Послать статью по эл. почте 
ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-8-12
Аннотация
Электрохимическим травлением в растворах концентрированной плавиковой кислоты получены сквозные трехслойные структуры двух типов на пластинах монокристаллического кремния толщиной 500 мкм без применения дополнительных операций удаления монокристаллических слоев. Сквозная структура первого типа содержит крайние два слоя макропористого кремния толщиной 220—247,5 мкм с диаметром пор 7—10 мкм и средний слой мезопористого кремния толщиной 5—60 мкм с диаметром пор от 100 до 150 нм. Сквозная структура второго типа состоит из слоев макропористого кремния толщиной 250 мкм, смыкающихся в глубине пластины кремния посередине с образованием полостей размером 4—8 мкм. Разработана технология, которая позволяет более просто и надежно формировать монолитный каркас мембранно-электродного блока микротопливного элемента.
Об авторах
В. А. ЮзоваРоссия
профессор, кандидат техн. наук
Ф. Ф. Меркушев
Россия
аспирант
Е. А. Ляйком
Россия
студент, 660041, г. Красноярск, пр. Свободный, д. 79
Список литературы
1. Гринберг, В. А. Микротопливные элементы: современное состояние и перспективы развития / В. А. Гринберг, А. М. Скундин // Электрохимия. 2010. - Т. 46, № 9. - С. 1027—1043.
2. Забродский, А. Г. Микрои нанотехнологии для портативных топливных элементов / А. Г. Забродский, С. А. Гуревич, В. М. Кожевин, Е. В. Астрова, А. А. Нечитайлов, О. М. Сресели, Е. И. Теруков, М. Е. Компан // Альтернативная энергетика и экология. - 2007. - № 2. С. 54—59.
3. Pichonat, T. New protonconducting porous silicon membrane for small fuel cells / T. Pichonat, B. Gauthier Manuel, D. A. Hauden // Chem. Eng. J. - 2004. - V. 101. - P. 107—111.
4. Астрова, Е. В. Кремниевые технологии для микротопливных элементов / Е. В. Астрова, А. А. Нечитайлов, А. Г. Забродский // Альтернативная энергетика и экология. - 2007. - № 2. - С. 60—65.
5. Астрова, Е. В. Исследование деформаций и дефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния / Е. В. Астрова, В. В. Ратников, А. Д. Ременюк, И. Л. Шульпина // ФТП. - 2002. - Т. 36, вып. 9. - С. 1111—1121.
6. Бучин, Э. Ю. Влияние режимов обработки на морфологию и оптические свойства пористого кремния n-типа / Э. Ю. Бучин, А. В. Постников, А. В. Проказников, В. Б. Световой, А. Б. Чурилов // Письма в ЖТФ. - 1995. - Т. 21, вып. 1. - С. 60—65.
7. Бучин, Э. Ю. Управление морфологией пористого кремния n-типа / Э. Ю. Бучин, А. В. Проказников //ПЖТЭ. - 1997. -Т. 23, вып. 6. - С. 80—84.
8. Горячев, Д. Н. О механизме образования пористого кремния / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели //ФТП. -2000. - Т. 34, вып. 9. - С. 1130—1134.
Дополнительные файлы
Для цитирования: Юзова В.А., Меркушев Ф.Ф., Ляйком Е.А. ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(1):8-12. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-8-12
For citation: Yuzova V.A., Merkushev F.F., Lyaykom E.A. FORMATION OF CROSS-CUTTING STRUCTURES WITH DIFFERENT POROSITY ON THICK SILICON WAFERS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(1):8-12. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-8-12
Обратные ссылки
- Обратные ссылки не определены.
