbons and induced magnetic ordering due to electron-electron interactions. Physical Review B. 2023; 107; 235143. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.235143

10. Zhao C., Huang Q., Valenta L., Eimre K., Yang L., Yakutovich A. V., Xu W., Ma J., Feng X., Jur´ıˇ cek M., et al. Tailoring magnetism of graphene nanoflakes via tip-controlled dehydrogenation. Physical review letters. 2024; 132: 046201. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.132.046201

11. Rehman Sagar R. Ur, Zhang X., Wang J., Xiong C. Negative magnetoresistance in undoped semiconducting amorphous carbon films. Journal of Applied Physics. 2014; 115: 123708. https://doi.org/10.1063/1.4869780

12. Yosida Y. Oguro I. Variable range hopping conduction in multiwalled carbon nanotubes. Journal of Applied Physics. 1998; 83, 4985—4987. https://doi.org/10.1063/1.367302

13. Hishiyama Y. Negative magnetoresistance in soft carbons and graphite. Carbon. 1970; 8(3): 259—269. https://doi.org/10.1016/0008-6223(70)90067-9

14. Vora P., Gopu P., Rosario-Canales M., P´ erez C., Gogotsi Y., Santiago-Avil´es J., Kikkawa J. Correlating magnetotransport and diamagnetism of sp2-bonded carbon networks through the metal-insulator transition. Physical Review B. 2011: 84: 155114. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155114

15. Prasad V., Subramanyam S. Magnetotransport in the amorphous carbon films prepared from succinic anhydride, Physica B: Condensed Matter. 2005; 369(1-4); 168—176. https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.08.009

16. Wan C., Zhang X., Vanacken J., Gao X., Zhang X., Wu L., Tan X., Lin H., Moshchalkov V.V., Yuan J. Electro-and magneto-transport properties of amorphous carbon films doped with iron. Diamond and related materials. 2011; 20(1): 26—30. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2010.11.001

17. Zhou Y.-B., Han B.-H., Liao Z.-M., Wu H.-C., Yu D.- P. From positive to negative magnetoresistance in graphene with increasing disorder. Applied Physics Letters. 2011; 98(22): 222502. https://doi.org/10.1063/1.3595681

18. Lee P. A. Ramakrishnan T. Disordered electronic systems. Reviews of modern physics. 1985; 57: 287. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.57.287

19. Альтшулер Б.Л., Аронов А.Г., Хмельницкий Д.Е. Об отрицательном магнетосопротивлении в полупроводниках в области прыжковой проводимости. Письма в ЖЭТФ. 1982; 36(5): 157—160.

20. Abrahams E., Anderson P., Licciardello D., Ramakrishnan T. Scaling theory of localization: Absence of quantum diffusion in two dimensions. Physical review letters. 1979; 42: 673. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.42.673

21. Hikami S., Larkin A. I., Nagaoka Y., Spin-orbit interaction and magnetoresistance in the two dimensional random system. Progress of Theoretical Physics. 1980; 63(2): 707—710. https://doi.org/10.1143/PTP.63.707

22. Bayev V., Rybin M., Svito I., Przewo´znik J., Kapusta C., Kasiuk J., Vorobyova S., Konakov A., Obraztsova E. The effect of quasi-free graphene layer on the electrical transport properties of sandwich-like graphene/co nanoparticles/graphene structure. Applied Surface Science. 2022; 579: 152119. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.152119

23. Ghosh S., Ganesan K., Polaki S. R., Ravindran T., Krishna N. G., Kamruddin M., Tyagi A. Evolution and defect analysis of vertical graphene nanosheets. Journal of Raman Spectroscopy. 2014; 45(8): 642—649. https://doi.org/10.1002/jrs.4530

24. Hiramatsu M., Kondo H., Hori M. Graphene nanowalls. New Progress on Graphene Research. 2013; 10: 51528. https://doi.org/10.5772/51528

25. Behura S. K., Mukhopadhyay I., Hirose A., Yang Q., Jani O. Vertically oriented few-layer graphene as an electron field-emitter, physica status solidi (a). 2013; 210(9): 1817—1821. https://doi.org/10.1002/pssa.201329172

