НОВЫЕ МЕТАЛЛОРГАНИЧЕСКИЕ ПРЕКУРСОРЫ И ПРОЦЕССЫ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В ТЕХНОЛОГИЯХ НАНОМАТЕРИАЛОВ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-73-77

Полный текст:


Аннотация

Разработаны процессы химического осаждения из газовой фазы (CVD) металлических и диэлектрических (high−k и low−k) пленок с применением нетрадиционных исходных веществ (летучих комплексных и элементоорганических соединений). Проведено комплексное исследование химического и фазового состава, структуры пленок двойных оксидов (HfO2)1−x(Ме2O3)x(где Ме = Al, Sc), а также пленок карбонитридов и оксикарбони-тридов кремния. Показано, что полученные материалы обладают комплексом уникальных функциональных свойств, что делает их перспективными для применения в микро−, нано− и оптоэлектронных устройствах.


Об авторах

Ф. А. Кузнецов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН»
Россия

доктор хим. наук, советник РАН, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН», 630090, г. Новосибирск, пpосп. ак. Лавpентьева, д. 3,



Т. П. Смирнова
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН»
Россия

доктор хим. наук, главный научный сотрудник, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН», 630090, г. Новосибирск, пpосп. ак. Лавpентьева, д. 3,



Н. И. Файнер
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН»
Россия

кандидат хим. наук, старший научный сотрудник, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН», 630090, г. Новосибирск, пpосп. ак. Лавpентьева, д. 3,



Н. Б. Морозова
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН»
Россия

доктор хим. наук, ведущий научный сотрудник, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН», 630090, г. Новосибирск, пpосп. ак. Лавpентьева, д. 3,



И. К. Игуменов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН»
Россия

доктор хим. наук,зав. лаб., Федеральное государственное бюджетное учреждениенауки «Институт неорганической химии им. А. В. НиколаеваСО РАН», 630090, г. Новосибирск, пpосп. ак. Лавpентьева, д. 3,



Список литературы

1. Fainer, N. Low−k dielectrics on base of silicon carbon nitride films / N. Fainer, Y. Rumyantsev, M. Kosinova, E. Maximovski, V. Kesler, V. Kirienko, F. Kuznetsov // Surface and Coat. Tech. − 2007. − V. 201, N 22–23. − P. 9269—9274.

2. Файнер, Н. И. Использование гексаметилциклотрисилазана для получения прозрачных пленок сложного состава / Н. И. Файнер, А. Н. Голубенко, Ю. М. Румянцев, Е. А. Максимовский // Физика и химия стекла. − 2009. − Т. 35. − С. 351—364.

3. Fainer, N. I. Synthesis and thermal stability of nanocomposite SiCxNy : H films from cycle siliconorganic precursor / N. I. Fainer, Yu. M. Rumyantsev, V. G. Kesler, E. A. Maximovski, F. A. Kuznetsov // ECS Trans. − 2009. − V. 25. − P. 921—926.

4. Кеслер, В. Г. Синтез диэлектрических пленок карбонитрида кремния с улучшенными оптическими и механическими свойствами из тетраметилдисилазана / В. Г. Кеслер, Е. А. Максимовский, Б. М. Аюпов, Ф. А. Кузнецов // Физика и химия стекла. − 2012. − Т. 38, № 4. − (в печати).

5. Морозова, Н. Б. Бета−дикетонаты рутения(III) / Н. Б. Морозова, В. Н. Митькин, И. К. Игуменов, С. В. Земсков, О. Г. Потапова // Коорд. химия. − 1989. − Т. 15, № 1. − С. 110—115.

6. Semyannikov, P. P. In situ mass spectrometry during thermal CVD of the tris−acetylacetinates of 3−d transition metal / P. P. Semyannikov, I. K. Igumenov, S. V. Trubin, I. P. Asanov // J. Phys. IV. − 2001. − V. 11. − P. Pr3−995—Pr3−1003.

7. Морозова, Н. Б. Синтез, структура и термические свойства летучих комплексов меди(II) c бета−дииминными производными ацетилацетона и строение кристаллов 2−(метиламино)−4−(метилимино)−2−пентена / Н. Б. Морозова, П. А. Стабников,И. А. Байдина, П. П. Семянников, С. В. Трубин, И. К. Игуменов // Журн. структ. химии. − 2007. −Т. 48, N 5. − С. 947—956.

8. Bykov, A. F. Investigation of thermal properties of ru the nium(III) β–diketonate precursors for preparation of RuO2 films by CVD / A. F. Bykov, N. B. Morozova, I. K. Igumenov, S. V. Sysoev // J. Therm. Anal. − 1996. − V. 46. − P. 1551—1565.

9. Igumenov, I. K. Approach to control deposition of ultra thin films from metal organic precursors: Ru deposition / I. K. Igumenov, P. P. Semyannikov, S. V. Trubin, N. B. Morozova, N. V. Gelfond, A. V. Mischenko, J. A. Norman // Surface and Coatings Technol. − 2007. − V. 201, N 22—23. − P. 9003—9008.

10. Morozova, N. B. Synthesis and properties of volatile Cu(II) complexes with beta−diiminate derived from acetylacetone — new precursors for MOCVD processes / N. B. Morozova, N. V. Gelfond, T. I. Liskovskaya, P. A. Stabnikov, P. P. Semyannikov, S. V. Trubin, A. V. Mischenko, I. K. Igumenov, J. A. Norman. − NJ (USA) : Electrochemical Society. − Proc. V. 2005−09. − P. 667—674.

