Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Научный рецензируемый журнал "Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники"

Журнал «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники» издается с 1998 г., публикует на русском языке оригинальные и обзорные (заказные) статьи и является одним из основных научно-технических журналов в области физики, материаловедения, а также развития наукоемких технологий микро- и наноэлектроники. На страницах журнала постоянно публикуются результаты научных исследований и обзоры по профильной тематике представителей ведущих научных школ России и других стран.

В состав редколлегии входят ведущие специалисты Российской Федерации в этих областях, а также ведущие зарубежные ученые, что позволяет на высоком уровне и с достаточной степенью объективности осуществлять отбор публикуемых статей по физическим и химическим проблемам современного материаловедения. Все публикуемые материалы проходят тщательную научную экспертизу, а затем утверждаются на заседаниях редколлегии журнала.

По решению ВАК Минобразования РФ журнал включен в «Перечень периодических и научно-технических изданий, выпускаемых в Российской Федерации, в которых рекомендуется публикация основных результатов диссертаций на соискание ученой степени доктора наук».

Журнал включен в полнотекстовую базу данных eLibrary.ru, индексируется в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ), Реферативном журнале и Базе данных ВИНИТИ.

С 2013 г. опубликованным в журнале статьям присваивается DOI.

Журналу «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники» присвоена категория К2 в соответствии с методикой, разработанной ВАК Минобрнауки (письмо от 06.12.2022 г. № 02-1198) на основе анализа Перечня рецензируемых научных изданий https://vak.minobrnauki.gov.ru/uploader/loader?type=19&name=92263438002&f=14239 (№ 1024).

 

Избранные статьи журнала «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники» с 2015 по 2024 год переводились на английский язык и включались в журнал Modern Electronic Materials (издательская платформа ARPHA (PenSoft, Болгария)). Modern Electronic Materials, индексируется в Scopus (с июля 2023 г.), RSCI, РИНЦ, Chemical Abstracts, DOAJ, Altmetric, ASOS Indeks, BASE, British Library, Cabell's Directory, ChronosHub, CNKI, CrossRef, Dimensions, EBSCO Essentials, EBSCOhost, EZB, GALE Academic OneFile, GoOA, Google Scholar, iDiscover (University of Cambridge), JournalTOCs, LetPub, Library of Congress, LIVIVO, MIAR, NAVER, NAVIGA, OpenAIRE, OpenCitations, ProQuest, ProQuest Central, QOAM (Quality Open Access Market), ReadCube, ROAD, Scilit, Semantic Scholar, Sherpa/Romeo, SOLO (Search Oxford Libraries Online), Transpose, Ulrichsweb™, Unpaywall, WorldCat, ZDB, входит в "Белый список".

 

Журнал «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники» зарегистрирован Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Роскомнадзор) (ПИ № ФС 77-59522 от 23.10.2014), предыдущее свидетельство № 016108 от 15.05.1997 (Минпечати РФ).

Индекс по каталогам «Пресса России» и «Урал Пресс» 47215.

Текущий выпуск

Том 28, № 4 (2025)

Материаловедение и технология. Диэлектрики

101
Аннотация

Проведено комплексное исследование монокристаллов иодата лития (α-LiIO3), выращенных из маточных растворов методом изотермического испарения. Основное внимание уделено изучению микроструктуры, оптических и механических свойств, а также их анизотропии. Методами селективного химического травления и сканирующей зондовой микроскопии выявлена значительная неоднородность микроструктуры. Показано, что боковой прирост кристалла характеризуется аномально высокой плотностью дефектов (105—107 см-2) и повышенной шероховатостью поверхности (25 нм по сравнению с 2 нм в центральной части), а также сложной зонарной и секториальной структурой. Проведены детальные измерения микротвердости по Кнупу и Виккерсу на различных кристаллографических плоскостях. Обнаружена анизотропия твердости II рода: максимальные значения зафиксированы на пирамидальных гранях {10Ī1} (278—283 кгс/мм²), минимальные — на призматических {10Ī0} (221—248 кгс/мм²). На плоскости Z-среза анизотропия I рода отсутствует. Показано, что микротвердость уменьшается по высоте кристалла, что связано с градиентом концентрации микропримесей, максимальным в начале роста (в районе затравки). На основе анализа микроструктуры и секториального строения предложен механизм хрупкого разрушения кристалла при механическом воздействии (ударе) по границам секторов, обусловленный неоднородностью и скоплением дислокаций. Полученные результаты важны для понимания связи между условиями роста, микроструктурой и механическими свойствами кристаллов LiIO3, что расширяет возможности их практического применения в нелинейно-оптических устройствах и позволяет оптимизировать методы обработки.

