Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 20, № 2 (2017) | О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова | ||
| "... and the effective surface charge on InAs crystals under such layers has been studied. Anodic oxidation was performed ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Влияние сульфидной пассивации подложки на фотолюминесцентные свойства автоэпитаксиальных слоев InAs | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, А. В. Соломонов | ||
| "... of substrate sulfidisation on the quality of InAs epitaxial layers was assessed by comparing the relative area ..." | ||
| № 3 (2014) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров | ||
| "... A method of non−destructive contactless control of thickness of undoped autoepitaxial InAs layers ..." | ||
| № 4 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова | ||
| "... Results on the influence of Ge ion implantation into pyrogenic SiO2 on radiation charge ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев, А. Н. Колкий, С. Ю. Юрчук | ||
| "... -frequency C-V characteristics for MIS-structure with one-layer dielectric films: SiO2 (0,10 µm and 0,36 µm ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... for the heterostructures with the upper undoped i−AlGaN and i−GaN layers at thickness 15—25 A have been analyzed ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... The problem of choosing the architecture of buffer layers is considered. This is typical problem ..." | ||
| № 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко | ||
| "... of the nanoporous and nanotubular layers. The observed higher resistances of space charge region in the titanium ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
| "... and 40 mm in length grown by the modified floating zone technique from the charge of 79.8 at.% Si and 20 ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Евдокимов | ||
| "... Proposed the molecular-kinetic model of formation of layers from the gas phase, including complex ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов | ||
| "... that the coupling effect between the gates occurs in FHS if the thickness of the working layer between the gates ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев | ||
| "... A noncontact method for the determination of recombination parameters of p(n) layer local ranges ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян | ||
| "... heterostructures is presented. In this paper the authors formulated and solved The problem of the barrier layer ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, И. А. Михайлов, Л. А. Сейдман, Е. П. Кириленко, Ю. В. Колковский | ||
| "... to a change in the magnitude of polarization charges both at the insulator-AlGaN interface and at the AlGaN ..." | ||
| № 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин | ||
| "... The influence of the epitaxial layer features and so silicon-sapphire interface in SOS-structures ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..." | ||
| № 1 (2013) | ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух | ||
| "... -gap layers with elevated composition strongly affect on dependencies of the capacitance and the photo ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин | ||
| "... is not observed if on the back side of the plates there is mechanical gettering layer. The mechanism explaining ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова | ||
| "... periodic structures with pseudomorphic GeSiSn layers and GeSiSn island array have been obtained ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова | ||
| "... the maximum of projected ions length in the middle of the silicon layer and to minimize possible changes ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Влияние наночастиц Co–CoO на концентрацию носителей заряда в гибридной структуре на основе однослойного CVD графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Харченко, А. К. Федотов, С. А. Воробьева, А. О. Конаков, М. Д. Малинкович, М. В. Чичков, Н. А. Казимиров, Ю. А. Федотова, О. А. Ивашкевич | ||
| "... on the charge carrier concentration and carrier transport mechanisms in Co–CoO/graphene/SiO2 hybrid structures ..." | ||
| № 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
| "... This paper presents the method for obtaining hidden layers of porous and nonporous silicon ..." | ||
| № 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
| "... silicon layers synthesized by electrochemical anodic treatment in an electrolyte based on a 12 % aqueous ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин | ||
| "... piezoelectric charge in the AlGaN buffer layer. It is shown that the use of SiON films with an oxygen ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
| "... of the etching process from one layer to another and determining the end of the etching process ..." | ||
| 1 - 25 из 181 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
