Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001)

https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-148-151

Полный текст:

Об авторах

А. В. Колесников
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник 



Е. М. Труханов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

доктор физ.−мат. наук, ведущий научный сотрудник



А. С. Ильин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

инженер 



И. Д. Лошкарев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

кандидат физ.−мат. наук, младший научный сотрудник



Список литературы

1. Bolkhovityanov,Yu.B.GaAsepitaxyonSisubstrates:modern status of research and engineering / Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov // Phys. Usp. − 2008. − V. 51. − P. 437—456.

2. Nagai,H.Structureofvapor−depositedGaxIn1−xAscrystals / H. Nagai // J. Appl. Phys. − 1974. − V. 45. − P. 3789.

3. Auvray, P. Interface roughness of GaAs/AlAs superlattices MBE−grown on vicinal surfaces / P. Auvray, A. Poudoulec, M. Baudet, B. Guenais, A. Regreny, C. d’Anterroches, J. Massies // Appl. Surf. Sci. − 1991. − V. 50. − P.109.

4. Riesz, F. Crystallographic tilting in latticemismatched heteroepitaxy: A Dodson–Tsao relaxation approach / F. Riesz // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, N 8. − P. 4111.

5. Riesz, F. Crystallographic tilting in high−misfit (100) semiconductor heteroepitaxial systems / F. Riesz. // J. Vac. Sci. Technol. A. − 1996. − V. 14, N 2. − P. 425.

6. Van der Sluis, P. Determination of strain in epitaxial semiconductor layers by high−resolution X−ray diffraction / P. van der Sluis. // J. Phys. D: Appl. Phys. − 1993. − V. 26. − P. A188.

7. Kolesnikov, A. V. X−ray diffraction analysis of epitaxal film distortions on miscut substrates (001) / A. V. Kolesnikov, A. S. Ilin, E. M. Trukhanov, A. P. Vasilenko, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin // Bull. Rus. Acad. Sci.: Phys. − 2011. − V. 75, N 5. − P. 652.

8. Халл,Д.Введениевдислокации/Д.Халл.−М.:Атомиздат, 1968. − 280 c.

9. Trukhanov, E. M. Film quality effects associated with formation of misfit dislocations at semiconductor interfaces / E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov // Appl. Surf. Sci. − 1998. − V. 123/124. − P. 669.

10. Trukhanov, E. M. Properties of misfit dislocations and pseudodislocations not typical for homogeneous crystal defects / E. M. Trukhanov // Surface. − 2010. − N 1. − P. 43.


Рецензия

Для цитирования:


Колесников А.В., Труханов Е.М., Ильин А.С., Лошкарев И.Д. ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001). Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(2):148-151. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-148-151

For citation:


Kolesnikov A.V., Trukhanov E.M., Ilin A.S., Loshkarev I.D. Tilt Boundary Formation in GeSi/Si (001) Vicinal Heterosystem. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(2):148-151. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-148-151

Просмотров: 642


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)