Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Научный рецензируемый журнал "Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники"

Журнал «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники» издается с 1998 г., публикует на русском языке оригинальные и обзорные (заказные) статьи и является одним из основных научно-технических журналов в области физики, материаловедения, а также развития наукоемких технологий микро- и наноэлектроники. На страницах журнала постоянно публикуются результаты научных исследований и обзоры по профильной тематике представителей ведущих научных школ России и других стран.

В состав редколлегии входят ведущие специалисты Российской Федерации в этих областях, а также ведущие зарубежные ученые, что позволяет на высоком уровне и с достаточной степенью объективности осуществлять отбор публикуемых статей по физическим и химическим проблемам современного материаловедения. Все публикуемые материалы проходят тщательную научную экспертизу, а затем утверждаются на заседаниях редколлегии журнала.

По решению ВАК Минобразования РФ журнал включен в «Перечень периодических и научно-технических изданий, выпускаемых в Российской Федерации, в которых рекомендуется публикация основных результатов диссертаций на соискание ученой степени доктора наук».

Журнал включен в полнотекстовую базу данных eLibrary.ru, индексируется в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ), Реферативном журнале и Базе данных ВИНИТИ.

С 2013 г. опубликованным в журнале статьям присваивается DOI.

Часть статей журнала переводится на английский язык издательством Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд) и ежегодно публикуется в «Russian Microelectronics» № 8.

Журнал «Russian Microelectronics» индексируется и реферируется в следующих базах данных: SCOPUS, INSPEC, Chemical Abstracts Service (CAS), Google Scholar, EBSCO, Academic OneFile, Academic Search, CSA Environmental Sciences, Current Contents Collections / Electronics & Telecommunications Collection, EI-Compendex, Gale, INIS Atomindex, OCLC, SCImago, Summon by ProQuest, Thomson Reuters (ISI).

Журнал зарегистрирован в Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (ПИ № ФС 77-59522 от 23.10.2014), предыдущее свидетельство № 016108 от 15.05.1997 (Минпечати РФ).

Индекс по каталогам «Пресса России» и «Урал Пресс» 47215.

Текущий выпуск

Том 24, № 3 (2021)
41
Аннотация

Методами рентгеноструктурного анализа и четырехзондового измерения электросопротивления изучена взаимосвязь структурно-фазового состояния и электрических характеристик пленок (FeCoZr)x(Pb0,81Sr0,04(Na0,5Bi0,5)0,15(Zr0,575Ti0,425)O3)100-x (30 ≤ x ≤ 85 ат. %), полученных в кислород-содержащей атмосфере (при давлении РO = (2,4-5,0)×10-3 Па).

Сравнительный комплексный анализ структурно-фазового состава, локального атомного порядка в наночастицах и электрических характеристик плёнок (FeCoZr)x(ЦТС)100-x (30 ат.% ≤ x ≤ 85 ат. %) и (FeCoZr)x(Al2O3)100-x (28 ат.% < ≤ 64 ат.%) впервые показал принципиальное влияние парциального давления кислорода РО при синтезе и доказал возможность стабилизации гранулированной наноструктуры плёнок (FeCoZr)x(ЦТС)100-x в результате формирования наночастиц со структурой типа «металлическое ядро-оксидная оболочка» (при РО=2,4×10-3 Па и 50 ат.% < x <  67 ат.%) либо полностью окисленных наночастиц (при РО ³ 3,7×10-3 Па и x ≤ 85 ат.%).

Материаловедение и технология. Полупроводники 

33
Аннотация

Разработана теоретическая модель, позволяющая определять концентрации свободных электронов в образцах n-InAs по характеристическим точкам на спектрах отражения в дальней инфракрасной области. Показано, что при этом необходимо учитывать плазмон-фононное взаимодействие ( в противном случае значение концентрации электронов оказывается завышенным). Получена расчётная зависимость концентрации электронов, Nопт, от характеристического волнового числа, n+, которая описывается полиномом третьей степени.

