Для цитирования:

Ванюхин К.Д., Захарченко Р.В., Каргин Н.И., Сейдман Л.А. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ КОНТАКТОВ ИЗ ПЛЕНКИ ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(2):60-64. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-60-64

For citation:

Vanyukhin K.D., Zakharchenko R.V., Kargin N.I., Seidman L.A. PECULIARITY OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTING FILMS ON BASIS OF OXIDES INDIUM-TIN FOR CONTACTS ON GAN-BASED LIGHT EMITTING DIODES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(2):60-64. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-2-60-64