INVESTIGATION ON THE PROPERTIES OF LARGE [100]−ORIENTED INSB SINGLE CRYSTALS GROWN BY CZOHRALSKI METHOD
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-13-17
Abstract
Investigation on the properties of large [100]−oriented InSb single crystals grown by Czoсhralski method The properties of undoped and heavily Te doped large single crystals of InSb grown by Czochralski method in the [100] direction and intended for use in IR photodetectors of new generation were studied. It was found that the non−uniformity in undoped crystals does not exceed 10—16%. The average dislocation density in this ingots was 7 101 cm−2 and their distribution along the diameter of (100)−oriented wafers was much more uniform than for the (211)−oriented wafers. We also studied the microstructure of heavily Te doped InSb crystals. It was established that the dislocation density in these crystals was below 1 102 cm−2. Te doping producing the electron concentration higher than 1,5 ⋅ 1018 cm−3 gave rise to the formation of high density of precipitates. The optical transmission of the samples with electron concentration ~6,9 ⋅ 1017 cm−3 was found to de higher 40 % for the wavelength range of 3—5 µm
About the Authors
V. S. Ezhlov
OAO Giredmet
Russian Federation
Russian Federation
руководитель НПК−2, кандидат физ.−мат. наук, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,
A. G. Milvidskaya
OAO Giredmet
Russian Federation
Russian Federation
кандидат техн. наук, зав. сектором, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,
E. V. Molodtsova
OAO Giredmet
Russian Federation
Russian Federation
кандидат техн. наук, ведущий научный сотрудник, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,
G. P. Kolchina
OAO Giredmet
Russian Federation
Russian Federation
кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, ОАО «Гиредмет», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,
M. V. Mezhennyi
Insitute for Chemical Problems of Microelectronics
Russian Federation
Russian Federation
зав.отделом диагностики, Государственное научное учреждение «Институт химических проблем микроэлектроники», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1
V. Ya. Resnick
Insitute for Chemical Problems of Microelectronics
Russian Federation
Russian Federation
старший научный сотрудник, Государственное научное учреждение «Институт химических проблем микроэлектроники», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,
References
1. Гринченко, Л. Я. Современное состояние и перспективы ИК−фотоэлектроники / Л. Я. Гринченко, В. П. Пономаренко, А. М. Филачев // Прикладная физика. − 2009. − № 2. − С. 57—62.
2. Wafer Technology Ltd [Электронный ресурс]. − Website. Bucks : Wafer Technology Ltd, 2011. // http://www.wafertech.co.uk
3. Galaxy Compound Semiconductors, Inc.: [Электронный ресурс]. − Website. Spokane, WA: Galaxy Compound Semiconduc-tors, 2006. // http://www.galaxywafer.com/
4. Intel and QinetiQ Collaborate on Transistor Research: [Электронный ресурс]. − Website: Intel, 2005. //http://www.in-tel.com/pressroom/arihive/releass/2005/20050208corp.htm // Рекламные материалы фирмы Intel, 2005.
5. Филачев, А. М. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. − М. : Физматкнига, 2005. − 236 с.
6. Астахов, В. П. Планарные фотодиоды с эффектом Бурштейна—Мосса на основе жидкофазных эпитаксиальных структур из антимонида индия / В. П. Астахов, В. В. Карпов, В. В. Крапухин, В. Ф. Чишко, А. А. Шлёнский // Тез. докл. 21 Междунар. науч.−техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. − М., 2010. − С. 152—253.
7. Delauney, P. Y. Substrate removal for high quantum efficiency back side illuminated type-II InAs/GaSb photodetectors / P. Y. Delauney, B. M. Nguyen, D. Hofman, M. Razeghi // J. Appl. Phys. Lett. − 2007. − V. 91, N 23. − P. 231106—231109.
8. Мильвидский, М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский. − М. : Наука, 1986. − 144 с.
9. Firebird Semiconductors Ltd [Электронный ресурс]. − Website. Trail : Firebird Technologies Inc., 2008 − // http://www.firebird.bc.ca/
10. Мильвидский, М. Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский. − М. : Металлургия, 1984. − 256 с.
11. Бублик, В. Т. Нестехиометрия и собственные точечные дефекты в GaSb / В. Т. Бублик, А. Н. Морозов, В. М. Смирнов, А. Г. Мильвидская // Кристаллография. − 1992. − Т. 37, вып 6. − С. 1542—1550.
12. Юрова, Е. С. Потенциальный однозондовый метод измерения неоднородности антимонида и арсенида индия / Е. С. Юрова, А. Ш. Аронов, И. М. Юрьева и др. // Заводская лаборатория. − 1979. − № 4. − С. 344—347.
13. Громова, Т. И. Неоднородность антимонида индия, легированного теллуром, германием, кадмием и кремнием / Т. И. Громова, М. Н. Кеворков, А. Н. Попков и др. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. − 1985. − № 12. − С. 2080—2081.
Review
For citations:
Ezhlov V.S., Milvidskaya A.G., Molodtsova E.V., Kolchina G.P., Mezhennyi M.V., Resnick V.Ya. INVESTIGATION ON THE PROPERTIES OF LARGE [100]−ORIENTED INSB SINGLE CRYSTALS GROWN BY CZOHRALSKI METHOD. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):13-17. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-13-17
Views:
1465
Email this article 