XPS PHASE COMPOSITION STUDY OF por−Si/SnOx NANOCOMPOSITE SAMPLES EXPOSED TO THERMAL OXIDATION
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-57-61
Abstract
Results of XPS and AES investigation of por−Si/SnOxnanocomposite samples after different modes of heat treatment have been presented. We show that thermaltreatment increases the penetration depth of tin and the stoichiometric coefficient x of the SnOx compound. However, annealing at 600 °C leads to a strong oxidation of the porous matrix and eventual blockage of the tin diffusion channels. Optimization of the heat treatment modes allows one to obtain nanocomposite layers with a sufficient thickness of the por−Si/SnOx nanocomposite for use in gas microsensors.
About the Authors
V. V. Bolotov
Omsk Branch, Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS
Russian Federation
Russian Federation
младший научный сотрудник, Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН, 644018, г. Омск, ул. 5−я Кордная, д. 29.
S. N. Nesov
Omsk Branch, Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS
Russian Federation
Russian Federation
младший научный сотрудник, Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН, 644018, г. Омск, ул. 5−я Кордная, д. 29.
P. M. Korusenko
Omsk Branch, Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS
Russian Federation
Russian Federation
аспирант, Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН, 644018, г. Омск, ул. 5−я Кордная, д. 29.
S. N. Povoroznyuk
Omsk Branch, Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS
Russian Federation
Russian Federation
кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН, 644018, г. Омск, ул. 5−я Кордная, д. 29.
References
1. Amato, G. On the apparently anomalous response of porous silicon to nitrogen dioxide / G. Amato, L. Boarino, F. Bellotti // Appl. Phys. Lett. − 2004. − V. 85. − P. 4409—4411.
2. Gaburro, Z. Opposite effects of NO2 on electrical injection in porous silicon gas sensors / Z. Gaburro, C. Oton, L. Pavesi, L. Pancheri // Ibid. − 2004. − V. 84. − P. 4388—4390.
3. Meixner, H. Metal oxide sensors / H. Meixner, U. Lampe // Sensors and Actuators B. − 1996. − V. 33. − P. 198—202.
4. Kalantar−zadeh, К. Nanotechnology − Enabled sensors / К. Kalantar−zadeh, B. Fry − N. V. : Springer Science+ Bisiness Media, 2008. − 490 p.
5. Болотов, В. В. Влияние этанола на оптические и электрофизические параметры пористого кремния / В. В. Болотов, Ю. А. Стенькин, В. Е. Росликов, В. Е. Кан, И. В. Пономарева, С. Н. Несов // ФТП. − 2009. − Т. 43, № 7. − С. 957—961.
6. Болотов, В. В. Получение слоев нанокомпозита por−Si/SnOx для газовых микро− и наносенсоров / В. В. Болотов, П. М. Корусенко, С. Н. Несов, С. Н. Поворознюк, В. Е. Росляков, Е. А. Курдюкова, Ю. А. Стенькин, Р. В. Шелягин, Е. В. Князев, В. Е. Кан, И. В. Пономарева // Там же. − 2011. − Т. 45, № 5. − С. 702—707.
7. Болотов, В. В. Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния / В. В. Болотов, Ю. А. Стенькин, Н. А. Давлеткильдеев, О. В. Кривозубов, И. В. Пономарева // 2009. − Т. 43, № 1. − С. 100—104.
8. Davis, L. E. Handbook of auger electron spectroscopy / L. E. Davis, N. C. MacDonald, P. W. Palmberg, G. E. Riach, R. E. Weber − Minnesota: Physical Electronics Industries, 1986. − P. 142.
9. Wagner, C. D. Handbook of X−ray photoelectron spectroscopy / C. D. Wagner, W. M. Riggs, L. E. Davis, S. F. Moulder, G. E. Muilenberg − Eden Prairle (MN): Perkin−Elmer Corp., 1979. − P. 145.
10. Домашевская, Э. П. XPS− и XANES−исследования нанослоев SnOx / Э. П. Домашевская, С. В. Рябцев, С. Ю. Турищев, В. М. Кашкаров, Ю. А. Юраков, О. А. Чувенкова, А. В. Щукарев // Конденсированные среды и межфазные границы. − 2008. − Т. 10, № 2. − С. 98—108.
11. Buono−Core, G. E. Photochemical deposition of Pd−loaded and Pt−loaded tin oxide thin films / G. E. Buono−Core, G. A. Cabello, H. Espinoza // J. Chilean Chemical Society. − 2006. − V. 51, N 3. − P. 950—956.
Review
For citations:
Bolotov V.V., Nesov S.N., Korusenko P.M., Povoroznyuk S.N. XPS PHASE COMPOSITION STUDY OF por−Si/SnOx NANOCOMPOSITE SAMPLES EXPOSED TO THERMAL OXIDATION. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(1):57-61. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-57-61
Views:
854
Email this article 