Физические свойства и методы исследования

136
Аннотация

Исследована зависимость прочности паяного соединения Cu/Ni/Au|AuSn от условий процесса гальванического осаждения барьерного слоя никеля. Показано, что при использовании электролита на основе янтарной кислоты внедрение в осаждаемый слой малорастворимого сукцината никеля может снижать прочность паяного соединения. Ключевым фактором, контролирующим протекание указанного нежелательного процесса, является рН электролита. В данной работе предпринята попытка восстановить взаимосвязь между прочностью паяного соединения и условиями формирования барьерного слоя гальванического Ni. Были представлены графики зависимости усилия отрыва от рН электролита никелирования, изменения рН электролитов в зависимости от количества обрабатываемых деталей, расчетные равновесные концентрации комплексов никеля в электролите, влияющих на качество получаемого покрытия. С помощью метода математического моделирования проведена попытка прогнозирования перераспределения комплексов никеля при корректировании состава и рН электролита различными методами. Были сопоставлены расчеты с полученными на практике результатами прочности. Предложены подходы по снижению влияния отрицательного эффекта сукцината никеля.

129
Аннотация

Представлены результаты систематического исследования органических электролитов на основе пропиленкарбоната (ПК) с тетрафторборатами алкиламмония для применения в суперконденсаторах (СК), предназначенных для носимой электроники и самозаряжающихся источников питания. Актуальность исследования обусловлена требованием сочетать высокую удельную энергию СК, электрохимическую стабильность в широком температурном диапазоне и безопасность при эксплуатации, особенно в составе миниатюрных автономных устройств. В отличие от традиционно применяемого в электролитах СК ацетонитрила (АН), ПК нетоксичен и пожаробезопасен, однако его высокая вязкость ограничивает электропроводность электролитов, что делает критически важным выбор оптимальной соли-ионогена. Изучены свойства электролитов на основе ПК с тетрафторборатами тетраэтиламмония (TEA·TFB), метилтриэтиламмония (TEMA·TFB), спиро-(1,1')-бипирролидиния (SBP·TFB) и 1,1-диметилпирролидиния (DMP·TFB), различающимися размерами и строением катионов (ациклическое и циклическое). Все исследованные соли обеспечивают близкие емкостные характеристики ячеек СК, однако TEA·TFB демонстрирует несколько более низкие значения вследствие большего размера катиона. Ионогены с циклическими катионами — SBP·TFB и особенно DMP·TFB — обеспечивают существенно более широкие рабочие напряжения при повышенной до 85 ℃ температуре, тогда как электролиты с TEA·TFB и TEMA·TFB деградируют при температурах выше 60 ℃. Ресурсные испытания (до 70 000 циклов при температуре 50—95 ℃) подтвердили электрохимическую и термическую стабильность электролита DMP·TFB+ПК: ячейки СК с этим электролитом сохраняют 80 % емкости от первоначальной после 50 000 циклов гальваностатического заряда-разряда (ГЗР) и позволяют использовать рабочее напряжение до 3,0 В. Рекомендованный температурный диапазон эксплуатации СК с электролитом DMP·TFB+ПК составляет от 0 до 85 ℃ с возможностью кратковременного повышения температуры до 95 ℃; при температурах ниже 0 ℃ рост вязкости приводит к резкому снижению емкостных характеристик. Таким образом, электролит на основе ПК и соли DMP·TFB является перспективным для СК с точки зрения использования в устройствах носимой электроники.

Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов

20
Аннотация

В работе выполняется обучение межатомного CoreShell потенциала для молекулярной динамики на основе DFT расчетов для оксида гафния, для задач моделирования процесса динамики поляризации функционального слоя FeRAM с помощью полученного потенциала.

17
Аннотация

Разработана диффузионно-дрейфовая модель мемристивной композиции с тонкой сегнетоэлектрической пленкой титаната бария для проверки гипотезы о формировании и влиянии на электрофизические свойства гетероинтерфейса на границе с верхним электродом, обусловленного образованием тонкого слоя оксида кобальта, толщина которого может изменяться под действием электрического поля.

46
Аннотация

В современную эпоху полимерные композиционные материалы (ПКМ) являются материалами с благоприятным соотношением прочность–масса и высокой коррозионной стойкостью. Их надежность обеспечивается минимизацией внутренних дефектов и предотвращением процессов деградации. Для этого требуется проведение неразрушающего контроля как в производственных, так и в эксплуатационных процессах. В этой связи ряд широко применяемых методов неразрушающего контроля показал высокую эффективность. В исследованиях были изучены взаимосвязи между структурными, физическими и механическими параметрами ПКМ, наследуемые повреждения и задачи распределенного разрушения с использованием математического моделирования. Электромагнитные свойства волноводных структур моделировались методом матрицы 4×4 для оценки волноводных характеристик слоистых сред. Полученные результаты имеют теоретическое и практическое значение для контроля качества изделий из ПКМ и прогнозирования процессов разрушения.

21
Аннотация

В работе исследуется поведение электронного и дырочного кубита в монослое силигена (SiGe) с помощью пакета программ VASP, основанного на теории функционала плотности (DFT) и методе псевдопотенциала. Была рассчитана равновесная структура монослоя силигена с оптимальными геометрическими параметрами, зонная структура и ширина запрещенной зоны. Исследовано влияние дырочных состояний на электронную плотность и работу выхода. Полученные в работе результаты могут быть в дальнейшем использованы для проектирования и разработки вычислителей для квантового компьютера на основе данного материала. 

Объявления

Еще объявления...


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.