Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 2 (2015) | ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина | ||
| "... Dislocation pileups play an important role in the formation and propagation of strain in single ..." | ||
| № 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин | ||
| "... dislocation source. The model is based on numerical solution of parabolic type partial differential equations ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
| "... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..." | ||
| Том 25, № 4 (2022) | Методы исследования дислокационной структуры полупроводниковых монокристаллов группы AIIIBV | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Князев, А. В. Кудря, Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, В. В. Ющук | ||
| "... and strengthens the requirements to their structural perfection. Dislocation density and distribution pattern ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов | ||
| "... the melt with various shapes of the crystallization front. The formation of dislocation low angle ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... , it is necessary to create internal sources for generation of dislocations and formation of precipitate ..." | ||
| № 3 (2014) | ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Шевченко, А. Н. Терещенко, А. А. Мазилкин | ||
| "... Germanium is a relevant object for research into the influence of dislocations on electronic ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... layer on sapphire on the growth features of epitaxial films and their dislocation structure ..." | ||
| № 1 (2014) | ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев | ||
| "... The equation connecting the misfit parameter f, the number of misfit dislocation (MD) families ..." | ||
| № 2 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев | ||
| "... to the introduction of misfit dislocations into the interface. Dislocations with Burgers vector a/2<110> which ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Р. Велиханов | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Воздействие наносекундных ультрафиолетовых лазерных импульсов на поверхность монокристаллов германия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, В. Е. Рогалин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова | ||
| "... For the first time, a detailed comprehensive study of the "dry" etching of dislocation ..." | ||
| № 1 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Л. Шульпина, В. А. Козлов | ||
| "... the dislocation nets with non-uniform distribution of dislocations both over thickness and layer square ..." | ||
| № 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
| "... defects are two types of dislocation structure: orthogonal dislocation network composed of two screw ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee | ||
| "... in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers ..." | ||
| № 4 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный | ||
| "... studied. We found that the dislocation density reduction in large undoped crystals can be achieved both ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... that frequency at which the peak is registered can depend on the dislocation density in heterostructures ..." | ||
| Том 23, № 3 (2020) | Модификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазера | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, С. И. Миколуцкий, В. Е. Рогалин, С. А. Филин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова | ||
| "... , the concentration of which was (3—5) · 105 cm2. The figures resemble dislocation-etching pits, usually obtained ..." | ||
| Том 24, № 3 (2021) | Выращивание монокристаллов антимонида индия диаметром 100 мм модифицированным методом Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. Ю. Козлов, С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлев | ||
| "... method. The dislocation density in crystals with a diameter of 100 mm was ≤ 100 cm-2 and corresponded ..." | ||
| Том 25, № 3 (2022) | Технология и термомеханика при выращивании трубчатых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Верезуб, Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко, А. И. Простомолотов, И. В. Силаев | ||
| "... The problem of growing high-resistance low-dislocation tubular silicon single crystals for non ..." | ||
| № 2 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник | ||
| "... . It was found that the non−uniformity in undoped crystals does not exceed 10—16%. The average dislocation ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Моделирование напряжений в многослойных полупроводниковых структурах автомобильных регуляторов и прогнозирование надежности их работы | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Адарчин, В. Г. Косушкин, В. М. Гурин, Л. В. Кожитов, М. С. Васютин, В. Г. Бебенин | ||
| "... in temperature gradients in the structures of regulators leads to the formation of dislocations that change ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... Abstract. In this paper are considers the effect of the microrelief, dislocation structure ..." | ||
| № 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник | ||
| "... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..." | ||
| Том 20, № 3 (2017) | Выращивание из поликристаллического кремния солнечного качества квазимонокристаллических (mono-like) слитков методом направленной кристаллизации | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, L. Pelissier, P. Lay, G. Fortin, L. Bounaas, Д. М. Скаков, Д. А. Калыгулов, А. А. Павлов, Т. С. Турмагамбетов, В. В. Ли | ||
| "... influences on the crystal defect generation (mainly dislocations) of the monocrystalline structure. Visual ..." | ||
| 1 - 25 из 32 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
