Полноэкранный режим

Для цитирования: Васильев Ю.Б., Верезуб Н.А., Меженный М.В., Просолович В.С., Простомолотов А.И., Резник В.Я. ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(2):43-50. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-43-50

For citation: Vasiliev Y.B., Verezub N.A., Mezhenniy M.V., Prosolovitch V.S., Prostomolotov A.I., Reznik V.Y. PECULIARITIES OF A DEFECT GENERATION DURING A HEAT TREATMENT OF LARGE DIAMETER DISLOCATION−FREE SILICON WAFERS WITH SPECIFIED DISTRIBUTION OF OXYGEN−CONTAINING GETTERING CENTRES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(2):43-50. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-43-50

Просмотров: 276

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)