26. Yue Z., Levchenko I., Kumar S., Seo D., Wang X., Dou S., Ostrikov K. K. Large networks of vertical multi-layer graphenes with morphology-tunable magnetoresistance. Nanoscale. 2013; 5(19): 9283—9288 (2013). https://doi.org/10.1039/C3NR00550J

27. Ghosh S., Ganesan K., Polaki S., Mathews T., Dhara S., Kamruddin M., Tyagi A., Influence of substrate on nucleation and growth of vertical graphene nanosheets. Applied Surface Science. 2015; 349(15): 576—581. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.05.038

28. Zhao J., Shaygan M., Eckert J., Meyyappan M., Rummeli M. H. A growth mechanism for free-standing vertical graphene. Nano letters. 2014; 14(6): 3064—3071. https://doi.org/10.1021/nl501039c

29. Rajackait˙e E., Peckus D., Gudaitis R., Andruleviˇcius M., Tamuleviˇcius T., Volyniuk D., Meˇskinis S., Tamuleviˇcius S. Transient absorption spectroscopy as a promising optical tool for the quality evaluation of graphene layers deposited by microwave plasma. Surface and Coatings Technology. 2020; 395: 125887. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.125887

30. Rajackait˙e E., Peckus D., Gudaitis R., Tamuleviˇcius T., Meˇskinis S., Tamuleviˇcius S. The evolution of properties with deposition time of vertical graphene nanosheets produced by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition. Surfaces and Interfaces. 2021; 27: 101529. https://doi.org/10.1016/j.surfin.2021.101529

31. Максименко А.А., Раяцкайте Е., Мешкинис Ш., Тамулевичюс Т., Тамулевичюс С., Харченко А.А., Федотов А.К. Федотова Ю.А. Электротранспортные свойства углеродной наноструктуры, полученной методом усиленного плазмой химического осаждения из газовой фазы, при термоциклировании. Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2020; (3): 89—96. https://doi.org/10.33581/2520-2243-2020-3-89-96

32. Мотт Н., Дэвис Э. под ред. Коломийца Б. Т. Электронные процессы в некристаллических веществах: в 2 т. Москва: Мир; 1982: 368.

33. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. Москва: Наука; 1979: 416.

34. Полянская Т.А., Шмарцев Ю.В. Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Физика и техника полупроводников. 1989; 23(1): 3—32.

35. Tikhonenko F.V., Kozikov A. A., Savchenko A. K., Gorbache R.V. Transition between electron localization and antilocalization in graphene. Physical review letters. 2009; 103: 226801. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.103.226801

36. Федотова Ю.А., Харченко А.А., Федотов А.К., Чичков М.В., Малинкович В.Д., Конаков А.О., Воробьева С.А., Касюк Ю.В., Гуменник В.Э., Kula M., Mitura-Nowak M., Максименко А.А., Przewoźnik J., Kapusta Cz. Влияние магнитных частиц Co - CoO на свойства электропереноса в однослойном графене. Физика твердого тела. 2020; 62(2): 316—325. https://doi.org/10.21883/FTT.2020.02.48885.587

37. Anderson P., Abrahams E., Ramakrishnan T. Possible explanation of nonlinear conductivity in thin-film metal wires. Physical Review Letters. 1979; 43: 718. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.43.718

38. Abrahams E., Anderson P., Lee P., Ramakrishnan T. Quasiparticle lifetime in disordered two- dimensional metals. Physical Review B. 1981; 24: 6783. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.24.6783

39. Pudalov V. Metallic conduction, apparent metal-insulator transition and related phenomena in two-dimensional electron liquid. Proceedings of the International School of Physics ”Enrico Fermi”. 2004; 157, 335—356. https://doi.org/10.3254/978-1-61499-013-0-335


Дополнительные файлы

Рецензия

Для цитирования:


Харченко А.А., Федотов А.К., Федотова Ю.А. Электротранспортные свойства углеродной наноструктуры, полученной методом PECVD. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2025;28(2).

Просмотров: 15


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)