АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛА La3Ga5,3Ta0,5Al0,2O14


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-92-98

Полный текст:


Аннотация

Разработка и поиск новых перспективных материалов группы лантангаллиевого силиката с уникальными термическими свойствами имеет большое значение для развития акустоэлектроники на основе объемных
и поверхностных акустических волн. Процессы возбуждения и распространения поверхностных акустических волн в La3Ga5,3Ta0,5Al0,2O14 исследованы методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии на источнике синхротронного излучения BESSY II. На основе анализа дифракционных спектров акустически промодулированных кристаллов продемонстрировано, что интенсивности дифракционных сателлитов на кривой качания кристалла ЛГТА изменяются по осциллирующему закону с увеличением амплитуды входного сигнала на ВШП (увеличение амплитуды ПАВ). На основе анализа дифракционных спектров определены скорости распространения ПАВ в Y−срезе (V = 2220 м/с), X−срезе (V =  2340 м/с) и yxl/+36°−срезе кристалла ЛГТА (V = 2622 м/с). Проведено исследование распределения дифрагированной рентгеновской интенсивности по поверхности кристалла, промодулированного ПАВ, что позволило построить карту распределения акустического волнового поля на поверхности Y−, X− и yxl/+36°−срезов кристалла LGTA. Продемонстрировано, что в кристалле ЛГТА отсутствует снос потока акустической энергии в Y−срезе, а в X− и yxl/+36°−срезах снос потока акустической энергии составляет 6,3° и 4,0° соответственно. 


Об авторах

Д. В. Рощупкин
ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 6, Черноголовка, 142432, Россия
Россия

зам. директора по научной работе, доктор физ.− мат. наук



Д. В. Иржак
ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 6, Черноголовка, 142432, Россия
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник 



Е. В. Емелин
ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 6, Черноголовка, 142432, Россия
Россия

кандидат физ.−мат. наук, научный сотрудник 



С. А. Сахаров
ОАО «ФОМОС Материалс», ул. Буженинова, д. 16, Москва, 105023, Россия
Россия

старший научный сотрудник



А. Н. Забелин
ОАО «ФОМОС Материалс», ул. Буженинова, д. 16, Москва, 105023, Россия
Россия

старший научный сотрудник



Список литературы

1. Da Cunha, M. P. Investigation on recent quartz−like materials for SAW applications / M. Pereira da Cunha, S. A. Fagundes // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelec. Freq. Contr. − 1999. − V. 46. − P. 1583—1590.

2. Smythe, R. C. Langasite, langanite, and langatate bulk− wave Y−cut resonators / R. C. Smythe, R. C. Helmbold, G. E. Hague, K. A. Snow // Ibid. − 2000. − V. 47. − P. 355—360.

3. Fritze, H. Langasite for high−temperature bulk acoustic wave applications / H. Fritze, H. L. Tuller // Appl. Phys. Lett. − 2001. − V. 78. − P. 976—978.

4. Naumenko, N. Optimal cuts of langasite, La3Ga5SiO14 for SAW devices / N. Naumenko // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Contr. − 2001. − V. 48. − P. 530—537.

5. Roshchupkin, D. V. X−ray Bragg diffraction from langasite crystal modulated by surface acoustic wave / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, R. Tucoulou, O. A. Buzanov // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 6692—6696.

6. Roshchupkin, D. V. X−Ray topography analysis of acoustic wave fields in the SAW−resonators structures / D. V. Roshchupkin,H. D. Roshchupkina, D. V. Irzhak // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Contr. − 2005. − V. 52. − P. 2081—2087.

7. Roshchupkin, D. Diffraction of a focused x−ray beam from La3Ga5SiO14 crystal modulated by surface acoustic waves / D. Roshchupkin, D. Irzhak, A. Snigirev, I. Snigireva, L. Ortega, A. Sergeev // J. Appl. Phys. − 2011. − V. 110. − P. 124902(6).

8. Roshchupkin, D. V. X−ray diffraction analysis of the surface acoustic wave propagation in langatate crystal / D. V. Roshchupkin, A. I. Erko, L. Ortega, D. V. Irzhak // Appl. Phys. A. − 2009. − V. 94. − P. 477—484.

9. Tucoulou, R. X−ray diffraction from perfect silicon crystals distorted by surface acoustic waves / R. Tucoulou, R. Pascal, M. Brunel, O. Mathon, D. V. Roshchupkin, I. A. Schelokov, E. Cattan, D. Remiens // J. Appl. Cryst. − 2000. − V. 33. − P. 1019—1022.

10. Tucoulou, R. X−ray Bragg diffraction of LiNbO3 crystals excited by surface acoustic waves / R. Tucoulou, F. de Bergevin, O. Mathon, D. Roshchupkin // Phys. Rev. B. − 2001. − V. 64. − P. 134108(9).


Дополнительные файлы

Для цитирования: Рощупкин Д.В., Иржак Д.В., Емелин Е.В., Сахаров С.А., Забелин А.Н. АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛА La3Ga5,3Ta0,5Al0,2O14. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(2):92-98. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-92-98

For citation: Roshchupkin D.V., Irzhak D.V., Emelin E.V., Sakharov S.A., Zabelin A.N. Acoustic Properties of La3Ga5.3Ta0.5Al0.2O14 Crystal. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(2):92-98. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-92-98

Просмотров: 274

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)