СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-63-66

Полный текст:


Аннотация

Предложен метод раздельного определения сопротивлений образца−двухполюсника и контактов к нему, который применим к образцам высокоомных полупроводниковых материалов: полуизолирующего арсенида галлия, детекторного теллурида кадмия−цинка (КЦТ) и др. Метод основан на засветке приконтакных областей образца моно- хроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны исследуемого материала. Экстраполяция прямолинейного участка зависимости фототока через образец от тока через светодиоды к оси ординат позволяет найти ток отсечки, после чего по из- вестным значениям тока отсечки и напряжения смещения вычисляют значение сопротивления объема об- разца. Далее, зная темновое значение тока через образец, можно вычислить суммарное сопротивление контактов образца−двухполюсника. Метод опробован на образце полуизолирующего арсенида галлия n−типа электропроводности. Линейность контактов проверена по вольт−амперным характеристикам. Показано, что сопротивление контактов близко к сопротивлению объема образца, что подтверждает необходимость учета влияния контактов при анализе данных электрофизических измерений.


Об авторах

В. А. Голубятников
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

ведущий электроник кафедры «Электроники и наноэлектроники» НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва,  М. Пионерская ул., 12/4

 



Ф. И. Григорьев
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

кандидат хим. наук, профессор, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва,  М. Пионерская ул., 12/4

 



А. П. Лысенко
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

доктор техн. наук, профессор, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва,  М. Пионерская ул., 12/4

 



Н. И. Строганкова
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

кандидат техн. наук, доцент, НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва, М. Пионерская ул., д. 12/4

 



М. Б. Шадов
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Россия

инженер кафедры  «Электроники и наноэлектроники», НИУ ВШЭ МИЭМ, 115054, г. Москва,  М. Пионерская ул., д. 12/4

 

 



А. Г. Белов
Открытое акционерное общество «Государственный научно–исследовательский и проектный нститут редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»
Россия
кандидат физ.−мат. наук, ведущий научный сотрудник ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1


В. Е. Каневский
Открытое акционерное общество «Государственный научно–исследовательский и проектный нститут редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»
Россия

кандидат техн. наук,  старший научный сотрудник, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1.



Список литературы

1. Jaeger, H. Transition resistances of ohmic contacts to p−type CdTe and their time−dependent variation / H. Jaeger, E. Seipp // J. Electron. Mater. − 1981. − V. 10, N 3. − P. 605—618.

2. Brinkman, A. W. Contacts to Cd/Zn/Te/Se compounds / A. W. Brinkman // Properties of Narrow Gap Cadmium−Based Com- pounds. − London (UK) : INSPEC, 1994. − P. 575—581.

3. Br un , D. L ow resi st ance ohm ic cont act on n − CdTe / D. Brun, B. Daudin, E. Ligeon // Appl. Phys. Lett. − 1994. − V. 65, N 4. − P. 475—477.

4. Klevkov, Yu. V. Vliyanie passivacii poverhnosti p− CdTe v (NH4)2Sx na vol’t−ampernye harakteristiki kontaktov / Yu. V. Klevk- ov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2006. − T. 40, Iss. 9. − P. 1074—1078.

5. Blank, T. V. Mehanizm protekaniya toka v omicheskih kontaktah metall—poluprovodnik / T. V. Blank, Yu. A. Gol’dberg // Ibid. − 2007. − T. 41, Iss. 11. − P. 1281—1308.

6. Kovalev, A. N. Sovremennye metody usovershenstvovaniya polevyh AlGaN/GaN−geterotranzistorov / A. N. Kovalev // Izv. vu- zov. Materialy elektron. tehniki. − 2007. − N 2. − P. 4—17.

7. Vi k u l i n , I . M . Fizika polupr ovodn i kov yh pr ib or ov / I. M. Vikulin, V. I. Stafeev. − M. : Sovetskoe radio, 1980. − P. 22.

8. Stafeev, V. I. Termoelektricheskie i drugie yavleniya v strukturah s neravnovestnymi nositelyami zaryada i nanochasticami / V. I. Stafeev // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2009. T. 43, Iss. 5. − P. 636—639.

9. Ruzin, A. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe / A. Ruzin // J. Appl. Phys. − 2011. − V. 109, Iss. 1. − P. 014509.

10. Mahnii, V. P. Poluizoliruyushie sloi tellurida kadmiya / V. P. Mahnii // Zhurnal tehn. fiziki. − 2005. T. 75, Iss. 11. − P. 122— 123.

11. Kosyachenko, L. A. Osobennosti mehanizma elektroprovod- nosti poluizoliruyushih monokristallov CdTe / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, S. V. Mel’nichuk, V. M. Sklyarchuk, O. V. Sklyarchuk, T. Aoki // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2010. − T. 44, Iss. 6. − P. 729—734.

12. Belyaev, A. P. Vliyanie metoda sinteza na svoistva plenok tellurida kadmiya, sintezirovannyh v rezko neravnovesnyh usloviyah / A. P. Belyaev, V. P. Rubec, V. V. Antipov, E. O. Eremina // Ibid. − 2010. T. 44, Iss. 7. − P. 978—980.

13. Kosyachenko, L. A. Self−compensation limited conductivity in semi−insulating indium−doped Cd0.9Zn0.1Te crystals / L. A. Kosyachenko, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos // J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112. − P. 013705.

14. Kolosov, S. A. Povedenie Bi v reshetke CdTe i effekt kompensacii v CdTe : Bi / S. A. Kolosov, V. S. Krivobok, Yu. V. Klevkov, A. F. Adiyatullin // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2013. − T. 47, Iss. 4. − P. 538—545.

15. Golubyatnikov, V. A . Fotoemissiya svobodnyh nositelei zaryada v vysokoomnyi poluprovodnik pri osveshenii omicheskih kontaktov / V. A. Golubyatnikov, A. G. Belov, F. I. Grigor’ev, A. P. Lysenko, N. I. Strogankova, M. B. Shadov // Materialy XX yu-einoi nauchno−tehn. konf. «Vakuumnaya nauka i tehnika». − M., 2013. − P. 220—222; 358.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Голубятников В.А., Григорьев Ф.И., Лысенко А.П., Строганкова Н.И., Шадов М.Б., Белов А.Г., Каневский В.Е. СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):63-66. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-63-66

For citation: Golubiatnikov V.A., Grigor’ev F.I., Lysenko A.P., Strogankova N.I., Shadov M.B., Belov A.G., Kanevsky V.E. THE METHOD OF SEPARATE DETERMINATION OF HIGH−OHMIC SAMPLE RESISTANCE AND CONTACT RESISTANCE. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):63-66. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-63-66

Просмотров: 263

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)