Для цитирования:
Колесников А.В., Труханов Е.М., Ильин А.С., Лошкарев И.Д. ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001). Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(2):148-151. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-148-151
For citation:
Kolesnikov A.V., Trukhanov E.M., Ilin A.S., Loshkarev I.D. Tilt Boundary Formation in GeSi/Si (001) Vicinal Heterosystem. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(2):148-151. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-148-151
Послать статью по эл. почте 