Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
| "... carried out experimental research of replacement soldering silicon chips in the housing transistors of Au ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
| "... metallurgical silicon by the vertical Bridgman−Stockbarger method have been studied. The chemical composition ..." | ||
| Том 27, № 2 (2024) | Моделирование МГД-воздействия на течение расплава кремния в процессе Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов | ||
| "... . Mathematical model of hydrodynamic processes is considered in relation to silicon single crystal growth in 100 ..." | ||
| № 3 (2013) | ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова | ||
| "... silicon crystals with a resistivity of 100 Ohm · cm. The measurements were conducted using high−definition ..." | ||
| № 4 (2013) | ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕИДЕАЛЬНОМ 1D ФОТОННОМ КРИСТАЛЛЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Румянцев, С. А. Федоров | ||
| "... crystal with two elements (layers) in the unit cell: the first layer is silicon, and the second one ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
| "... In present study is considered the influence of the regimes of passivating dielectric silicon ..." | ||
| № 1 (2014) | ХИМИЯ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ. НАУЧНАЯ ШКОЛА АКАДЕМИКА Ф. А. КУЗНЕЦОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Л. Косинова, И. Г. Васильева, Я. В. Васильев, Т. П. Смирнова | ||
| Том 18, № 1 (2015) | МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий | ||
| "... Нитевидные кристаллы — это новый материал, который характеризуется высоким структурным ..." | ||
| № 1 (2012) | ДЕМОНСТРАЦИЯ БРЭГГОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА 2D–ФОТОННОЙ СТРУКТУРЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. К. Наими | ||
| "... −фотонной структуре (двухмерном фотонном кристалле). Рассмотрены условия формирования оптической лауэграммы ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
| "... of silicon) have been analyzed. We have found that the concentration range of doping for the two ..." | ||
| № 3 (2013) | К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. И. Гоник, Arne Cröll | ||
| "... A technique for crucibleless growth of single−crystal silicon and its alloys with germanium ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... noted that most modern technological focus is the development of nitride heterostructures on silicon ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
| "... монокристаллического сплава SiGe, обогащенного со стороны кремния. Содержание второй компоненты в кристалле диаметром ..." | ||
| № 1 (2014) | ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев | ||
| "... апробирован эффективный метод определения тепловых параметров мощных полевых транзисторов. С помощью ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов | ||
| "... the necessity of developing the element base for high performance sensors based on silicon technologies. One way ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров | ||
| "... light−emitting diodes on the basis of silicon is theoretical research into the formation of point defect ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... -транзисторов с целью выяснения причин появления в ряде случаев нестабильности емкости. Исследованы кристаллы ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Направленная кристаллизация твердых растворов Ge1-xSix | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Косушкин, С. И. Супельняк, Е. Н. Коробейникова, В. И. Стрелов | ||
| "... of germanium – silicon, the possibilities of developing the technology of obtaining homogeneous crystals ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... эпитаксиальных слоев в областях истока и стока нитридных транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на ..." | ||
| № 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
| "... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..." | ||
| Том 26, № 4 (2023) | Влияние легирования на оптические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, О. А. Бузанов | ||
| "... Nominally pure lanthanum-gallium tantalate La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals doped with aluminum, silicon ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник | ||
| "... For the first time silicon was grown by means of directional crystallization and using ..." | ||
| Том 22, № 1 (2019) | О связи протонного облучения и термической обработки монокристаллического кремния с его структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов | ||
| "... of monocrystalline silicon obtained by implantation of hydrogen ions and subsequent thermal annealing, which is used ..." | ||
| 1 - 25 из 212 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
