О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-4-10

Полный текст:


Аннотация

Предложена модель захвата и поверхностной сегрегации примеси при легировании в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии. Сделано предположение, что встраивание примеси в поверхностный слой легируемого кристалла происходит как в результате блокирования атомов примеси в изломах на ступенях атомами основного вещества, так и путем обмена адсорбированных атомов примеси с атомами основного вещества в поверхностном слое. Поверхностная сегрегация рассмотрена как накопление примеси в адсорбционном слое вследствие «перескоков» адсорбированных атомов примеси через ступени и путем перехода атомов примеси из поверхностного слоя в адсорбционный слой. Показано, что увеличение пересыщения вблизи ступени при понижении температуры и увеличении скорости роста приводит к подавлению поверхностной сегрегации из-за более эффективного блокирования примеси в изломах. Образование двухмерных островков на террасах и формирование неравновесных изломов на краях островков приводит к частичному сбросу пересыщения и ослаблению влияния температуры и скорости роста на поверхностную сегрегацию. При интенсивном переходе атомов примеси из поверхностного слоя в адсорбционный слой имеет место очень резкое (супер экспоненциальное) увеличение размытия профиля легирования с увеличением температуры роста. Это связано с экспоненциальной зависимостью вероятности «замуровывания» примеси в поверхностном слое движущейся ступенью от константы скорости перехода примеси из поверхностного слоя в адсорбционный слой. Модель воспроизводит характерные зависимости ширины переходной концентрационной области легирования от температуры и скорости роста, полученные в экспериментах по легированию кремния сурьмой.


Об авторе

Ю. Ю. Эрвье
Национальный исследовательский Томский государственный университет
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент, физический факультет


Список литературы

1. Bean, J. C. Arbitrary doping profiles produced by Sb-doped Si MBE / J. C. Bean // Appl. Phys. Lett. – 1978. −V. 33. – P. 654—656.

2. Gossmann, H.-J. Delta doping in silicon/ H.-J. Gossmann, E. F. Schubert // Crit. Rev. Sol. St. Mater. Sci. – 1993. – V. 18. – P. 1—67.

3. Jorke, H. Surface segregation of Sb on Si(100) during molecular beam epitaxy growth / H. Jorke // Surf. Sci. – 1988. – V. 193. – P. 569—578.

4. Кузнецов, В. П. О накоплении примеси на (001) поверхности слоев Si при автоэпитаксии в вакууме / В. П. Кузнецов, А. Ю. Андреев // Поверхность. Физ., хим., механика. – 1990. – № 3. – C. 49—52.

5. Nьtzel, J. F. Comparison of P and Sb as n−dopants for Si molecular beam epitaxy / J. F. Nьtzel, G. Abstreiter // J. Appl. Phys. – 1995. – V. 78. – P. 937—940.

6. Hobart, K. D. Surface segregation and structure of Sb-doped Si(100) films grown at low temperature by molecular beam epitaxy / K. D. Hobart, D. J. Godbey, M. E. Twigg, M. Fatemi, P. E. Thompson, D. S. Simons // Surf. Sci. – 1995. – V. 334. – P. 29—38.

7. Yurasov, D. V. Usage of antimony segregation for selective doping of Si in molecular beam epitaxy / D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, M. V. Shaleev, N. D. Zakharov, A. V. Novikov // J. Appl. Phys. – 2011. – V. 109. – P. 113533(7).

8. Iyer, S. S. Sharp profiles with high and low doping levels in silicon grown by molecular beam epitaxy / S. S. Iyer, R. A. Metzger, F. A. Allen // J. Appl. Phys. – 1981. – V. 52. – P. 5608—5612.

9. Андреев, А. Ю. Легирование фосфором слоев Si при эпитаксии на (001) Si из молекулярного пучка / А. Ю. Андреев, Н. В. Гудкова, В. П. Кузнецов, В. С. Красильников, Р. А. Рубцова, В. А. Толомасов // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. – 1988. – Т. 24, № 9. – C. 1423—1425.

10. Nьtzel, J .F. Segregation and diffusion on semiconductor surfaces / J. F. Nьtzel, G. Abstreiter // Phys. Rev. B. – 1996. – V. 53. – P. 13551—13558.

