Выпуск | Название | |
№ 3 (2014) | МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Ф. Коваленко, А. А. Воробьев | ||
"... Single−side heating of a wafer with a free surface by pulse laser annealing has been analyzed ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Ф. Коваленко, А. А. Воробьев | ||
"... of nondestructive conditions of laser annealing of dielectric and semiconductor plates has been validated ..." | ||
№ 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
Том 20, № 2 (2017) | Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин | ||
"... −doped silicon wafers produced by the Czochralski (Cz−Si) was studied by the method of triple−X−ray ..." | ||
№ 2 (2012) | АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков | ||
"... voltage pulse switchers are investigated by laser thermal wave methods. Theoretical model of thermal wave ..." | ||
№ 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
"... on the connection boundary of disarranged n−type Si(001) wafers have been made by the methods of transmission ..." | ||
№ 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
"... Through three−layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ ДЛЯ БЕТА–ВОЛЬТАИЧЕСКИХ ГЕНЕРАТОРОВ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Д. Малинкович, А. С. Быков, И. В. Кубасов, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, Р. Н. Жуков, А. А. Темиров, Н. Г. Тимушкин, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... кремниевой балки с пьезоэлементом на однородный кантилевер, представляющий собой тонкую пластину из ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев | ||
"... and longer terms the world GaAs wafer and epitaxial structure markets will continue growing. In the shorter ..." | ||
№ 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник | ||
"... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..." | ||
Том 24, № 1 (2021) | Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев, Р. Ю. Козлов, Д. А. Завражин, Е. В. Жарикова, Ю. В. Сыров | ||
"... ). It is shown that the dependence of strength on processing for wafers with (100) orientation is similar ..." | ||
Том 19, № 2 (2016) | Анизотропия деформации плаcтин монокристаллов ниобата лития Y + 128°–среза с бидоменной структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. В. Кубасов, А. В. Попов, А. С. Быков, А. А. Темиров, А. М. Кислюк, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. В. Чичков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... wafers of lithium niobate in an external electric field. Dependencies of piezoelectric coefficients ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ЗАРЯДОВЫХ НАСОСОВ В СТРУКТУРЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Старков, В. А. Гусев, Н. О. Кулаковская, Е. А. Гостева, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... an annealing pattern with multiple light sources and heat insulation of the target wafer. This process ..." | ||
№ 3 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ МЕТОДОМ СТАЦИОНАРНОГО ВНЕШНЕГО НАГРЕВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Быков, С. Г. Григорян, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, И. В. Кубасов, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... The method of bidomain structure synthesis in lithium niobate single crystal wafers based ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Воздействие наносекундных ультрафиолетовых лазерных импульсов на поверхность монокристаллов германия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, В. Е. Рогалин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова | ||
"... was carried out by exposure to pulses of nanosecond UV laser radiation of subthreshold intensity (wavelength ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Модификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазера | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, С. И. Миколуцкий, В. Е. Рогалин, С. А. Филин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова | ||
"... · cm), exposed to radiation of a focused frequency-pulse nanosecond ultraviolet Nd : YaG laser ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Влияние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. А. Подгорный, М. С. Нестюркин, Н. Ю. Комаровский | ||
"... in the production of GaAs wafers. The main issue for obtaining high-quality plates is to determine the optimal ..." | ||
№ 2 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Гусев, С. М. Рындя, А. В. Зенкевич, Н. И. Каргин, Д. В. Аверьянов, М. М. Грехов | ||
"... Silicon carbide thin epilayers were grown on Si substrates by pulsed laser ablation of ceramic ..." | ||
№ 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
"... silicon wafers 100 mm in diameter rather than for small size samples often used to save silicon ..." | ||
№ 2 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник | ||
"... density in this ingots was 7 101 cm−2 and their distribution along the diameter of (100)−oriented wafers ..." | ||
Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Харченко | ||
"... of the generation of dislocations, which ultimately can determine the mechanical strength of the silicon wafer ..." | ||
№ 4 (2013) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин | ||
"... . The diffusion source was an erbium oxide layer on the surface of the test silicon wafer. The erbium and oxygen ..." | ||
Том 27, № 3 (2024) | Высокочастотные вольт-фарадные характеристики мембранных структур на основе Ba1-xSrxTiO3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, М. С. Афанасьев, Г. В. Чучева | ||
"... blank was obtained. The diameter of the recesses in the silicon wafer at the base was 1.2 mm ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов | ||
"... of silicon bricks used for wafer cutting/ weight of Silicon ingot). After doping adjustment, ingot quality ..." | ||
Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
"... of the silicon wafer and their thinning influence the thermal resistance. To improve the quality of soldering we ..." | ||
1 - 25 из 78 результатов | 1 2 3 4 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)