Выпуск | Название | |
№ 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Ю. Белик | ||
"... silicon is similar to that of amorphous silicon. Chemical etching allows creating porous layers ..." | ||
№ 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
"... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..." | ||
№ 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
"... to the point defects and electrolytic hydrogen which form during silicon etching. ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. А. Сейдман | ||
"... in reaction with fluorine. Therefore for plasmochemistry etching of silicon carbide one uses fluorine ..." | ||
№ 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
"... Through three−layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick ..." | ||
№ 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
"... of the etching process from one layer to another and determining the end of the etching process ..." | ||
Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
статья Редакционная | ||
№ 4 (2014) | ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин | ||
"... The use of por−Si electrodes promotes the separation of water molecules inside por−Si nanopores ..." | ||
№ 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
"... of the silicon photosensitive structures have been represented. The structures included layers of the silicon ..." | ||
№ 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Болотов, С. Н. Несов, П. М. Корусенко, С. Н. Поворознюк | ||
"... Results of XPS and AES investigation of por−Si/SnOxnanocomposite samples after different modes ..." | ||
№ 2 (2013) | ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В РАСТВОРЕ ПОЛИАКРИЛОВОЙ КИСЛОТЫ НА ЕГО ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, В. Н. Ципенюк | ||
"... Porous silicon (por-Si) has a unique set of physic−chemical properties of characteristics — well ..." | ||
№ 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев | ||
"... been conducted to assess the efficiency of plasma−chemical etching of (100) orientation single crystal ..." | ||
№ 4 (2013) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин | ||
"... The composition of diffusion silicon layers doped by rare earth erbium was investigated ..." | ||
Том 19, № 4 (2016) | «Кремний–2016»: ученые обсудили будущее электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
П. Красин | ||
Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Харченко | ||
"... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..." | ||
Том 21, № 1 (2018) | Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин | ||
"... The etching of wafers of cadmium telluride in aqueous and nonaqueous solutions before ..." | ||
Том 24, № 1 (2021) | Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Т. В. Критская | ||
"... polycrystalline silicon processes have been analyzed. The predominant polycrystalline silicon technology ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков | ||
"... Experimental results demonstrating the possibility of obtaining solar grade silicon ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
"... of silicon) have been analyzed. We have found that the concentration range of doping for the two ..." | ||
№ 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
"... silicon layers synthesized by electrochemical anodic treatment in an electrolyte based on a 12 % aqueous ..." | ||
№ 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко | ||
"... Nanoporous and nanotubular titanium oxide layers were fabricated by electrochemical etching ..." | ||
№ 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
"... metallurgical silicon by the vertical Bridgman−Stockbarger method have been studied. The chemical composition ..." | ||
№ 1 (2012) | МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц | ||
"... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка | ||
"... control of reactive ion−beam etching of different dielectric thin film materials for electronics have ..." | ||
№ 4 (2012) | НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов | ||
"... Results of experimental work with nanosized silicon (NcSi) samples which are not degraded under ..." | ||
1 - 25 из 143 результатов | 1 2 3 4 5 6 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)