Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Научный рецензируемый журнал "Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники"

Журнал «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники» издается с 1998 г., публикует на русском языке оригинальные и обзорные (заказные) статьи и является одним из основных научно-технических журналов в области физики, материаловедения, а также развития наукоемких технологий микро- и наноэлектроники. На страницах журнала постоянно публикуются результаты научных исследований и обзоры по профильной тематике представителей ведущих научных школ России и других стран.

В состав редколлегии входят ведущие специалисты Российской Федерации в этих областях, а также ведущие зарубежные ученые, что позволяет на высоком уровне и с достаточной степенью объективности осуществлять отбор публикуемых статей по физическим и химическим проблемам современного материаловедения. Все публикуемые материалы проходят тщательную научную экспертизу, а затем утверждаются на заседаниях редколлегии журнала.

По решению ВАК Минобразования РФ журнал включен в «Перечень периодических и научно-технических изданий, выпускаемых в Российской Федерации, в которых рекомендуется публикация основных результатов диссертаций на соискание ученой степени доктора наук».

Журнал включен в полнотекстовую базу данных eLibrary.ru, индексируется в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ), Реферативном журнале и Базе данных ВИНИТИ.

С 2013 г. опубликованным в журнале статьям присваивается DOI.

Часть статей журнала переводится на английский язык издательством Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд) и ежегодно публикуется в «Russian Microelectronics» № 8.

Журнал «Russian Microelectronics» индексируется и реферируется в следующих базах данных: SCOPUS, INSPEC, Chemical Abstracts Service (CAS), Google Scholar, EBSCO, Academic OneFile, Academic Search, CSA Environmental Sciences, Current Contents Collections / Electronics & Telecommunications Collection, EI-Compendex, Gale, INIS Atomindex, OCLC, SCImago, Summon by ProQuest, Thomson Reuters (ISI).

Журнал зарегистрирован в Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (ПИ № ФС 77-59522 от 23.10.2014), предыдущее свидетельство № 016108 от 15.05.1997 (Минпечати РФ).

Индекс по каталогам «Пресса России» и «Урал Пресс» 47215.

Текущий выпуск

Том 23, № 1 (2020)
74
Аннотация

В обзоре изложены основные достижения в области формирования бидоменной структуры и приповерхностных инверсных доменов в кристаллах одноосных сегнетоэлектриков ниобата лития и танталата лития. Проведен анализ методов формирования бидоменной структуры, кратко описаны способы контроля доменной структуры в кристаллах. Приведены основные физические модели, предложенные в литературе для объяснения эффекта образования инверсных доменов. Кратко перечислены способы выбора кристаллографического среза для создания устройств, в которых используются бидоменные кристаллы. Приведены примеры реализации устройств на основе бидоменных кристаллов – актюаторов, сенсоров, акустических преобразователей, систем сбора бросовой энергии.

48
Аннотация

Разработана теоретическая модель, позволяющая определять концентрацию свободных электронов в n-GaAs по характеристическим точкам на спектрах отражения в дальней инфракрасной области. Показано что при этом необходимо учитывать плазмон-фононное взаимодействие (в противном случае значение концентрации электронов оказывается завышенным). Получена расчётная зависимость концентрации электронов, Nопт . от характеристического волнового числа, n+, которая описывается полиномом второй степени.

На двадцати пяти образцах арсенида галлия, легированных теллуром, проведены измерения концентрации электронов двумя способами: по традиционной четырёхконтактной холловской методике (метод Ван дер Пау) и с помощью разработанного нами оптического метода (измерения проводились при комнатной температуре. По результатам экспериментов построена зависимость значений концентрации электронов, полученных из холловских данных, Nхолл , от значений концентрации электронов, полученных оптическим методом Nопт. Показано, что эта зависимость описывается линейной функцией. Установлено, что данные оптических и электрофизических измерений совпадают, если концентрация электронов равна  Nравн = 1.07 ´1018 см-3. При меньших значениях холловской концентрации Nхолл < Nопт , а при больших - Nхолл > Nопт.

Предложена качественная модель, объясняющая полученные результаты. Высказано предположение, что атомы теллура связываются с вакансиями мышьяка в комплексы, вследствие чего концентрация электронов  уменьшается. На поверхности кристалла концентрация вакансий мышьяка меньше и, следовательно, должно выполняться условие  Nопт > Nхолл. По мере увеличения уровня легирования всё больше атомов теллура остаётся электрически активными, поэтому концентрация электронов в объёме начинает превалировать над поверхностной концентрацией. Однако при дальнейшем увеличении уровня легирования отношение Nхолл / Nопт опять убывает, стремясь к единице. Это, по-видимому, связано с тем, что интенсивность распада комплексов «атом теллура + вакансия мышьяка» при увеличении уровня легирования уменьшается.

