ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-44-48
Аннотация
Методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены субмикронные эпитаксиальные пленки карбида кремния на кремнии. Исследовано влияние температуры подложки на структурные свойства и морфологию поверхности экспериментальных образцов.
Ключевые слова
Об авторах
А. С. ГусевРоссия
кандидат физ.−мат. наук, заместитель директора института функциональной ядерной электроники
С. М. Рындя
Россия
младший научный сотрудник, сектор химии высоких энергий лаборатории супрамолекулярных систем и многокомпонентных конструкционных материалов научно−технического центра материаловедения
А. В. Зенкевич
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник кафедры «Физики твердого тела и наносистем»,
Н. И. Каргин
Россия
доктор техн. наук, профессор, начальник УРПИ
Д. В. Аверьянов
Россия
аспирант кафедры «Физики конденсированных сред»
М. М. Грехов
Россия
кандидат физ.−мат. наук, начальник научно−технического отдела управления развития перспективных исследований
Список литературы
1. Nishino, S. Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductors / S. Nishino, J. Powell, H. Will // Appl. Phys. Lett. – 1983. – V. 42, Iss. 5. – P. 460—462.
2. Кукушкин, С. А. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. – 2008. – Т. 50, вып. 7. – С. 1188—1195.
3. Fissel, A. MBE-growth of heteropolytypic low-dimensional structures of SiC / A. Fissel, U. Kaiser, B. Schrцter, J. KrдuЯlich, W. Richter // Thin Solid Films. – 2000. – V. 380. – P. 89—91.
4. Vendan, M. Ultra-short pulsed laser deposition and patterning of SiC thin films for MEMS fabrication / M. Vendan, P. Molian, А. Bastawros // Mater. Sci. in Semiconductor Processing. – 2005. – V. 8, Iss. 6. – P. 630—645.
5. Кукушкин, С. А. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Г. Жуков, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, М. А. Синицын, М. М. Рожавская, А. Ф. Цацульников, С. И. Трошков, Н. А. Феоктистов // Письма в ЖТФ. – 2012. – Т. 38, вып. 6. – С. 90—95.
6. Ghica, C. Growth and characterization of -SiC films obtained by fs laser ablation / C. Ghica // Appl. Surf. Sci. – 2006. – V. 252, Iss. 13. – P. 4672—4677
7. Ristoscu, C. Femtosecond pulse shaping for phase and morphology control in PLD: Synthesis of cubic SiC / C. Ristoscu // Ibid. – 2006. – V. 252, Iss. 13. – P. 4857—4862
8. Borman, V. D. Roughening of a Si(100) surface induced by the adsorption of oxygen near the solidoxide nucleation threshold / V. D. Borman, Yu. Yu. Lebedinskii, V. I. Troyan // J. Experimental and Theoretical Phys. – 1998. – V. 87, N. 1. – P. 133—145.
Рецензия
Для цитирования:
Гусев А.С., Рындя С.М., Зенкевич А.В., Каргин Н.И., Аверьянов Д.В., Грехов М.М. ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(2):44-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-44-48
For citation:
Gusev A.S., Ryndya S.M., Zenkevich A.V., Kargin N.I., Averyanov D.V., Grekhov M.M. RESEARCH OF MORPHOLOGY AND STRUCTURE OF 3C-SIC THIN FILMS ON SILICON BY ELECTRON MICROSCOPY AND X-RAY DIFFRACTOMETRY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(2):44-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-44-48