НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-52-56

Полный текст:


Аннотация

Представлены результаты по созданию ультрафиолетовых светодиодов на основе гетеро-структур GaN/AlGaN, выращенных на подложках AlN методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Пиковые длины волн находятся в диапазоне 360—365 нм, ширина спектральной кривой составляет 10—13 нм, выходная оптическая мощность чипов светодиодов — 50 мВт при токе 350 мА.


Об авторах

А. А. Антипов
ООО «Нитридные кристаллы»
Россия

инженер, ООО«Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербургпросп. Энгельса, д. 27, корп. 5, 



И. С. Бараш
ООО «Нитридные кристаллы»
Россия

ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5.



В. Т. Бублик
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

доктор физ.-мат. наук, профессор, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4



С. Ю. Курин
ООО «Нитридные кристаллы» Академический университет Российской академии наук
Россия

аспирант Академического университета РАН, инженер, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5, 



Ю. Н. Макаров
ООО «Нитридные кристаллы»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, генеральный директор, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5



Е. Н. Мохов
ООО «Нитридные кристаллы»
Россия

доктор физ.−мат. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5



С. С. Нагалюк
ООО «Нитридные кристаллы»
Россия

аспирант, Физико−технический институт им. Иоффе, ин женер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5



А. Д. Роенков
ООО «Нитридные кристаллы»
Россия

ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп. 5



Т. Ю. Чемекова
ООО «Нитридные кристаллы»
Россия

кандидат хим. наук, ведущий инженер−технолог, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Эн-гельса, д. 27, корп. 5



К. Д. Щербачев
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4



Х. Хелава
ООО «Нитридные кристаллы»
Россия

Ph.D., главный конструктор, ООО «Нитридные кристаллы», 194156, г. Санкт−Петербург, просп. Энгельса, д. 27, корп.5



Список литературы

1. Макаров, Ю. Н. Подложка нитрида алюминия диаметром 2 дюйма для приборов оптоэлектроники / Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб: ФТИ им. Иоффе, 2011. − С. 59—62.

2. Поляков, А. Я. Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур / А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, И. А. Белогорохов, К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 2. − С. 58—62.

3. New semiconductor materials. Characteristics and properties: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/rintroduction.html

4. Chemekova, T. Yu. Sublimation growth of 2−inch diameter bulk AlN crystals / T. Yu. Chemekova, O. V. Avdeev, I. S. Barash, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. N. Makarov, M. G. Ramm, G. Davis, G. Huminic, H. Helava // Phys. status solidi (c). − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1612—1614.

5. Makarov, Yu. N. Experimental and theoretical analysis of sublimation growth of AlN bulk crystals / Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Yu. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava // J. Cryst. Growth. − 2008. − V. 310, N 5. − P. 881—886.

6. Курин, С. Ю. Получение AlGaN/GaN гетероструктур ультрафиолетовых светодиодов с длиной волны 360—365 нм методом хлоридно−гидридной эпитаксии / C. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, М. Г. Агапов, А. А. Антипов, Т. Ю. Чемекова, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия − структуры и приборы». − СПб : ФТИ им. Иоффе, 2011. − C. 180—181.

7. Bulashevich, K. A. Assessment of various LED structure designs for high−current operation / K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, Iss. 2. − P. S804—S806.

8. Usikov, A. Electrical and optical properties of thick highly doped p−type GaN layers grown by HVPE / A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Yu. Nikiforov, S. G. Sundaresan, S. J. Jeliazkov, A. V. Davydov // Ibid. − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1829—1831.

9. Булашевич, К. А. Моделирование оптоэлектронных приборов на основе нитридов III группы / К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. Ф. Мымрин // VI Межд. конф. «Химия твердого тела и современные микро− и нанотехнологии». − Кисловодск; Ставрополь : СевКавГТУ, 2006. − С. 510.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Антипов А.А., Бараш И.С., Бублик В.Т., Курин С.Ю., Макаров Ю.Н., Мохов Е.Н., Нагалюк С.С., Роенков А.Д., Чемекова Т.Ю., Щербачев К.Д., Хелава Х. НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(1):52-56. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-52-56

For citation: Antipov A.A., Barash I.S., Bublik V.T., Kurin S.Y., Makarov Y.N., Mokhov E.N., Nagalyuk S.S., Roenkov A.D., Chemekova T.Y., Scherbachev K.D., Helava H. NEW DIRECTIONS IN THE DEVELOPMENT OF ULTRAVIOLET LIGHT–EMITTING DIODE TECHNOLOGY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(1):52-56. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-52-56

Просмотров: 242

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)