34
Аннотация
Изучено влияние термоциклирующих отжигов на степень кислородного упорядочения (параметр порядка) в монокристаллах YBa2Cu3O7-d. Установлено, что увеличение значений критической температуры начала перехода в сверхпроводящее состояние при этапных отжигах согласуется с уменьшениями параметра sс/sаb, что указывает на перераспределение электронной плотности между структурно–неоднородными плоскостями Cu2O2 и Cu1O1–dза счет формирования длинноцепочечного упорядочения кислорода в линейных группах O4-Cu1-O4 вдоль кристаллоструктурной оси (b) элементарной ячейки, и устранению кислородных дефектов в квадратных сетках плоскостей Cu(2)O2. Доказано, что существует критическая величина анизотропии электропроводности sс/sаb, ниже которой ее поведение не коррелирует с изменением Тс. В этом случае увеличение Тс и орторомбического искажения кристаллической структуры при изотермических отжигах является результатом усиления «межслойного» взаимодействия между плоскостями Cu(2)О2 и Cu(1)О1–d. В результате увеличивается вклад в электронную плотность состояния на уровне Ферми цепочечных слоев Cu(1)О1–d, которые могут быть сверхпроводящими за счет туннелирования куперовских пар из плоскостей Cu2О2, формируя в них наведенную сверхпроводимость.

Физические свойства и методы исследования

64
Аннотация

Экономическая целесообразность применения алюминия в качестве проводникового материала объясняется благоприятным соотношением его стоимости и стоимости меди. Немаловажным является и то, что стоимость алюминия в течение многих лет практически не меняется.

При использовании проводниковых алюминиевых сплавов для изготовления тонкой проволоки, обмоточного провода и т.д. могут возникнуть определённые сложности в связи с их недостаточной прочностью и малым числом перегибов до разрушения. В последние годы разработаны алюминиевые сплавы, которые даже в мягком состоянии обладают прочностными характеристиками, позволяющими использовать их в качестве проводникового материала.

Одним из перспективных направлений использования алюминия является электротехническая промышленность. Проводниковые алюминиевые сплавы типа E-AlMgSi (“алдрей”) являются представителями данной группы сплавов. В работе представлены результаты исследования температурной зависимости теплоемкости, коэффициента теплоотдачи и термодинамических функции алюминиевого сплава E-AlMgSi (“алдрей”) с висмутом. Исследования проведены в режиме «охлаждения».

Показано, что от температуры теплоемкость и изменений термодинамический функции сплава E-AlMgSi (“алдрей”) с висмутом увеличиваются, а значение энергия Гиббса уменьшается. Добавки висмута до 1мас.% уменьшают теплоемкость, коэффициент теплоотдачи, энтальпию и энтропию исходного сплава и увеличивают величину энергии Гиббса.
32
Аннотация

В статье представлен обзор известных люминесцентных материалов на основе галлата кальция CaGa2O4, излучающих в видимой и инфракрасной (ИК) области спектра. ИК-люминофоры исследованы мало, но их практическое применение представляет интерес. Твердофазным методом получены образцы CaGa2O4, активированные редкоземельными ионами Yb3+. Исследованы структурные и люминесцентные свойства состава CaGa2O4:Yb3+. При возбуждении CaGa2O4:Yb3+ излучением с длиной волны 940 и 980 нм зарегистрирована люминесценция в диапазоне 980-1100 нм. На основании данных о строении электронных уровней в ионах Yb3+ сделан вывод том, что возбуждение и излучение происходит непосредственно в ионах Yb3+ при пассивном участии решетки основания. В спектрах люминесценции имеется три максимума на длинах волн: 993 нм, 1025 нм, 1080 нм. Излучение в этих полосах обусловлено оптическими переходами электронов из возбужденного в основное состояние в ионах Yb3+. Изучена зависимость интенсивности люминесценции в полосе 993 нм от концентрации ионов активатора Yb3+. Установлено, что введение в состав люминофора ионов Na+ повышает интенсивность ИК-люминесценции. Предложен оптимальный состав люминофора (Ca1‑xyYbxNay)Ga2O4, при котором интенсивность люминесценции в полосе 993 нм максимальна.

Объявления

2020-06-01

II Международная конференция "Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов"

Уважаемые коллеги!

Приглашаем Вас принять участие
во II Международной конференции "Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов", которая будет проводиться с 19 по 21 октября 2020 г. в Москве на базе Федерального исследовательского центра "Информатика и управление" РАН.

2020-03-21

XIII Международная Конференция «Кремний-2020»

С 21 по 25 сентября 2020 г. в Ялте пройдет XIII Международная Конференция «Кремний-2020» и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
Еще объявления...


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.