11. Файнер, Н. И. От кремнийорганических соединений-предшественников — к многофункциональному карбонитриду кремния / Н. И. Файнер // ЖОХ. − 2012. − Т. 82, № 1. − С. 47—56.

12. Smirnova, Т. P. MO CVD and physicochemical characterization of (HfO2)x(Al2O3)1−x thin films / Т. P. Smirnova, M. S. Lebedev, N. B. Morozova, P. P. Semyannikov, K. V. Zherikova, V. V. Kai-chev, Yu. V. Dubinin //Chemical Vapor Deposition. − 2010. − V. 16. − P. 185—190.

13. Смирнова, Т. П. Химическое строение пленок оксида гафния на кремнии / Т. П. Смирнова, В. В. Каичев, Л. В. Яковкина, В. И. Косяков, С. А. Белошапкин, Ф. А Кузнецов, М. C. Лебедев, В. А. Гриценко //Неорган. материалы. − 2008. − Т. 44, № 9. − С. 1086—1092.

14. М. С. Лебедев. Тонкопленочные композиции на основе диоксида гафния и оксида алюминия: синтез и характеризация: Дисс. … канд. хим. наук. − Новосибирск, 2010.

15. Smirnova, T. P. MO CVD and physicochemical characterization of (HfO2)x(Al2O3)1−x thin films / T. P. Smirnova, M. S. Lebedev, N. B. Morozova, P. P.Semyannikov, K. V. Zherikova, V. V. Kaichev, Yu. V. Dubinin // Chem. Vapor. Deposition. − 2010. − V. 16. − P. 185—190.

16. Dielectric films for advanced microelectronics / Ed. by M. Baklanov, M. Green, K. Maex. − Berlin : Wiley, 2007. − 510 p.

17. Яковкина, Л. В. Структура и свойства пленок на основе двойных оксидов HfO2—Sc2O / Л. В. Яковкина, Т. П. Смирнова, В. О. Борисов, S.−J. Hwan, Н. Б. Морозова, В. Н. Кичай, А. В. Смирнов // ЖСХ. − 2011. − Т. 52, № 4. − С. 764—768.

18. Bendeddouche, A. Structural characterization of amorphous SiCxNy chemical vapor deposited coatings / A. Bendeddouche, R. Ber-joan, E. Beche, T. Merle−Mejean, S. Schamm, V. Serin, G. Taillades, A. Pradel, R. Hillel // J. Appl. Phys. − 1997. − V. 81. − P. 6147—6154.

19. He, X. M. Bonding structure and properties of ion enhanced reactive magnetron sputtered silicon carbonitride films / X. M. He, T. N. Taylor, R. S. Lillard, K. C. Walter, M. Nastasi // J. Phys. : Condens. Matter. − 2000. − V. 12. − P. L591—L597.

20. Wagner, C. D. Photoelectron and auger energies and the auger parameter − a data set / C. D. Wagner // Practical surface analysis 1: Auger and X−ray photoelectron spectroscopy. − Chichester : Wiley, 1990.

21. Fainer, N. I. Study of structure and phase composition of nanocrystal silicon carbonitride films / N. I. Fainer, E. A. Maximovskii, Yu. M. Rumyantsev, M. L. Kosinova, F. A. Kuznetsov // NIMA. − 2001. − V. 470. − P. 193—197.

22. Fainer, N. I. Nanocrystalline films of silicon carbonitride: chemical composition and bonding and functional properties / N. I. Fainer, M. L. Kosinova, Yu. M. Rumyantsev, E. A. Maximovskii, B. M. Ayupov, B. A. Kolesov, F. A. Kuznetsov, V. G. Kesler, M. Terauchi, K. Shibata, F. Satoh, Z. X. Cao. // Proc. Fifteenth Europ. Conf. on Chemical Vapor Deposition. EUROCVD−15. − 2005. − V. 2005−09. − P. 1074—1081.

23. Fainer, N. I. Thin silicon carbonitride films are perspective low−k materials / N. I. Fainer, M. L. Kosinova, Yu. M. Rumyantsev, E. A. Maximovskii, F. A. Kuznetsov // J. Phys. and Chem. of Solids. − 2008. − V. 69. − P. 661—668.

24. Chen, C. W. Optical properties and photoconductivity of amorphous silicon carbon nitride thin film and its application for UV detection / C. W. Chen, C. C. Huang, Y. Y. Lin, L. C. Chen, K. H. Chen,. W. F. Su // Diamond Relat. Mater. − 2005. − V. 14. − P. 1010—1013.

25. Tauc, J. Optical properties and electronic structure of amorphous germanium / J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu // Phys. status solid. − 1966. − V. 15. − P. 627—637.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Кузнецов Ф.А., Смирнова Т.П., Файнер Н.И., Морозова Н.Б., Игуменов И.К. НОВЫЕ МЕТАЛЛОРГАНИЧЕСКИЕ ПРЕКУРСОРЫ И ПРОЦЕССЫ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В ТЕХНОЛОГИЯХ НАНОМАТЕРИАЛОВ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):4-12. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-73-77

For citation: Кузнецов Ф.A., Смирнова Т.П., Файнер Н.И., Морозова Н.Б., Игуменов И.К. НОВЫЕ МЕТАЛЛОРГАНИЧЕСКИЕ ПРЕКУРСОРЫ И ПРОЦЕССЫ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В ТЕХНОЛОГИЯХ НАНОМАТЕРИАЛОВ. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):4-12. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-73-77

Просмотров: 229

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)