Выпуск | Название | |
Том 19, № 1 (2016) | ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. И. Таперо | ||
"... This paper is a review on total ionizing dose effects in silicon semiconductor devices ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | РАДИАЦИОННО–ИНДУЦИРОВАННАЯ ДЕГРАДАЦИЯ КМОП–ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МОЩНОСТИ ДОЗЫ И ТЕМПЕРАТУРЫ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. И. Таперо, А. С. Петров, В. Н. Улимов | ||
"... irradiation at different dose rates and temperatures has been investigated. We show that such circuits can ..." | ||
Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
"... корпуса приборов с помощью пайки, в частности, эвтектикой золото—кремний, свинцовым припоем ПСр−2,5 или ..." | ||
Том 27, № 2 (2024) | Моделирование функционирования полупроводниковых приборов с учетом дефектов атомной структуры | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. К. Гайнуллин | ||
"... characteristics of semiconductor devices. Using the diffusion-drift model, the electrophysical characteristics ..." | ||
№ 1 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Л. Шульпина, В. А. Козлов | ||
"... -diffusion devices as initial material were studied by x-ray topography techniques. It was shown ..." | ||
Том 27, № 4 (2024) | Повышение стойкости электронных компонентов в системе индуктивного энергообеспечения имплантируемых медицинских приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. О. Гуров | ||
"... system of implantable medical devices. It has been established that the use of components with low ..." | ||
Том 25, № 3 (2022) | Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова | ||
№ 2 (2012) | АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков | ||
№ 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
"... and radiation strength of the devices exposed to γ−radiation in the range of doses of up to 2.94 • 106 mSv. ..." | ||
Том 19, № 1 (2016) | ТИПОВАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ−УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. К. Абгарян, В. А. Харченко | ||
"... of these devices requires modern methods of multilevel computer modeling implying various optimization techniques ..." | ||
Том 21, № 3 (2018) | Влияние замещения алюминием на поле эффективной магнитной анизотропии и степень магнитной текстуры анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов бария и стронция для подложек микрополосковых приборов СВЧ–электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Щербаков, А. Г. Налогин, В. Г. Костишин, А. А. Алексеев, Е. А. Белоконь, И. М. Исаев | ||
"... be sufficient for the production of substrates for microstrip microwave devices in millimeter−wave region ..." | ||
Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
статья Редакционная | ||
Том 24, № 1 (2021) | Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов | ||
"... Холла, изготовленного на основе тонкопленочного МОП транзистора. Анализ развития современной ..." | ||
Том 24, № 4 (2021) | Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. О. Петросянц, Д. С. Силкин, Д. А. Попов | ||
"... sizes, rib shape, or doping levels, on the electrical characteristics of the device is investigated. ..." | ||
№ 3 (2012) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева | ||
"... to gamma irradiation showed a much higher radiation resistance of this device compared with those ..." | ||
№ 3 (2012) | НОВЫЕ МЕТАЛЛОУГЛЕРОДНЫЕ НАНОКОМПОЗИТЫ И УГЛЕРОДНЫЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ПЕРСПЕКТИВНЫМИ СВОЙСТВАМИ ДЛЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. В. Кожитов, В. В. Козлов, А. В. Костикова, А. В. Попкова | ||
"... specific properties and can be used for manufacturing electronic, electrochemical and sensor devices ..." | ||
№ 3 (2013) | НОВЫЕ ГИБРИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДНЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. И. Аветисов, О. Б. Петрова, А. А. Аккузина, А. В. Хомяков, Р. Р. Сайфутяров, А. Г. Чередниченко, Т. Б. Сагалова, Н. А. Макаров, И. Х. Аветисов | ||
Том 18, № 1 (2015) | НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович | ||
"... that the frequency limit of these devices has already been reached. The nature of these frequency constraints arise ..." | ||
Том 22, № 3 (2019) | Детектор на «теплой жидкости» для измерения дозных профилей от ионизирующих излучений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Сиксин | ||
"... The use of “warm liquid” tetramethylsilane (TMS) in ionization chambers for measuring dose profiles ..." | ||
Том 23, № 1 (2020) | Материаловедческие вопросы термодинамического моделирования тонкопленочных твердотельных электрокалорических охладителей | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Г. Суханек, Л. Фельсберг, Г. Герлах | ||
"... Materials properties affecting EC device operation are discussed based on an analytically tractable ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
"... alloying method can be used in the technology of semiconductor device structures, provided ..." | ||
№ 4 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич | ||
"... device and process modeling system Silvaco ATHENA. It enables the use of models and calculation methods ..." | ||
Том 25, № 2 (2022) | Глубокая очистка теллура, цинка и кадмия для применения в электронике | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Абрютин, Е. В. Давыдова, М. А. Егоров, И. И. Марончук, Д. Д. Саникович | ||
Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
"... with a high aspect ratio in the contact and active areas of the devices during the formation of ohmic burned ..." | ||
Том 25, № 3 (2022) | Технология и термомеханика при выращивании трубчатых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Верезуб, Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко, А. И. Простомолотов, И. В. Силаев | ||
"... semiconductor devices is considered. The possibilities of Stepanov method for growing volumetric profiled ..." | ||
1 - 25 из 80 результатов | 1 2 3 4 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)