ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-57-61

Полный текст:


Аннотация

Приведены результаты исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и электронной Оже−спектроскопии образцов нанокомпозита por−Si/SnOx с различными режимами термической обработки. Показано, что температурные обработки обуславливают увеличение глубины проникновения олова, а также повышение коэффициента стехиометрии х в соединении SnOx. Отжиг при температуре 600°С приводит к сильному прокислению пористой матрицы и, как следствие, к закупорке каналов для диффузии олова. Применение оптимальных режимов термообработок позволяет получать слои нанокомпозитов por−Si/SnOх с достаточной толщиной для их применения в газовых микросенсорах.


Об авторах

В. В. Болотов
Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН
Россия

доктор физ.−мат. наук, главный научный сотрудник, Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН, 644018, г. Омск, ул. 5−я Кордная, д. 29.



С. Н. Несов
Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН
Россия

младший научный сотрудник, Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН, 644018, г. Омск, ул. 5−я Кордная, д. 29.



П. М. Корусенко
Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН
Россия

аспирант, Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН, 644018, г. Омск, ул. 5−я Кордная, д. 29.



С. Н. Поворознюк
Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН
Россия

кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН, 644018, г. Омск, ул. 5−я Кордная, д. 29.



Список литературы

1. Amato, G. On the apparently anomalous response of porous silicon to nitrogen dioxide / G. Amato, L. Boarino, F. Bellotti // Appl. Phys. Lett. − 2004. − V. 85. − P. 4409—4411.

2. Gaburro, Z. Opposite effects of NO2 on electrical injection in porous silicon gas sensors / Z. Gaburro, C. Oton, L. Pavesi, L. Pancheri // Ibid. − 2004. − V. 84. − P. 4388—4390.

3. Meixner, H. Metal oxide sensors / H. Meixner, U. Lampe // Sensors and Actuators B. − 1996. − V. 33. − P. 198—202.

4. Kalantar−zadeh, К. Nanotechnology − Enabled sensors / К. Kalantar−zadeh, B. Fry − N. V. : Springer Science+ Bisiness Media, 2008. − 490 p.

5. Болотов, В. В. Влияние этанола на оптические и электрофизические параметры пористого кремния / В. В. Болотов, Ю. А. Стенькин, В. Е. Росликов, В. Е. Кан, И. В. Пономарева, С. Н. Несов // ФТП. − 2009. − Т. 43, № 7. − С. 957—961.

6. Болотов, В. В. Получение слоев нанокомпозита por−Si/SnOx для газовых микро− и наносенсоров / В. В. Болотов, П. М. Корусенко, С. Н. Несов, С. Н. Поворознюк, В. Е. Росляков, Е. А. Курдюкова, Ю. А. Стенькин, Р. В. Шелягин, Е. В. Князев, В. Е. Кан, И. В. Пономарева // Там же. − 2011. − Т. 45, № 5. − С. 702—707.

7. Болотов, В. В. Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния / В. В. Болотов, Ю. А. Стенькин, Н. А. Давлеткильдеев, О. В. Кривозубов, И. В. Пономарева // 2009. − Т. 43, № 1. − С. 100—104.

8. Davis, L. E. Handbook of auger electron spectroscopy / L. E. Davis, N. C. MacDonald, P. W. Palmberg, G. E. Riach, R. E. Weber − Minnesota: Physical Electronics Industries, 1986. − P. 142.

9. Wagner, C. D. Handbook of X−ray photoelectron spectroscopy / C. D. Wagner, W. M. Riggs, L. E. Davis, S. F. Moulder, G. E. Muilenberg − Eden Prairle (MN): Perkin−Elmer Corp., 1979. − P. 145.

10. Домашевская, Э. П. XPS− и XANES−исследования нанослоев SnOx / Э. П. Домашевская, С. В. Рябцев, С. Ю. Турищев, В. М. Кашкаров, Ю. А. Юраков, О. А. Чувенкова, А. В. Щукарев // Конденсированные среды и межфазные границы. − 2008. − Т. 10, № 2. − С. 98—108.

11. Buono−Core, G. E. Photochemical deposition of Pd−loaded and Pt−loaded tin oxide thin films / G. E. Buono−Core, G. A. Cabello, H. Espinoza // J. Chilean Chemical Society. − 2006. − V. 51, N 3. − P. 950—956.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Болотов В.В., Несов С.Н., Корусенко П.М., Поворознюк С.Н. ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(1):57-61. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-57-61

For citation: Bolotov V.V., Nesov S.N., Korusenko P.M., Povoroznyuk S.N. XPS PHASE COMPOSITION STUDY OF por−Si/SnOx NANOCOMPOSITE SAMPLES EXPOSED TO THERMAL OXIDATION. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(1):57-61. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-57-61

Просмотров: 208

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)