Determination of Indium Arsenide Autoepitaxial Layer Thickness by Fourier–Transform Infrared Spectroscopy
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-194-198
Abstract
A method of non−destructive contactless control of thickness of undoped autoepitaxial InAs layers on heavily−doped substrates by Fourier−transform infrared spectroscopy (FTIR) has been realized. The studied layers were grown by chloride−hydride epitaxy method in a vertical reactor. The thickness control method was based upon an analysis of interference patterns observed in infrared reflectance spectra. Recommendations on the choice of measurement spectral range optimal for the InAs structures have been made. The factors in consideration included minimal dispersion of the InAs refraction index, and specifics of the heavily−doped substrates’ reflectance. A good correlation between the results of the measurements and the data of metallographic analysis has been observed.
About the Authors
O. S. Komkov
Saint Petersburg Electrotechnical University «LETI», 5 Professora Popova Str., St. Petersburg 197376, Russia
Russian Federation
Russian Federation
Cand. Sci. (Phys.−Math.), Associate Professor of «Micro and Nanoelectronics»
D. D. Firsov
Saint Petersburg Electrotechnical University «LETI», 5 Professora Popova Str., St. Petersburg 197376, Russia
Russian Federation
Russian Federation
postgraduate student
E. A. Kovalishina
OJSC «National Research Institute «Electron», 68 Toreza Ave., St. Petersburg 194223, Russia
Russian Federation
Russian Federation
Postgraduate Student, Chemical Engineer
A. S. Petrov
OJSC «National Research Institute «Electron», 68 Toreza Ave., St. Petersburg 194223, Russia
Russian Federation
Russian Federation
Cand. Sci. (Eng.), Head of Laboratory
References
1. Ковтонюк, Н. Ф. Видиконы, чувствительные в средней инфракрасной области спектра, с фотомишенями на структурах полупроводник—диэлектрик / Н. Ф. Ковтонюк, В. П. Мисник, А. В. Соколов // Прикладная физика. − 2005. − No 6. − C. 134— 140.
2. Грама, Д. М. Автоэпитаксиальные структуры арсенида индия для ИК ФПУ. / Д. М. Грама, А. С. Петров, С. Д. Попов, Р. М. Степанов, Е. В. Чилаева // Изв. СПбГЭТУ ЛЭТИ. − 2008. −No 7.−C.13—18.
3. Ковалишина,Е.А.Химико−механическаяполировкаподложекавтоэпитаксиальныхструктурарсенидаиндия/Е. А. Ковалишина,Е.А.Нечаев,А.С.Петров//Физикаихимияобработки материалов. − 2013. − No 1. − C. 47—51.
4. Борн,М.Основыоптики/М.Борн,Э.Вольф.−М.:Наука, 1973. − 720 с.
5. Пихтин,А.Н.Рефракциясветавполупроводниках:Обзор / А. Н. Пихтин, А. Д. Яськов // Физика и техника полупроводников. − 1988. − Т. 22, вып. 6. − С. 969—991.
6. Пихтин, А. Н. Квантовая и оптическая электроника / А. Н. Пихтин. − М. : Абрис, 2012. − 656 с.
7. Батавин,В.В.Измерениепараметровполупроводниковых материаловиструктур/В.В.Батавин,Ю.А.Концевой,Ю. В. Федорович. − М. : Радио и связь, 1985. − 264 с.
8. Комков, О. С. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев AlxIn1−xSb из спектров отражения / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, С. И. Трошков, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов // Физика и техника полупроводников. − 2013. − Т. 47, вып. 2. − С. 264—269.
Review
For citations:
Komkov O.S., Firsov D.D., Kovalishina E.A., Petrov A.S. Determination of Indium Arsenide Autoepitaxial Layer Thickness by Fourier–Transform Infrared Spectroscopy. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(3):194-198. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-194-198
Views:
1246
Email this article 