D. A. Kiselev
National Research University «MISiS»
Russian Federation

кандидат физ.−мат.наук, инженер кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков,  ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.,

R. N. Zhukov
National Research University «MISiS»
Russian Federation

аспирант, инженер кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

A. S. Bykov
National Research University «MISiS»
Russian Federation

ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»,119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

M. D. Malinkovich
National Research University «MISiS»
Russian Federation

кандидат физ.−мат. наук, доцент кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4,

Yu. N. Parkhomenko
National Research University «MISiS»
Russian Federation

доктор физ.−мат. наук, профессор, зав. кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.

Е. A. Выговская
National Research University «MISiS»
Russian Federation

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4.