ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ СОПРОВОЖДЕНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В МНОГОЗОННЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ УСТАНОВКАХ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-26-31

Полный текст:


Аннотация

Разработана система управления технологическим процессом выращивания кристаллов в многозонной термической установке Бриджмена с интегрированной математической моделью. Описана процедура настройки параметров математической модели. Для работы системы управления использована экспериментальная информация о распределении температуры в установке, а также информация о скорости роста кристалла и положении фронта кристаллизации, полученная расчетным путем. Последовательная коррекция установок регуляторов многозонной термической установки в процессе выращивания кристалла на основе расчетной информации направлена на снижение отклонений осевой скорости роста кристалла от скорости перемещения ростового контейнера. Представлены результаты вычислительных экспериментов по применению математической модели в составе системы автоматического управления.


Об авторах

М. М. Филиппов
Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН
Россия
кандидат техн. наук, научный сотрудник


А. И. Грибенюков
Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник


В. Е. Гинсар
Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН
Россия
кандидат физ.−мат. наук, главный технолог


Ю. В. Бабушкин
Томский политехнический университет
Россия
кандидат техн. наук, доцент, кафедра прикладной математики


Список литературы

1. Грибенюков, А. И. Нелинейно−оптические кристаллы ZnGeP2: ретроспективный анализ технологических исследований / А. И. Грибенюков // Оптика атмосферы и океана. – 2002. – Т. 15, № 1. – С. 71—80.

2. Verozubova, G. A. Growth and defect structure of ZnGeP2 crystals / G. A. Verozubova, A. O. Okunev, A. I. Gribenyukov, A. Yu. Trofimiv, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov // J. Cryst. Growth. – 2010. – V. 312, N 8. – P. 1122—1126.

3. Марков, А. В. Выращивание монокристаллов арсенида галлия с высоким структурным совершенством методом вертикально направленной кристаллизации / А. В. Марков // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. – 2006. – № 6. – С. 16—19.

4. Глазов, В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников / В. М. Глазов, В. С. Земсков. – М. : Наука, 1967. – 272 с.

5. Филиппов, М. М. Оценка динамики температурного поля в рабочем объеме вертикальной установки Бриджмена при продольно-осевом перемещении ростового контейнера в процессе выращивания кристаллов / М. М. Филиппов, Ю. В. Бабушкин, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар // Изв. Томского политехн. Ун-та. – 2009. – Т. 315, № 2. – C. 104—109.

6. Филиппов, М. М. Алгоритм оценки мощностей нагревательных элементов в многозонной установке для выращивания кристаллов по Бриджмену / М. М. Филиппов, Ю. В. Бабушкин, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар // Там же. – 2009. – Т. 315, № 2. – C. 110—112.

7. Официальный сайт COMSOL Multiphysics [Электронный ресурс]. — режим доступа: http://www.comsol.com/. — 07.05.2011.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Филиппов М.М., Грибенюков А.И., Гинсар В.Е., Бабушкин Ю.В. ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ СОПРОВОЖДЕНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В МНОГОЗОННЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ УСТАНОВКАХ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(2):26-31. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-26-31

For citation: Philippov M.M., Gribenyukov A.I., Ginsar V.E., Babushkin Y.V. APPLICATION OF MATHEMATICAL MODEL FOR SUPPORT OF CRYSTAL GROWTH PROCESS IN MULTIZONE THERMAL INSTALLATIONS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(2):26-31. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-26-31

Просмотров: 211

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)