СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-143-147
Аннотация
Об авторах
А. Н. Терещенко
Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, научный сотрудник
Э. А. Штейнман
Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Россия
Россия
доктор физ.−мат. наук, ведущий научный сотрудник
А. А. Мазилкин
Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник
М. А. Хорошева
Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Россия
Россия
младший научный сотрудник
О. Конончук
SOITEC, Parc Technologique des Fontaines, Bernin, 38190, France
Россия
Россия
Список литературы
1. Kveder, V. Silicon light emitting diodes based on dislocation luminescemce/ V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schröter // Appl. Phys. Lett. − 2004. − V. 84, iss 12. − P. 2106—2108.
2. Vdovin, V. Mechanisms of dislocation network formation in Si(001) hydrophilic bonded wafers / V. Vdovin, O. Vyvenko, E. Ubyivovk, O. Kononchuk // Solid State Phenomena. − 2011. − V. 178−179. − P. 253—258.
3. Wilhelm, T. Regular dislocation networks in silicon. Part I: Structure / T. Wilhelm, T. Mchedlidze, X. Yu, T. Arguirov, M. Kittler, M. Reiche // Solid State Phenomena. − 2008. − V. 131−133. − P. 571—578. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.131−133.571
4. Rouviere, J. L. Huge differences between low− and high− angle twist grain boundaries: The case of ultrathin (001) Si films bonded to (001) Si wafers / J. L. Rouviere, K. Rousseau, F. Fournel, H. Moriceau // Appl. Phys. Lett. − 2000. − V. 77, iss. 8. − P. 1135—1137. DOI: 10.1063/1.1289656
5. Reiche,M.Dislocationnetworksformedbysiliconwaferdirectbonding/M.Reiche//MaterialsScienceForum.−2008.−V. 590. − P. 57—78. DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.590.57
6. Mchedlidze, T. Regular dislocation networks in Si. Part II: Luminescence/T.Mchedlidze,T.Wilhelm,X.Yu,T.Arguirov,G. Jia, M.Reiche,M.Kittler//SolidStatePhenomena.−2008.−V. 131−133. − P. 503—510. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.131−133.503
7. Steinman, E. Modification of dislocation PL centres due to misfit of bonded Si wafers / E. Steinman, A. Tereshchenko, O. Kononchuk, V. Vdovin // Physica Status Solidi C. − 2013. − V. 10, N 1. − P. 16—19
8. Steinman, E. A. Dependence of luminescence properties of bonded Si wafers on surface orientation and twist angle / E. A. Steinman, O. Kononchuk, A. N. Tereshchenko, A. A. Mazilkin // Solid State Phenomena. − 2010. − V. 156−158. − P. 555—560.
9. Bondarenko, A. Dislocation structure, electrical and luminescent properties of hydrophilically bonded silicon wafer interface / A. Bondarenko, O. Vyvenko, I. Kolevatov, I. Isakov, O. Kononchuk // Solid State Phenomena. − 2011. − V. 178−179. − P. 233—242.
10. Wagener, M. C. Electrical uniformity of direct silicon bonded wafer interfaces / M. C. Wagener, R. H. Zhang, W. Zhao, M. Seacrist, M. Ries, G. A. Rozgonyi // Solid State Phenomena. − 2008. − V. 131−133. − P. 321—326. DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.131−133.321
11. Dozsa, L. Point defects generated by direct−wafer bonding of silicon / L. Dozsa, B. Szentpali, D. Pasquariello, K. Hjort // J. Electronic Materials. − 2002. − V. 31, N 2. − P. 113—118.
12. Cavalcoli, D. Defect states in plastically deformed n−type silicon / D. Cavalcoli, A. Cavallini, E. Gombia // Phys. Rev. B. − 1997. − V. 56, N 16. − P. 10208—10214.
13. Kveder,V.DislocationsinsiliconandD−bandluminescence for infrared light emitters / V. Kveder, M. Kittler // Materials Science Forum. − 2008. − V. 590. − P. 29—56.
14. Kveder, V. Influence of the dislocation travel distance on the DLTS spectra of dislocations in Cz−Si / V. Kveder, V. Orlov, M. Khorosheva, M. Seibt // Solid State Phenomena. − 2008. − V. 131− 133. − P. 175—181.
Рецензия
Для цитирования:
Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Мазилкин А.А., Хорошева М.А., Конончук О. СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(2):143-147. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-143-147
For citation:
Tereshchenko A.N., Shteinman E.A., Mazilkin A.A., Khorosheva M.A., Kononchuk O. Structures and Electronic Properties of Defects on the Borders of Silicon Bonded Wafers. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(2):143-147. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-143-147
Просмотров: 751
Послать статью по эл. почте 