О ВЛИЯНИИ ПОДСВЕТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦАМ CdTe


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-18-21

Полный текст:


Аннотация

Исследованы вольт−амперные характеристики (ВАХ) и проведены измерения удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла образцов высокоомного теллурида кадмия при комнатной температуре. Исследованные образцы вырезаны из слитков, выращенных методом движущегося теплового поля и легированных хлором  на уровне ≈ 2 ⋅ 1017 см−3 (в шихте). В качестве контактных материалов использованы индий и золото. Измерения электрофизических параметров проведены на образцах квадратной формы по методу Ван− ер−Пау в диапазоне магнитных полей до 1,5  Тл в условиях регулируемой подсветки приконтактных областей белым светом. На этих же образцах исследованы ВАХ. Кроме того, ВАХ исследованы в условиях засветки образца монохроматическим излу- чением с длиной  волны 480 нм через покрытые  золотом грани образца. Установлено, что освещение областей вблизи контактов приводит к заметному (на два—три порядка) уменьшению сопротивления образца− двухполюсника. Обнаружено, что наблюдаемые ВАХ были линейными и в большинстве случаев проходили через начало  координат, что свидетельствует об отсутствии фото−ЭДС. При увеличении интенсивности подсветки  угол наклона ВАХ к оси абсцисс заметно увеличивался. Аналогичные результаты получены при засветке через золотое покрытие.  Показано, что подсветка приконтактных областей образца позволяет измерить удельное электрическое сопротивление и коэффициент Холла, что невозможно сделать в отсутствие подсветки.

Об авторах

А. Г. Белов
Открытое акционерное общество «Государственный научно−исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»
Россия

кандидат физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1



В. А. Голубятников
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

ведущий электроник кафедры «Электроники и наноэлектроники» НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва,  М. Пионерская ул., 12/4



Ф. И. Григорьев
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

кандидат хим. наук, профессор, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва,  М. Пионерская ул., 12/4 



А. П. Лысенко
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

доктор техн. наук, профессор, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва,  М. Пионерская ул., 12/4



Н. И. Строганкова
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

кандидат техн. наук, доцент, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва, М. Пионерская ул., д. 12/4



М. Б. Шадов
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

инженер кафедры  «Электроники и наноэлектроники», НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва,  М. Пионерская ул., д. 12/4

 



Список литературы

1. Jaeger, H. Transition resistances of ohmic contacts to p−type CdTe and their time−dependent variation / H. Jaeger, E. Seipp // J. Electron. Mater. − 1981. − V. 10, N 3. − P. 605—618.

2. Brinkman, A. W. Contacts to Cd/Zn/Te/Se compounds / A. W. Brinkman // Properties of Narrow Gap Cadmium−Based Compounds. − London (UK) : INSPEC, 1994. − P. 575—581.

3. Br un , D. L ow resi st ance ohm ic cont act on n − CdTe / D. Brun, B. Daudin, E. Ligeon // Appl. Phys. Lett. − 1994. − V. 65, N 4. − P. 475—477.

4. Klevkov, Yu. V. Vliyanie passivacii poverhnosti p−CdTe v (NH4)2Sx na vol’t−ampernye harakteristiki kontaktov / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2006. − T. 40, N 9. − P. 1074—1078.

5. Klevkov, Yu. V. Elektrofizicheskie svoistva nelegirovannyh vysokoomnyh polikristallov n−CdTe / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Tam zhe. − 2007. − T. 41, N 6. − P. 670—673.

6. Kolosov, S. A. Izmenenie spektra elektronnyh sostoyanii v polikristallicheskom p −CdTe v rezul’tate otzhiga v Cd i estestvennogo stareniya / S. A. Kolosov, Yu. V. Klevkov, A. Yu. Klokov, V. S. Krivobok, A. I. Sharkov // Tam zhe. − 2009. − T. 43, N 11. − P. 1526—1532.

7. Kosyachenko, L. A. Osobennosti mehanizma elektroprovod- nosti poluizoliruyushih monokristallov CdTe / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, S. V. Mel’nichuk, V. M. Sklyarchuk, O. V. Sklyarchuk, T. Aoki // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 6. − P. 729—734.

8. Stafeev, V. I. Struktura i svoistva kontaktov CdxHg1−xTe−metall / V. I. Stafeev // Tam zhe. − 2009. − T. 43, N 5. − P. 636—639.

9. Blank, T. V. Mehanizmy protekaniya toka v omicheskih kon- taktah metall−poluprovodnik / T. V. Blank, Yu. A. Gol’dberg // Tam zhe. − 2007. − T. 41, N 11. − P. 1281—1308.

10. Belyaev, A. P. Vliyanie metoda sinteza na svoistva plenok tellurida kadmiya, sintezirovannyh v rezko neravnovesnyh uslovi- yah / A. P. Belyaev, V. P. Rubec, V. V. Antipov, E. O. Eremina // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 7. − P. 978—980.

11. Meriuc, A. V. Osobennosti svetovoi vol’t−ampernoi harakteristiki dvustoronne chuvstvitel’nyh solnechnyh elementov na osnovetonkih bazovyh sloev CdTe / A. V. Meriuc, G. S. Hripunov, T. N. She- lest, N. V. Deineko // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 6. − P. 829—832.

12. Kolosov, S. A. Povedenie Bi v reshetke CdTe i effekt kom- pensacii v CdTe : Bi / S. A. Kolosov, V. S. Krivobok, Yu. V. Klevkov, A. F. Adiyatullin // Tam zhe. − 2013. − T. 47, N 4. − P. 538—545.

13. Kosyachenko, L. A. Self−compensation limited conductivity in semi−insulating indium−doped Cd0,9Zn0,1Te crystals / L. A. Kosyachenko, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos //J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112. − P. 013705.

14. Ruzin, A. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe/ A. Ruzin // Ibid. − 2011. − V. 109. − P. 014509.

15. Dubecky, F. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe / F. Dubecky, M. Dubecky // Ibid. − 2012. − V. 111. − P. 026102.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Белов А.Г., Голубятников В.А., Григорьев Ф.И., Лысенко А.П., Строганкова Н.И., Шадов М.Б. О ВЛИЯНИИ ПОДСВЕТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦАМ CdTe. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):18-21. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-18-21

For citation: Belov A.G., Golubiatnikov V.A., Grigor’ev F.I., Lysenko A.P., Strogankova N.I., Shadov M.B. THE INFLUENCE OF ILLUMINATION UPON ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF CDTE SAMPLE CONTACTS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):18-21. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-18-21

Просмотров: 227

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)