Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 4 (2014) | ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин | ||
| "... основе por−Si в виде гетероструктуры NiSi/por−Si/с−Si/Al позволяет улучшить их коррозионную стойкость к ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... электрофизические параметры выращенных на них эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN нитридных гетероструктур. В подложках ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович | ||
| "... , связанный с конструкцией приборов, а не со свойствами полупроводников. В частности, установлено, что ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин | ||
| "... Тонкие пленки нитрида алюминия часто применяют в качестве буферного слоя при выращивании ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | ТИПОВАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ−УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, В. А. Харченко | ||
| "... разработки является создание ряда типовых моделей гетероструктур, базирующихся, в том числе, на решении ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... Рассмотрены основные тенденции в развитии технологии гетероструктур нитридных соединений для ..." | ||
| Том 21, № 2 (2018) | Анализ диффузионных профилей фосфора в легированном галлием германии методом координатно-зависимой диффузии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, А. В. Турутин, С. Ю. Юрчук, В. М. Фомин | ||
| "... В работе анализируют профили распределения фосфора в германии в гетероструктуре In0.56Ga0.44P/Ge ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов | ||
| "... Шредингера—Пуассона, описывающих распределение плотности носителей заряда поперек гетероструктуры в различных ..." | ||
| Том 24, № 4 (2021) | Температурные исследования полевых датчиков Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, А. В. Леонов, Д. Л. Ревизников | ||
| "... Микроэлектроника относится к числу отраслей промышленности, которые в последние десятилетия ..." | ||
| № 1 (2012) | НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава | ||
| "... /AlGaN, выращенных на подложках AlN методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Пиковые длины волн находятся в ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов | ||
| "... гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью носителей заряда. Рассмотрен ..." | ||
| № 4 (2012) | РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба | ||
| "... электроотражения света для пленок и подложек, классической спектроскопии в области собственного поглощения пленок ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... гетероструктур с контролируемым уровнем механических напряжений и низкой плотностью дефектов в объеме и на ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... образованию гетероструктур SiC/Si, проведена методом газотранспортной эндотаксии в потоке водорода в ..." | ||
| Том 28, № 1 (2025) | Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0,16Ga0,84As | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Кузнецов, Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, В. Я. Костюченко, Д. И. Рогило, К. С. Журавлев | ||
| "... ∙см2 после вжигания при температуре 450 °C в течение 5 мин в атмосфере формовочного газа. Для ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, Б. В. Жалнин, О. В. Торопова, Т. В. Критская | ||
| "... фосфора в германий, легированный галлием. Методом ВИМС получены профили фосфора и галлия в германии ..." | ||
| Том 22, № 4 (2019) | Факторы, определяющие актуальность создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития России | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Зацаринный, К. К. Абгарян | ||
| "... В современном мире знания и высокие технологии определяют эффективность экономики, позволяют ..." | ||
| Том 23, № 4 (2020) | Актуальные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов в рамках цифровой трансформации общества | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Зацаринный, К. К. Абгарян | ||
| "... В статье рассмотрены основные аспекты значимости развития высокопроизводительной среды для научных ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... эпитаксиальных слоев в областях истока и стока нитридных транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер, Ю. А. Концевой | ||
| "... дополнительной обработки поверхности гетероструктур в плазме азота перед осаждением диэлектрика, а также влияния ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... Исследованы гетероструктуры AlGaN/ GaN, выращенные методом МOCVD на сапфировых и кремниевых ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... , а также однокристальная дифрактометрия. Показано, что легирование в процессе роста эпитаксиального ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин | ||
| "... В полевых транзисторах на основе широкозонных нитридных гетероструктур широко используются ..." | ||
| Том 21, № 4 (2018) | Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs | Аннотация похожие документы |
| М. В. Степушкин, В. Г. Костишин, В. Е. Сизов, A. Г. Темирязев | ||
| "... полупроводниковые гетероструктуры с двумерным электронным газом, в которых тем или иным способом сформированы ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... большей степени со сквозными токами утечки в барьерном слое, а на частотах 1—20 кГц с генерационно ..." | ||
| 1 - 25 из 26 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
