ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001)


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-148-151

Полный текст:


Аннотация

Исследовано структурное состояние пленок GexSi1−x, выращенных на подложках Si вицинальной ориентации (1 1 13), отклоненной вокруг направления [11−0] на угол 6,2° от сингулярной ориентации (001). В пленках GexSi1−x содержание германия х в различных образцах составляло от 0,083 до 0,268. С помощью развитой авторами методики определения структурных параметров эпитаксиальных слоев по данным рентгеновской дифрактомерии проанализированы триклинные искажения, возникающие в кристаллической решетке пленки. Установлено, что в процессе эпитаксии решетка пленки поворачивается вокруг направления поверхностных ступеней в результате накопления в границе раздела дислокаций несоответствия, скользящих в плоскости (111). Дислокации с общим вектором Бюргерса типа а/2<110>, не параллельным границе раздела, формируют аналог малоугловой границы. Значение угла разворота ψ прямо пропорционально плотности дислокаций несоответствия. Природа этого явления связана с уменьшением симметрии границы раздела, что приводит к изменению эффективности снятия несоответствия дислокациями, принадлежащими к разным дислокационным семействам. Рассмотрено участие этих семейств в процессе образования малоугловой границы. Для направлений [13 13 2−] и [1−10], лежащих в границе раздела (1 1 13), определены экспериментальные значения углов разворота ψ и сдвиговой деформации. Представлено сравнение экспериментальных и расчетных значений ψ для направления [13 13 2−]. 


Об авторах

А. В. Колесников
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник 



Е. М. Труханов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

доктор физ.−мат. наук, ведущий научный сотрудник



А. С. Ильин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

инженер 



И. Д. Лошкарев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева, д. 13, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

кандидат физ.−мат. наук, младший научный сотрудник



Список литературы

1. Bolkhovityanov,Yu.B.GaAsepitaxyonSisubstrates:modern status of research and engineering / Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov // Phys. Usp. − 2008. − V. 51. − P. 437—456.

2. Nagai,H.Structureofvapor−depositedGaxIn1−xAscrystals / H. Nagai // J. Appl. Phys. − 1974. − V. 45. − P. 3789.

3. Auvray, P. Interface roughness of GaAs/AlAs superlattices MBE−grown on vicinal surfaces / P. Auvray, A. Poudoulec, M. Baudet, B. Guenais, A. Regreny, C. d’Anterroches, J. Massies // Appl. Surf. Sci. − 1991. − V. 50. − P.109.

4. Riesz, F. Crystallographic tilting in latticemismatched heteroepitaxy: A Dodson–Tsao relaxation approach / F. Riesz // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, N 8. − P. 4111.

5. Riesz, F. Crystallographic tilting in high−misfit (100) semiconductor heteroepitaxial systems / F. Riesz. // J. Vac. Sci. Technol. A. − 1996. − V. 14, N 2. − P. 425.

6. Van der Sluis, P. Determination of strain in epitaxial semiconductor layers by high−resolution X−ray diffraction / P. van der Sluis. // J. Phys. D: Appl. Phys. − 1993. − V. 26. − P. A188.

7. Kolesnikov, A. V. X−ray diffraction analysis of epitaxal film distortions on miscut substrates (001) / A. V. Kolesnikov, A. S. Ilin, E. M. Trukhanov, A. P. Vasilenko, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin // Bull. Rus. Acad. Sci.: Phys. − 2011. − V. 75, N 5. − P. 652.

8. Халл,Д.Введениевдислокации/Д.Халл.−М.:Атомиздат, 1968. − 280 c.

9. Trukhanov, E. M. Film quality effects associated with formation of misfit dislocations at semiconductor interfaces / E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov // Appl. Surf. Sci. − 1998. − V. 123/124. − P. 669.

10. Trukhanov, E. M. Properties of misfit dislocations and pseudodislocations not typical for homogeneous crystal defects / E. M. Trukhanov // Surface. − 2010. − N 1. − P. 43.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Колесников А.В., Труханов Е.М., Ильин А.С., Лошкарев И.Д. ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001). Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(2):148-151. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-148-151

For citation: Kolesnikov A.V., Trukhanov E.M., Ilin A.S., Loshkarev I.D. Tilt Boundary Formation in GeSi/Si (001) Vicinal Heterosystem. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(2):148-151. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-148-151

Просмотров: 282

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)