ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-44-48

Полный текст:


Аннотация

Методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены субмикронные эпитаксиальные пленки карбида кремния на кремнии. Исследовано влияние температуры подложки на структурные свойства и морфологию поверхности экспериментальных образцов.


Об авторах

А. С. Гусев
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия
кандидат физ.−мат. наук, заместитель директора института функциональной ядерной электроники


С. М. Рындя
ФГУП «НИФХИ им. Л. Я. Карпова»
Россия
младший научный сотрудник, сектор химии высоких энергий лаборатории супрамолекулярных систем и многокомпонентных конструкционных материалов научно−технического центра материаловедения


А. В. Зенкевич
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник кафедры «Физики твердого тела и наносистем»,


Н. И. Каргин
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия
доктор техн. наук, профессор, начальник УРПИ


Д. В. Аверьянов
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия
аспирант кафедры «Физики конденсированных сред»


М. М. Грехов
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия
кандидат физ.−мат. наук, начальник научно−технического отдела управления развития перспективных исследований


Список литературы

1. Nishino, S. Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductors / S. Nishino, J. Powell, H. Will // Appl. Phys. Lett. – 1983. – V. 42, Iss. 5. – P. 460—462.

2. Кукушкин, С. А. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. – 2008. – Т. 50, вып. 7. – С. 1188—1195.

3. Fissel, A. MBE-growth of heteropolytypic low-dimensional structures of SiC / A. Fissel, U. Kaiser, B. Schrцter, J. KrдuЯlich, W. Richter // Thin Solid Films. – 2000. – V. 380. – P. 89—91.

4. Vendan, M. Ultra-short pulsed laser deposition and patterning of SiC thin films for MEMS fabrication / M. Vendan, P. Molian, А. Bastawros // Mater. Sci. in Semiconductor Processing. – 2005. – V. 8, Iss. 6. – P. 630—645.

5. Кукушкин, С. А. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Г. Жуков, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, М. А. Синицын, М. М. Рожавская, А. Ф. Цацульников, С. И. Трошков, Н. А. Феоктистов // Письма в ЖТФ. – 2012. – Т. 38, вып. 6. – С. 90—95.

6. Ghica, C. Growth and characterization of -SiC films obtained by fs laser ablation / C. Ghica // Appl. Surf. Sci. – 2006. – V. 252, Iss. 13. – P. 4672—4677

7. Ristoscu, C. Femtosecond pulse shaping for phase and morphology control in PLD: Synthesis of cubic SiC / C. Ristoscu // Ibid. – 2006. – V. 252, Iss. 13. – P. 4857—4862

8. Borman, V. D. Roughening of a Si(100) surface induced by the adsorption of oxygen near the solidoxide nucleation threshold / V. D. Borman, Yu. Yu. Lebedinskii, V. I. Troyan // J. Experimental and Theoretical Phys. – 1998. – V. 87, N. 1. – P. 133—145.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Гусев А.С., Рындя С.М., Зенкевич А.В., Каргин Н.И., Аверьянов Д.В., Грехов М.М. ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(2):44-48. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-44-48

For citation: Gusev A.S., Ryndya S.M., Zenkevich A.V., Kargin N.I., Averyanov D.V., Grekhov M.M. RESEARCH OF MORPHOLOGY AND STRUCTURE OF 3C-SIC THIN FILMS ON SILICON BY ELECTRON MICROSCOPY AND X-RAY DIFFRACTOMETRY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(2):44-48. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-44-48

Просмотров: 310

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)