ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100]


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-13-17

Полный текст:


Аннотация

Проведено исследование свойств нелегированных и легированных крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100] с целью использования их в качестве материала для подложек при создании ИК фотоприемных устройств нового поколения. Установлено, что неоднород-ность электрических свойств в крупногабаритных нелегированных монокристаллах антимонида индия, ориентированных в направлении [100], не превышает 10—16 %. Средняя плотность дислокаций в этих монокристаллах составляет 7,0 101 см−2, и распределение их по диаметру пластин с ориентацией (100) гораздо более равномерно, чем в пластинах с ориентацией (211).

Проведено исследование микроструктуры сильнолегированных теллуром монокристаллов антимонида индия. Установлено, что средняя плотность дислокаций в них не превышает значения 1 · 102 см−2. Введение теллура в количестве, обеспечивающем концентрацию основных носителей более 1,5 · 1018 см−3, приводит к появлению включений второй фазы. Показано, что в образцах с концентрацией носителей ~6,9 · 1017 см−3 величина оптического пропускания в интервале длин волн 3—5 мкм составляет не менее 40 %.


Об авторах

В. С. Ежлов
ОАО «Гиредмет»
Россия

руководитель НПК−2, кандидат физ.−мат. наук, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,



А. Г. Мильвидская
ОАО «Гиредмет»
Россия

кандидат техн. наук, зав. сектором, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,



Е. В. Молодцова
ОАО «Гиредмет»
Россия

кандидат техн. наук, ведущий научный сотрудник, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,



Г. П. Колчина
ОАО «Гиредмет»
Россия

кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,



М. В. Меженный
ГНУ «ИХПМ»
Россия

зав.отделом диагностики, Государственное научное учреждение «Институт химических проблем микроэлектроники», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1



В. Я. Резник
ГНУ «ИХПМ»
Россия

старший научный сотрудник, Государственное научное учреждение «Институт химических проблем микроэлектроники», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,



Список литературы

1. Гринченко, Л. Я. Современное состояние и перспективы ИК−фотоэлектроники / Л. Я. Гринченко, В. П. Пономаренко, А. М. Филачев // Прикладная физика. − 2009. − № 2. − С. 57—62.

2. Wafer Technology Ltd [Электронный ресурс]. − Website. Bucks : Wafer Technology Ltd, 2011. // http://www.wafertech.co.uk

3. Galaxy Compound Semiconductors, Inc.: [Электронный ресурс]. − Website. Spokane, WA: Galaxy Compound Semiconduc-tors, 2006. // http://www.galaxywafer.com/

4. Intel and QinetiQ Collaborate on Transistor Research: [Электронный ресурс]. − Website: Intel, 2005. //http://www.in-tel.com/pressroom/arihive/releass/2005/20050208corp.htm // Рекламные материалы фирмы Intel, 2005.

5. Филачев, А. М. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. − М. : Физматкнига, 2005. − 236 с.

6. Астахов, В. П. Планарные фотодиоды с эффектом Бурштейна—Мосса на основе жидкофазных эпитаксиальных структур из антимонида индия / В. П. Астахов, В. В. Карпов, В. В. Крапухин, В. Ф. Чишко, А. А. Шлёнский // Тез. докл. 21 Междунар. науч.−техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. − М., 2010. − С. 152—253.

7. Delauney, P. Y. Substrate removal for high quantum efficiency back side illuminated type-II InAs/GaSb photodetectors / P. Y. Delauney, B. M. Nguyen, D. Hofman, M. Razeghi // J. Appl. Phys. Lett. − 2007. − V. 91, N 23. − P. 231106—231109.

8. Мильвидский, М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский. − М. : Наука, 1986. − 144 с.

9. Firebird Semiconductors Ltd [Электронный ресурс]. − Website. Trail : Firebird Technologies Inc., 2008 − // http://www.firebird.bc.ca/

10. Мильвидский, М. Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский. − М. : Металлургия, 1984. − 256 с.

11. Бублик, В. Т. Нестехиометрия и собственные точечные дефекты в GaSb / В. Т. Бублик, А. Н. Морозов, В. М. Смирнов, А. Г. Мильвидская // Кристаллография. − 1992. − Т. 37, вып 6. − С. 1542—1550.

12. Юрова, Е. С. Потенциальный однозондовый метод измерения неоднородности антимонида и арсенида индия / Е. С. Юрова, А. Ш. Аронов, И. М. Юрьева и др. // Заводская лаборатория. − 1979. − № 4. − С. 344—347.

13. Громова, Т. И. Неоднородность антимонида индия, легированного теллуром, германием, кадмием и кремнием / Т. И. Громова, М. Н. Кеворков, А. Н. Попков и др. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. − 1985. − № 12. − С. 2080—2081.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Ежлов В.С., Мильвидская А.Г., Молодцова Е.В., Колчина Г.П., Меженный М.В., Резник В.Я. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100]. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):13-17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-13-17

For citation: Ezhlov V.S., Milvidskaya A.G., Molodtsova E.V., Kolchina G.P., Mezhennyi M.V., Resnick V.Y. INVESTIGATION ON THE PROPERTIES OF LARGE [100]−ORIENTED INSB SINGLE CRYSTALS GROWN BY CZOHRALSKI METHOD. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):13-17. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-13-17

Просмотров: 498

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)