ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-43-50

Полный текст:


Аннотация

Проанализированы возможности получения бездефектного слоя в пластинах бездислокационного монокристаллического кремния при быстром термическом отжиге (БТО). С помощью математического моделирования трехмерного напряженно−деформированного состояния и процессов дефектообразования в пластинах кремния большого диаметра при проведении БТО рассмотрены различные способы крепления пластин и определены возможности снижения напряженно−деформированного состояния пластины кремния.Для описания процессов дефек-тообразования при БТО предложена математическая модель, учитывающая диффузионно−рекомбинационные процессы вакансий и межузельных атомов кремния, а также образование вакансионных кластеров. На основе этой модели определены температурно−временны ′ е параметры процесса БТО (режим нагрева, время выдержки при максимальной температуре,скорость охлаждения пластины), соответствующие требуемому (обедненному у поверхности) профилю концентрации вакансий, плотности и размеру вакансионных кластеров по толщине пластины. Результаты расчетов верифицированы на тестовых образцах с помощью оптической и просвечивающей электронной микроскопии (ОМ и ПЭМ).


Об авторах

Ю. Б. Васильев
ОАО «Интеграл», Беларусь
Беларусь

ведущий инженер управления главного технолога, ОАО «Интеграл», 220108, Республика Беларусь, г. Минск, ул. Казинца И.П. д. 121А,



Н. А. Верезуб
Учреждение РАН Институт проблем механики им А. Ю. Ишлинского
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН, 119526, г. Москва, просп. Вернадского, д. 101, корп. 1,



М. В. Меженный
ГНУ «Институт химических проблем микроэлектроники»
Россия

зав.отделом диагностики, Государственное научное учреждение «Институт химических проблем микроэлектроники», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1 



В. С. Просолович
Белорусский государственный университет, Беларусь
Беларусь
кандидат физ.−мат. наук, зав. лаб, Белорусский госуниверситет, лаборатория спектроскопии полупроводников, 220030, Республика Беларусь, г. Минск, просп. Независимости, д. 4,


А. И. Простомолотов
Учреждение РАН Институт проблем механики им А. Ю. Ишлинского
Россия

доктор техн. наук, ведущий научный сотрудник, Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН, 119526, г. Москва, просп. Вернадского, д. 101, корп. 1,



В. Я. Резник
ГНУ «Институт химических проблем микроэлектроники»
Россия
старший научный сотрудник, Государственное научное учреждение «Институт химических проблем микроэлектроники», 119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д. 5, стр. 1,


Список литературы

1. Falster, R. Rapid thermal processing and control of oxygen precipitation behavior in silicon wafers / R. Falster, V. V. Voronkov // Mater. Sci. Forum. − 2008. − V. 573—574. − P. 45—60.

2. Мильвидский, М. Г. Современное состояние технологии полупроводникового кремния / М. Г. Мильвидский / Материаловедение. − 2006. − № 11. − С. 15—26.

3. Pat. USA N 6250914 / H. Katsumata, H. Ito, H. Takahashi, T. Ohashi, S. Tobashi, K. Iwata; 2000.

4. Pat. USA N 6032724 / M. Hatta; 1997.

5. Pat. USA N 5791895 / Н.−S. Kyung, W.−S. Choi, J.−H. Shin; 1996.

6. Pat. USA N 6002109 / K. E. Johnsgard, B. S.Mattson, J. McDiarmid; 1995.

7. Fisher, A. Slip−free processing of 300 mm silicon batch wafers / A. Fisher, G. Richter, W. Kurner, P. Kucher // J. Appl. Phys. − 2000. − V. 87. − P. 1543

8. Kulkarni, M. S. Dynamics of point defects and formation of microdefects in Czochralski crystal growth: modeling, simulation and experiments / M. S. Kulkarni, V. Voronkov, R. Falster // Electrochem. Soc. Proc. − 1998. − V. 98−1. − P. 468.

9. Prostomolotov, A. Thermal optimization of Cz bulk growth and wafer annealing for crystalline dislocation−free silicon / A. Prostomolotov, N. Verezub, M. Mezhennyi, V. Resnik // J. Cryst. Growth. − 2011. − V. 318, N 1. − P. 187—192.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Васильев Ю.Б., Верезуб Н.А., Меженный М.В., Просолович В.С., Простомолотов А.И., Резник В.Я. ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):43-50. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-43-50

For citation: Vasiliev Y.B., Verezub N.A., Mezhenniy M.V., Prosolovitch V.S., Prostomolotov A.I., Reznik V.Y. PECULIARITIES OF A DEFECT GENERATION DURING A HEAT TREATMENT OF LARGE DIAMETER DISLOCATION−FREE SILICON WAFERS WITH SPECIFIED DISTRIBUTION OF OXYGEN−CONTAINING GETTERING CENTRES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):43-50. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-43-50

Просмотров: 291

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)