Для цитирования:

Бусыгин А.Н., Габдулин Б.Х., Удовиченко С.Ю., Шулаев Н.А., Писарев А.Д., Ибрагим А.Х. Нестационарная модель массопереноса зарядов в самосогласованном электрическом поле для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2024;27(4):324-329. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202411.636

For citation:

Busygin A.N., Gabdulin B.H., Udovichenko S.Yu., Shulaev N.A., Pisarev A.D., Ebrahim A.H. A non-stationary model of mass transfer in a self-consistent electrical field for determining the influence of temperature on electrophysical properties of metal oxide memristors. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2024;27(4):324-329. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202411.636