На двадцати одном образце арсенида индия, 5 из которых были легированы оловом, а 16 – серой, при комнатной температуре были проведены измерения концентрации электронов двумя способами: с помощью разработанного нами оптического метода, Nопт, и по традиционной четырёх контактной холловской методике (метод Ван дер Пау), Nхолл. Отражающие поверхности образцов обрабатывались двумя способами: с помощью химической полировки или шлифовки на мелкозернистом абразивном материале.

Показано, что для всех исследованных образцов выполняется условие: Nопт > Nхолл . Различие между оптическими и холловскими значениями концентрации электронов оказывается больше в случае полированной отражающей поверхности образца, чем в случае шлифованной поверхности.

Проведено сравнение полученных результатов с аналогичными данными, полученными ранее для образцов n-GaAs. Предложена качественная модель, объясняющая полученные экспериментальные результаты.

Материаловедение и технология. Диэлектрики 

37
Аннотация

Представлены результаты исследований структуры, пьезоэлектрических и диэлектрических свойств керамики цирконата-титаната свинца, модифицированной лантаном различной концентрации (PLZT). Установлено, что с повышением содержания La увеличивается размер зерен и средний размер доменов. В образцах PLZT 12/40/60 присутствуют домены как лабиринтно-подобные и периодические, так и разного латерального размера (от несколько сотен нанометров до 3 мкм в диаметре). Обнаружено, что с увеличением размеров доменов в образцах с большим содержанием лантана усиливается сигнал пьезоэлектрического отклика. Установлен факт существования участков на поверхности керамики PLZT х/40/60, имеющих внутреннее поле смещения, о чем свидетельствует асимметрия по оси напряжения петель остаточного пьезоэлектрического гистерезиса. В образцах PLZT 5/40/60 и PLZT 12/40/60 наблюдалась значительная дисперсия диэлектрической проницаемости ε(f) и максимум тангенса угла диэлектрических потерь в диапазоне частот от 105 до 106 Гц. Это связано с наличием ионной релаксационной поляризации. Установлено, что значение диэлектрической проницаемости заметно увеличивается с ростом La, что подтверждает возникновение жесткого униполярного состояния в зернах керамики PLZT 12/40/60. В исследуемых образцах на низких частотах измерительного поля наблюдается рост тангенса угла диэлектрических потерь, что связано с вкладом проводимости в tg δ. Построены зависимости фактора диэлектрических потерь ɛ” от диэлектрической проницаемости ɛ’. Они имеют вид диаграмм Коул—Коула, что свидетельствует о наличии спектра времен релаксации, при этом установлено, что в образцах PLZT 5/40/60 ширина спектра примерно в два раза меньше, чем в образцах PLZT 12/40/60.

Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов 

23
Аннотация

Структура течения и массоперенос в кристаллизаторах определяют уровень солевого пересыщения раствора вблизи поверхности кристаллизации. Однако экспериментальное определение такого пересыщения затруднительно. Поэтому актуально развитие адекватных численных моделей для исследования течения и массопереноса в реальных кристаллизаторах. Средствами моделирования исследовалась эффективность принципиально новых экспериментальных схем процесса для устойчивого роста кристаллов KDP.

Наноматериалы и нанотехнологии 

33
Аннотация

Методом ИК-пиролиза прекурсоров типа «полимер-соли металлов» были синтезированы металлоуглеродные нанокомпозиты FeCoAl/C. Изучено влияние температуры синтеза (ИК-нагрева) в диапазоне от 500 до 700 °С на структуру и состав полученных наноматериалов. Показано образование наночастиц тройного твердого раствора FeCoAl с ОЦК-типом кристаллической решетки на основе FeCo. Установлено, что с ростом температуры синтеза от 500 до 700 °С средний размер ОКР трехкомпонентных наночастиц увеличивается от 5 до 19 нм. Рост содержания алюминия от 20 до 30 % относительно Fe и Co приводит к уменьшению наночастиц до 15 нм, но при этом образуется также твердый раствор на основе кристаллической решетки ГЦК-Со. Показано, что с ростом температуры синтеза нанокомпозитов и росте относительного содержания Al за счет более глубокой карбонизации и структурообразующего воздействия металлов снижается степень аморфности углеродной матрицы нанокомпозитов и наблюдается формирование упорядоченной структуры кристаллитов графитоподобной фазы. Изучено влияние температуры синтеза и относительного содержания металлов на электромагнитные характеристики (комплексную диэлектрическую и магнитные проницаемости) полученных нанокомпозитов. Показано влияние условий синтеза на радиопоглощающие свойства, в частности на величину потерь на отражение (RL) в диапазоне 3-13 ГГц.

