О ВЛИЯНИИ ПОДСВЕТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦАМ CdTe
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-18-21
Аннотация
Об авторах
А. Г. БеловРоссия
кандидат физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1
В. А. Голубятников
Россия
ведущий электроник кафедры «Электроники и наноэлектроники» НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва, М. Пионерская ул., 12/4
Ф. И. Григорьев
Россия
кандидат хим. наук, профессор, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва, М. Пионерская ул., 12/4
А. П. Лысенко
Россия
доктор техн. наук, профессор, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва, М. Пионерская ул., 12/4
Н. И. Строганкова
Россия
кандидат техн. наук, доцент, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва, М. Пионерская ул., д. 12/4
М. Б. Шадов
Россия
инженер кафедры «Электроники и наноэлектроники», НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва, М. Пионерская ул., д. 12/4
Список литературы
1. Jaeger, H. Transition resistances of ohmic contacts to p−type CdTe and their time−dependent variation / H. Jaeger, E. Seipp // J. Electron. Mater. − 1981. − V. 10, N 3. − P. 605—618.
2. Brinkman, A. W. Contacts to Cd/Zn/Te/Se compounds / A. W. Brinkman // Properties of Narrow Gap Cadmium−Based Compounds. − London (UK) : INSPEC, 1994. − P. 575—581.
3. Br un , D. L ow resi st ance ohm ic cont act on n − CdTe / D. Brun, B. Daudin, E. Ligeon // Appl. Phys. Lett. − 1994. − V. 65, N 4. − P. 475—477.
4. Klevkov, Yu. V. Vliyanie passivacii poverhnosti p−CdTe v (NH4)2Sx na vol’t−ampernye harakteristiki kontaktov / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2006. − T. 40, N 9. − P. 1074—1078.
5. Klevkov, Yu. V. Elektrofizicheskie svoistva nelegirovannyh vysokoomnyh polikristallov n−CdTe / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Tam zhe. − 2007. − T. 41, N 6. − P. 670—673.
6. Kolosov, S. A. Izmenenie spektra elektronnyh sostoyanii v polikristallicheskom p −CdTe v rezul’tate otzhiga v Cd i estestvennogo stareniya / S. A. Kolosov, Yu. V. Klevkov, A. Yu. Klokov, V. S. Krivobok, A. I. Sharkov // Tam zhe. − 2009. − T. 43, N 11. − P. 1526—1532.
7. Kosyachenko, L. A. Osobennosti mehanizma elektroprovod- nosti poluizoliruyushih monokristallov CdTe / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, S. V. Mel’nichuk, V. M. Sklyarchuk, O. V. Sklyarchuk, T. Aoki // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 6. − P. 729—734.
8. Stafeev, V. I. Struktura i svoistva kontaktov CdxHg1−xTe−metall / V. I. Stafeev // Tam zhe. − 2009. − T. 43, N 5. − P. 636—639.
9. Blank, T. V. Mehanizmy protekaniya toka v omicheskih kon- taktah metall−poluprovodnik / T. V. Blank, Yu. A. Gol’dberg // Tam zhe. − 2007. − T. 41, N 11. − P. 1281—1308.
10. Belyaev, A. P. Vliyanie metoda sinteza na svoistva plenok tellurida kadmiya, sintezirovannyh v rezko neravnovesnyh uslovi- yah / A. P. Belyaev, V. P. Rubec, V. V. Antipov, E. O. Eremina // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 7. − P. 978—980.
11. Meriuc, A. V. Osobennosti svetovoi vol’t−ampernoi harakteristiki dvustoronne chuvstvitel’nyh solnechnyh elementov na osnovetonkih bazovyh sloev CdTe / A. V. Meriuc, G. S. Hripunov, T. N. She- lest, N. V. Deineko // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 6. − P. 829—832.
12. Kolosov, S. A. Povedenie Bi v reshetke CdTe i effekt kom- pensacii v CdTe : Bi / S. A. Kolosov, V. S. Krivobok, Yu. V. Klevkov, A. F. Adiyatullin // Tam zhe. − 2013. − T. 47, N 4. − P. 538—545.
13. Kosyachenko, L. A. Self−compensation limited conductivity in semi−insulating indium−doped Cd0,9Zn0,1Te crystals / L. A. Kosyachenko, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos //J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112. − P. 013705.
14. Ruzin, A. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe/ A. Ruzin // Ibid. − 2011. − V. 109. − P. 014509.
15. Dubecky, F. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe / F. Dubecky, M. Dubecky // Ibid. − 2012. − V. 111. − P. 026102.
Рецензия
Для цитирования:
Белов А.Г., Голубятников В.А., Григорьев Ф.И., Лысенко А.П., Строганкова Н.И., Шадов М.Б. О ВЛИЯНИИ ПОДСВЕТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦАМ CdTe. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):18-21. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-18-21
For citation:
Belov A.G., Golubiatnikov V.A., Grigor’ev F.I., Lysenko A.P., Strogankova N.I., Shadov M.B. THE INFLUENCE OF ILLUMINATION UPON ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF CDTE SAMPLE CONTACTS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):18-21. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-18-21