Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 26, № 3 (2023) | Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, И. А. Михайлов, Л. А. Сейдман, Е. П. Кириленко, Ю. В. Колковский | ||
| "... The effect on the electrical parameters of the SiON/AlGaN/GaN structures of treatment of different ..." | ||
| Том 25, № 3 (2022) | Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова | ||
| "... plasma action during the deposition of a SiON film on the electrical parameters of SiON/AlGaN/GaN ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин | ||
| "... in the charge and density of states of AlGaN/GaN heterostructures are studied. The electrophysical parameters ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
| "... ) on the parameters of the high electron mobility transistors (HEMT) based on AlGaN/GaN heterostructures ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер, Ю. А. Концевой | ||
| "... films on the electrical parameters of the dielectric/AlGaN/GaN structure. The effect of the composition ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов | ||
| "... photoluminescence with the peak in the yellow spectral region for characterizing the quality of AlGaN/GaN/SiC ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... The aim of this work was to study the influence of the iron and carbon doping of the epitaxial GaN ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... A complex of studies of the AlGaN/GaN heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... transistors made of GaN/AlGaN/GaN/SiC heterostructures. Ohmic burning contacts were formed using ..." | ||
| № 4 (2013) | ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. И. Маняхин | ||
| "... results of research AlGaN/ InGaN/GaN of the structures are resulted. ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee | ||
| "... in the structural quality (dislocation density, density of dislocations agglomerates) of the GaN active layers ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Сейдман | ||
| "... coupled plasma). Silicon carbide consists of silicon and carbon which produce volatile fluorides ..." | ||
| № 1 (2012) | НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава | ||
| "... The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... have been presented. The AlGaN/GaN/Si heterostructures have been grown by MOCVD. We show that early ..." | ||
| № 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев | ||
| "... of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurements ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN | Аннотация похожие документы |
| Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова | ||
| "... of a mobile charge in the compensated layer p-i-n of transition of the diode on the basis of GaN is received ..." | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| "... The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been ..." | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман | ||
| "... Ti/Al/Ni/Au metallization widely used in the technology of GaN base devices have a very important ..." | ||
| № 2 (2014) | ПРОЦЕССЫ ВО ВРЕМЯ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Ti—Al—Ni И Ti—Al—Ni—Au | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман | ||
| "... The Ti/Al/Ni/Au metallization system which is widely used in the technology of GaN based devices ..." | ||
| № 2 (2013) | ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, Л. А. Сейдман | ||
| "... well as the transparent conducting electrode in the light emitting diodes based on GaN. ..." | ||
| Том 27, № 1 (2024) | Получение кремний-углеродных пленок методом плазмохимического осаждения с индукционным ассистированием | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Темиров, И. В. Кубасов, А. В. Турутин, Т. С. Ильина, А. М. Кислюк, Д. А. Киселев, Е. А. Скрылева, Н. А. Соболев, И. А. Салимон, Н. В. Батрамеев, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко | ||
| "... a plasma of vapors of silicon-carbon liquid injected into the chamber from an external source. Pure silicon ..." | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев | ||
| "... been conducted to assess the efficiency of plasma−chemical etching of (100) orientation single crystal ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Исследование влияния кратковременного воздействия кислородной и водородной плазмы на состав и структуру тонких пленок диоксида олова | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. М. Томпакова, А. А. Полисан | ||
| "... exposure to plasma on the composition and structure of thin films of tin dioxide obtained from a solution ..." | ||
| 1 - 25 из 46 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
