THE INFLUENCE OF ILLUMINATION UPON ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF CDTE SAMPLE CONTACTS
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-18-21
Abstract
About the Authors
A. G. BelovRussian Federation
V.A. A. Golubiatnikov
Russian Federation
F. I. Grigor’ev
Russian Federation
A. P. Lysenko
Russian Federation
N. I. Strogankova
Russian Federation
M. B. Shadov
Russian Federation
References
1. Jaeger, H. Transition resistances of ohmic contacts to p−type CdTe and their time−dependent variation / H. Jaeger, E. Seipp // J. Electron. Mater. − 1981. − V. 10, N 3. − P. 605—618.
2. Brinkman, A. W. Contacts to Cd/Zn/Te/Se compounds / A. W. Brinkman // Properties of Narrow Gap Cadmium−Based Compounds. − London (UK) : INSPEC, 1994. − P. 575—581.
3. Br un , D. L ow resi st ance ohm ic cont act on n − CdTe / D. Brun, B. Daudin, E. Ligeon // Appl. Phys. Lett. − 1994. − V. 65, N 4. − P. 475—477.
4. Klevkov, Yu. V. Vliyanie passivacii poverhnosti p−CdTe v (NH4)2Sx na vol’t−ampernye harakteristiki kontaktov / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2006. − T. 40, N 9. − P. 1074—1078.
5. Klevkov, Yu. V. Elektrofizicheskie svoistva nelegirovannyh vysokoomnyh polikristallov n−CdTe / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Tam zhe. − 2007. − T. 41, N 6. − P. 670—673.
6. Kolosov, S. A. Izmenenie spektra elektronnyh sostoyanii v polikristallicheskom p −CdTe v rezul’tate otzhiga v Cd i estestvennogo stareniya / S. A. Kolosov, Yu. V. Klevkov, A. Yu. Klokov, V. S. Krivobok, A. I. Sharkov // Tam zhe. − 2009. − T. 43, N 11. − P. 1526—1532.
7. Kosyachenko, L. A. Osobennosti mehanizma elektroprovod- nosti poluizoliruyushih monokristallov CdTe / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, S. V. Mel’nichuk, V. M. Sklyarchuk, O. V. Sklyarchuk, T. Aoki // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 6. − P. 729—734.
8. Stafeev, V. I. Struktura i svoistva kontaktov CdxHg1−xTe−metall / V. I. Stafeev // Tam zhe. − 2009. − T. 43, N 5. − P. 636—639.
9. Blank, T. V. Mehanizmy protekaniya toka v omicheskih kon- taktah metall−poluprovodnik / T. V. Blank, Yu. A. Gol’dberg // Tam zhe. − 2007. − T. 41, N 11. − P. 1281—1308.
10. Belyaev, A. P. Vliyanie metoda sinteza na svoistva plenok tellurida kadmiya, sintezirovannyh v rezko neravnovesnyh uslovi- yah / A. P. Belyaev, V. P. Rubec, V. V. Antipov, E. O. Eremina // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 7. − P. 978—980.
11. Meriuc, A. V. Osobennosti svetovoi vol’t−ampernoi harakteristiki dvustoronne chuvstvitel’nyh solnechnyh elementov na osnovetonkih bazovyh sloev CdTe / A. V. Meriuc, G. S. Hripunov, T. N. She- lest, N. V. Deineko // Tam zhe. − 2010. − T. 44, N 6. − P. 829—832.
12. Kolosov, S. A. Povedenie Bi v reshetke CdTe i effekt kom- pensacii v CdTe : Bi / S. A. Kolosov, V. S. Krivobok, Yu. V. Klevkov, A. F. Adiyatullin // Tam zhe. − 2013. − T. 47, N 4. − P. 538—545.
13. Kosyachenko, L. A. Self−compensation limited conductivity in semi−insulating indium−doped Cd0,9Zn0,1Te crystals / L. A. Kosyachenko, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos //J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112. − P. 013705.
14. Ruzin, A. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe/ A. Ruzin // Ibid. − 2011. − V. 109. − P. 014509.
15. Dubecky, F. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe / F. Dubecky, M. Dubecky // Ibid. − 2012. − V. 111. − P. 026102.
Review
For citations:
Belov A.G., Golubiatnikov V.A., Grigor’ev F.I., Lysenko A.P., Strogankova N.I., Shadov M.B. THE INFLUENCE OF ILLUMINATION UPON ELECTROPHYSICAL PARAMETERS OF CDTE SAMPLE CONTACTS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):18-21. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-18-21