Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 22, № 1 (2019) | О связи протонного облучения и термической обработки монокристаллического кремния с его структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов | ||
| "... conductivity (ρ = 100 Om ⋅ cm) by orientation (111), 2 mm thick, implanted by protons with energy E = 200, 300 ..." | ||
| № 3 (2013) | ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова | ||
| "... X−ray diffraction (HDD). We show that sequential implantation of protons with energies of 100 + 200 ..." | ||
| № 2 (2012) | МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович, И. В. Щемеров, О. В. Торопова, Ю. Н. Пархоменко | ||
| "... in the temperature range 20—200 °С for films with resistivity at room temperature of about 0,03—15 Ohm cm ..." | ||
| № 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
| "... anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has ..." | ||
| № 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
| "... studied the magnetoresistance of these structures in the 2—300 K temperature range and in magnetic fields ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| № 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
| "... silicon wafers 100 mm in diameter rather than for small size samples often used to save silicon ..." | ||
| № 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
| "... as a result of the breakdown at the sample edges. The separating upper layer is not disturbed and retains ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова | ||
| "... «Silicon−on−insulator» (SOI) structures irradiated with Ar+ ions with an energy of 100 keV ..." | ||
| Том 28, № 1 (2025) | Быстрый термический отжиг в технологиях изготовления диодных и фотодиодных структур на основе кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ким, Н. А. Переведенцева, С. Ю. Юрчук, Ф. Д. Коржов | ||
| "... Cr, и кремния, что определяет применимость БТО для получения омических контактов на их основе. На ..." | ||
| Том 26, № 4 (2023) | Влияние легирования на оптические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, О. А. Бузанов | ||
| "... of the crystals have been measured on a Cary-5000 UV-Vis-NIR spectrophotometer in the 200–800 nm range. Absorption ..." | ||
| № 2 (2014) | НАНОЧАСТИЦЫ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫЕ НА ПОДЛОЖКАХ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Е. Кононова, А. С. Леньшин, М. Г. Аньчков, В. А. Мошников | ||
| "... was calculated using two methods at 300 °C in the frequency range from 1 Hz to 500 kHz. The sensor ..." | ||
| № 4 (2012) | ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов | ||
| "... The films have been deposited on the silicon subtracts with the (111) and (100) orientations ..." | ||
| Том 27, № 2 (2024) | Моделирование МГД-воздействия на течение расплава кремния в процессе Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов | ||
| "... . Mathematical model of hydrodynamic processes is considered in relation to silicon single crystal growth in 100 ..." | ||
| № 4 (2014) | СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов | ||
| "... on the surface of irradiated Si with average pore sizes of 150—180 nm, pore depth of about 100 nm and wall ..." | ||
| № 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
| "... and an average mesoporous silica layer 5—60 microns thick with a pore diameter of 100—150 nm. The second type ..." | ||
| № 4 (2012) | ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Г. Пашаев | ||
| "... We have investigated the fabrication of AuxTi100−x—nSi (where x is 10; 36; 87) and PbxSb100−x—nSi ..." | ||
| № 4 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОРОДНОСТИ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Ti, Al, Ni, Cr и Au НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Ванюхин, С. П. Кобелева, Ю. А. Концевой, В. А. Курмачев, Л. А. Сейдман | ||
| "... Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | «Кремний–2016»: ученые обсудили будущее электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Красин | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Т. В. Критская | ||
| "... производительности процессов получения поликристаллического кремния «солнечного» и полупроводникового качества ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
| "... to 100 micron in size in the multisilicon ingots grown at high crystallization speeds (1.5 cm/h) and low ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
| "... is observed after Si+ (100 keV, 1 ·1015 cm−2) ion implantation followed by high−temperature annealing ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов | ||
| "... is 200 nm. This effect leads to an increase in the effective carrier mobility and hence an increase ..." | ||
| Том 21, № 2 (2018) | Как обеспечить постоянную концентрацию примеси по высоте слитка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, F. Baltaretu | ||
| "... На основе исследования сегрегации при выращивании германия и кремния из тонкого слоя расплава с ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
| "... — at no more than 15 and 100 μA for 1,25 and 5 mm Т-gate width respectively (UG = –8 V and USD = 50 V). ..." | ||
| 1 - 25 из 186 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