Физические свойства и методы исследования 

48
Аннотация

На текущий момент во всем мире наблюдается тенденция к увеличению диаметров монокристаллов как элементарных полупроводников, так и полупроводниковых соединений. Имеются сообщения, свидетельствующие об использовании монокристаллов соединений AIIIBV диаметром от четырех до шести дюймов. До настоящего времени в России были получены монокристаллы антимонида индия диаметром до 75 мм.

Антимонид индия является элементной базой наиболее широкой области твердотельной электроники – оптоэлектроники. На его основе изготавливаются линейные и матричные фотоприемники, работающие в спектральном диапазоне длин волн 3—5 мкм, которые используются в качестве смотрящего элемента в системах тепловидения.

В данной работе был проведен подбор тепловых условий выращивания и получены монокристаллы антимонида индия диаметром 100 мм в кристаллографическом направлении [100]. Решение поставленной задачи позволило существенным образов увеличить выход годных фотоприемных устройств.

Монокристаллы диаметром 100 мм выращивали методом Чохральского в двухстадийном процессе. Конструкция графитового теплового узла была увеличена и подобрана под рабочий тигель диаметром 150 мм и загрузку 4,5—5 кг.

Методом Ван дер Пау были измерены электрофизические свойства полученных монокристаллов, которые соответствовали стандартным параметрам нелегированного антимонида индия. С помощью оптического микроскопа проводился подсчет ямок травления по методу 9 полей. Плотность дислокаций в кристаллах диаметром 100 мм составляла ≤ 100 см-2 и соответствовала значениям для кристаллов 50 мм.

24
Аннотация

Ниобат лития (НЛ) – сегнетоэлектрический материал, обладающий широким спектром применения в оптике и акустике. Отжиг кристаллов НЛ в бескислородной среде приводит к появлению черной окраски и сопутствующему росту электропроводности за счет химического восстановления. В литературе представлено большое количество работ по изучению электрофизических свойств восстановленных кристаллов НЛ, однако контактным явлениям, возникающим при измерении электропроводности, а также вопросам взаимодействия материала электродов с исследуемыми образцами практически не уделяется внимания. В настоящей работе исследовано влияние электродов из хрома и оксида индия-олова (ITO) на результаты измерений при комнатной температуре электрофизических параметров образцов НЛ, восстановленных при 1100оС. Обнаружено, что существенные нелинейности на вольтамперных характеристиках (ВАХ) при напряжениях менее 5В не позволяют получить корректные значения удельного сопротивления НЛ. Это приводит к необходимости проводить измерения при более высоких напряжениях. Методом импедансной спектроскопии показано, что сильное влияние на результаты измерений оказывают емкости, в том числе образовавшиеся, вероятно, в приконтактных областях. Показано, что полученные результаты адекватно описываются моделью, предполагающей наличие приконтактных емкостей, подключенных параллельно собственной емкости образца. Описан возможный механизм образования таких емкостей, сделано предположение о существовании значительной плотности электронных состояний на границе раздела «электрод – образец», способных захватывать носители заряда, причем с увеличением времени отжига концентрация захваченных носителей возрастает. 

24
Аннотация

27 июля 2021 г. ушел из жизни член редколлегии нашего журнала Андрей Георгиевич Казанский — выдающийся ученый, доктор физико-математических наук, профессор, признанный специалист в области физики неупорядоченных полупроводников, фотовольтаики и фотоники.

Объявления

Еще объявления...


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.