СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ

Предложен метод раздельного определения сопротивлений образца−двухполюсника и контактов к нему, который применим к образцам высокоомных полупроводниковых материалов: полуизолирующего арсенида галлия, детекторного теллурида кадмия−цинка (КЦТ) и др. Метод основан на засветке приконтакных областей образца моно- хроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны исследуемого материала. Экстраполяция прямолинейного участка зависимости фототока через образец от тока через светодиоды к оси ординат позволяет найти ток отсечки, после чего по из- вестным значениям тока отсечки и напряжения смещения вычисляют значение сопротивления объема об- разца. Далее, зная темновое значение тока через образец, можно вычислить суммарное сопротивление контактов образца−двухполюсника. Метод опробован на образце полуизолирующего арсенида галлия n−типа электропроводности. Линейность контактов проверена по вольт−амперным характеристикам. Показано, что сопротивление контактов близко к сопротивлению объема образца, что подтверждает необходимость учета влияния контактов при анализе данных электрофизических измерений.

1. Jaeger, H. Transition resistances of ohmic contacts to p−type CdTe and their time−dependent variation / H. Jaeger, E. Seipp // J. Electron. Mater. − 1981. − V. 10, N 3. − P. 605—618.

2. Brinkman, A. W. Contacts to Cd/Zn/Te/Se compounds / A. W. Brinkman // Properties of Narrow Gap Cadmium−Based Com- pounds. − London (UK) : INSPEC, 1994. − P. 575—581.

3. Br un , D. L ow resi st ance ohm ic cont act on n − CdTe / D. Brun, B. Daudin, E. Ligeon // Appl. Phys. Lett. − 1994. − V. 65, N 4. − P. 475—477.

4. Klevkov, Yu. V. Vliyanie passivacii poverhnosti p− CdTe v (NH4)2Sx na vol’t−ampernye harakteristiki kontaktov / Yu. V. Klevk- ov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2006. − T. 40, Iss. 9. − P. 1074—1078.

5. Blank, T. V. Mehanizm protekaniya toka v omicheskih kontaktah metall—poluprovodnik / T. V. Blank, Yu. A. Gol’dberg // Ibid. − 2007. − T. 41, Iss. 11. − P. 1281—1308.

6. Kovalev, A. N. Sovremennye metody usovershenstvovaniya polevyh AlGaN/GaN−geterotranzistorov / A. N. Kovalev // Izv. vu- zov. Materialy elektron. tehniki. − 2007. − N 2. − P. 4—17.

7. Vi k u l i n , I . M . Fizika polupr ovodn i kov yh pr ib or ov / I. M. Vikulin, V. I. Stafeev. − M. : Sovetskoe radio, 1980. − P. 22.

8. Stafeev, V. I. Termoelektricheskie i drugie yavleniya v strukturah s neravnovestnymi nositelyami zaryada i nanochasticami / V. I. Stafeev // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2009. T. 43, Iss. 5. − P. 636—639.

9. Ruzin, A. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe / A. Ruzin // J. Appl. Phys. − 2011. − V. 109, Iss. 1. − P. 014509.

10. Mahnii, V. P. Poluizoliruyushie sloi tellurida kadmiya / V. P. Mahnii // Zhurnal tehn. fiziki. − 2005. T. 75, Iss. 11. − P. 122— 123.

11. Kosyachenko, L. A. Osobennosti mehanizma elektroprovod- nosti poluizoliruyushih monokristallov CdTe / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, S. V. Mel’nichuk, V. M. Sklyarchuk, O. V. Sklyarchuk, T. Aoki // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2010. − T. 44, Iss. 6. − P. 729—734.

12. Belyaev, A. P. Vliyanie metoda sinteza na svoistva plenok tellurida kadmiya, sintezirovannyh v rezko neravnovesnyh usloviyah / A. P. Belyaev, V. P. Rubec, V. V. Antipov, E. O. Eremina // Ibid. − 2010. T. 44, Iss. 7. − P. 978—980.

13. Kosyachenko, L. A. Self−compensation limited conductivity in semi−insulating indium−doped Cd0.9Zn0.1Te crystals / L. A. Kosyachenko, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos // J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112. − P. 013705.

14. Kolosov, S. A. Povedenie Bi v reshetke CdTe i effekt kompensacii v CdTe : Bi / S. A. Kolosov, V. S. Krivobok, Yu. V. Klevkov, A. F. Adiyatullin // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2013. − T. 47, Iss. 4. − P. 538—545.

15. Golubyatnikov, V. A . Fotoemissiya svobodnyh nositelei zaryada v vysokoomnyi poluprovodnik pri osveshenii omicheskih kontaktov / V. A. Golubyatnikov, A. G. Belov, F. I. Grigor’ev, A. P. Lysenko, N. I. Strogankova, M. B. Shadov // Materialy XX yu-einoi nauchno−tehn. konf. «Vakuumnaya nauka i tehnika». − M., 2013. − P. 220—222; 358.