11. Arnold, C. B. Unified kinetic model of dopant segregation during vapor-phase growth / C. B. Arnold, M. J. Aziz // Phys. Rev. B. – 2005. – V. 72. – P. 195419(17).

12. Rogge, S. Surface polymerization of epitaxial Sb wires on Si(001) / S. Rogge, R. H. Timmerman, P. M. L. O. Scholte, L. J. Geerligs, H. W. M. Salemink // Ibid. – 2000. – V. 62. – P. 15341—15344.

13. Ramamoorthy, M. Chemical trends in impurity incorporation into Si(100) / M. Ramamoorthy, E. L. Briggs, J. Bernholc // Phys. Rev. Lett. – 1988. – V. 81. – P. 1642—1645.

14. Martнnez-Guerra, E. Adsorption of Sb4 on Ge(001) and Si(001) surfaces: Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations / E. Martнnez-Guerra, G. Falkenberg, R. L. Johnson, N. Takeuchi // Phys. Rev. B. – 2006. – V. 73. – P. 075302(8).

15. Wang, J.-T. Two-stage rotation mechanism for group-V precursor dissociation on Si(001) / J.-T. Wang, C. Chen, E. G. Wang, D.-S. Wang, H. Mizuseki, Y. Kawazoe // Phys. Rev. Lett. – 2006. – V. 97. – P. 046103(4).

16. Andrieu, S. Surface segregation mechanism during two-dimensional epitaxial growth: the case of dopants in Si and GaAs molecular−beam epitaxy / S. Andrieu, F. A. d’Avitaya, J. C. Pfister // J. Appl. Phys. – 1989. – V. 65. – P. 2681—2687.

17. Hervieu, Yu. Yu. Surface processes of impurity incorporation during MBE growth / Yu. Yu. Hervieu, M. P. Ruzaikin // Surf. Sci. – 1998. – V. 408. – P. 57—71.

18. Filimonov, S. N. On the kinetics of delta-doping during MBE / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Phys. Low-Dim. Struct. – 1998. – N 7/8. – P. 91—100.

19. Filimonov, S. N. The dopant incorporation and surface segregation during 2D islands growth in MBE: A computer simulation study / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Phys. Low-Dim. Struct. – 1998. – N 9/10. – P. 141—151.

20. Воронков, В. В. Захват примеси при движении элементарной ступени / В. В. Воронков, А. А. Чернов // Кристаллография. – 1967. – Т. 12, вып. 2. – C. 222—229.

21. Бартон, В. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхностей / В. Бартон, Н. Кабрера, Ф. Франк // Элементарные процессы роста кристаллов / Под ред. Г. Г. Лемлейна, А. А. Чернова. – М. : ИЛ, 1959. – С. 10—109.

22. Jernigan, G. G. Temperature dependence of atomic scale morphology in Si homoepitaxy between 350 and 800 C on Si(100) by molecular beam epitaxy / G. G. Jernigan, P. E. Thompson // J. Vac. Sci. Technol. A. – 2001. – V. 19. – P. 2307—2311.

23. Filimonov, S. N. Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Surf. Sci. – 2004. – V. 553. – P. 133.

24. Воронков, В. В. Движение элементарной ступени посредством образования одномерных зародышей / В. В. Воронков // Кристаллография. – 1970. – Т. 15, вып. 1. – C. 1.

25. Venables, J. A. Nucleation and growth of thin films / J. A. Venables, G. D. T. Spiller, M. Hanbьcken // Rep. Prog. Phys. – 1984. – V. 47. – P. 399—459.

26. Mo, Y. W. Activation energy for surface diffusion of Si on Si(001): A scanning-tunneling−microscopy study / Y. W. Mo, J. Kleiner, M. B. Webb, M. G. Lagally // Phys. Rev. Lett. – 1991. – V. 66. – P. 1998—2001.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Эрвье Ю.Ю. О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(2):4-10. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-4-10

For citation: Hervieu Y.Y. KINETICS OF DOPANT ACCUMULATION IN THE ADSORPTION LAYER DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(2):4-10. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-4-10

Просмотров: 223

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)