Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 27, № 2 (2024) | Моделирование функционирования полупроводниковых приборов с учетом дефектов атомной структуры | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. К. Гайнуллин | ||
| "... The paper studies the testing of modern numerical methods for studying the electrophysical ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов | ||
| "... MOS transistors has been studied. Analysis of the development of today’s microelectronics shows ..." | ||
| Том 23, № 4 (2020) | Самосинхронные схемы как база создания высоконадежных высокопроизводительных компьютеров следующего поколения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Зацаринный, Ю. А. Степченков, Ю. Г. Дьяченко, Ю. В. Рождественский | ||
| Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
| "... −power silicon transistors manufacturing with retention of their low thermal resistance. To this end we ..." | ||
| № 4 (2013) | О ВЛИЯНИИ ПОДСВЕТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦАМ CdTe | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Г. Белов, В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов | ||
| "... . Измерения электрофизических параметров проведены на образцах квадратной формы по методу Ван− ер−Пау в ..." | ||
| № 4 (2013) | СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский | ||
| "... . It means that influence of contacts must be taken into account when electrophysical data is analyzed. ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... and other defects of the epitaxial layers of the source and drain regions of the nitride HEMT transistors ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
| "... ) on the parameters of the high electron mobility transistors (HEMT) based on AlGaN/GaN heterostructures ..." | ||
| Том 27, № 1 (2024) | Электрофизические свойства, мемристивное и резистивное переключение в заряженных доменных стенках в ниобате лития | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Кислюк, И. В. Кубасов, А. В. Турутин, А. А. Темиров, А. С. Шпортенко, В. В. Куц, М. Д. Малинкович | ||
| "... films of LN are considered, and modern data on the electrophysical properties and methods ..." | ||
| № 1 (2014) | ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев | ||
| "... The efficient method of determining thermal parameters in high-power field-effect transistors has ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... A complex of studies of the AlGaN/GaN heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-GaAs, легированных теллуром | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев | ||
| "... and electrophysical measurements coincide if the electron density is Neq = 1.07 ⋅ 1018 cm-3, for lower values ..." | ||
| Том 24, № 3 (2021) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-InAs | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, И. Б. Парфентьева | ||
| "... the condition Nopt > NHall was relevant. The difference between optical and electrophysical electron ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, Н. Ю. Комаровский, И. Б. Парфентьева, Е. В. Чернышова | ||
| "... Optical and electrophysical properties of Cz-grown zinc doped p-GaAs samples have been ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин | ||
| "... in the charge and density of states of AlGaN/GaN heterostructures are studied. The electrophysical parameters ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Нестационарная модель массопереноса зарядов в самосогласованном электрическом поле для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Бусыгин, Б. Х. Габдулин, С. Ю. Удовиченко, Н. А. Шулаев, А. Д. Писарев, А. Х. А. Ибрагим | ||
| "... to determine the influence of temperature on the electrophysical properties of metal oxide memristors. ..." | ||
| № 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
| № 1 (2013) | ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух | ||
| "... Экспериментально исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев, А. Н. Колкий, С. Ю. Юрчук | ||
| "... with a KDB-4.5 and a KDB-5000 substrates. Some electrophysical parameters of the obtained films such as UFB ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов | ||
| "... of the ohimic contacts of RF transistors based on these heterostructures. This determines the reliability of GaN ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян | ||
| "... of manufacturing fieldeffect transistors. The developed tools of mathematical modeling and optimization can be used ..." | ||
| № 1 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Review on the book Nuclear Doping of Semiconductor Materials (second edition, revised) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| N. A. Sobolev | ||
| № 2 (2013) | СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ЗАРЯДОВОЙ ПОДКАЧКОЙ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Гусев, В. В. Старков, А. В. Тетерский | ||
| "... bipolar transistor is proposed. The results of experimental investigations converters light current ..." | ||
| 1 - 25 из 75 результатов | 1 2 3 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
