СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-199-205

Полный текст:


Аннотация

Разработана методика синтеза и очистки триметил(фенил)силана PhSiMe3, позволяющая получать целевой продукт с высоким выходом. Индивидуальность соединения подтверждена элементным анализом на C, H, Si. ИК−, УФ− и ЯМР−спектроскопическими исследованиями (1Н, 13C, 29Si) определены его спектральные характеристики. С помощью комплексного термического анализа определены термоаналитические и термогравиметрические эффекты поведения PhSiMe3 в инертной атмосфере. На основе данных тензометрических исследований показано, что это соединение обладает достаточной летучестью и термической устойчивостью для использования в качестве прекурсора в процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD). Методом термодинамического моделирования определен состав и температурные границы возможных кристаллических фазовых комплексов в равновесии с газовой фазой различного состава. Рассчитанные CVD− диаграммы позволяют выбрать оптимальные условия процессов осаждения из газовой фазы пленок. Показана возможность использования PhSiMe3 в процессах CVD для получения диэлектрических пленок гидрогенизированного карбида кремния. 


Об авторах

Е. Н. Ермакова
Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, пр. Академика Лаврентьева, д. 3, Новосибирск, 630090, Россия
Россия


С. В. Сысоев
Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, пр. Академика Лаврентьева, д. 3, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

кандидат хим. наук, старший научный сотрудник



Л. Д. Никулина
Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, пр. Академика Лаврентьева, д. 3, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

кандидат хим. наук, старший научный сотрудник 



И. П. Цырендоржиева
Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского СО РАН, ул. Фаворского, д. 1, Иркутск, 664033, Россия
Россия

кандидат хим. наук, научный сотрудник 



В. И. Рахлин
Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского СО РАН, ул. Фаворского, д. 1, Иркутск, 664033, Россия
Россия

доктор хим. наук, профессор, ведущий научный сотрудник 



М. Л. Косинова
Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, пр. Академика Лаврентьева, д. 3, Новосибирск, 630090, Россия
Россия

кандидат хим. наук, зав. лабораторией



Ф. А. Кузнецов
Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, пр. Академика Лаврентьева, д. 3, Новосибирск, 630090, Россия
Россия


Список литературы

1. Shoji, Y. Hydrogenated amorphous silicon carbide optical waveguide for telecommunication wavelength applications / Y. Shoji, K. Nakanishi, Y. Sakakibara, K. Kintaka, H. M. Kawashima, M. Mori, T. Kamei // Appl. Phys. Express. − 2010. − V. 3, N 12. − P. 122201.

2. Cech,V.Mechanicalpropertiesofindividuallayersina−SiC : H multilayer film / V. Cech, R. Trivedi, D. Skoda // Plasma Process. Polym. − 2011. − V. 8. − P. 1107—1115.

3. Fanami, T. Electrical characterization of amorphous silicon carbide thin films deposited via polymeric source chemical vapor deposition / T. Fanami, N. Camire, C. Akcik, S. Gujrathi, M. Lessard, Y. Awad, E. Oulachgar, M. Scarlete // Thin Solid Films. − 2008. − V. 516. − P. 3755—3760.

4. Jeong,C.Preparationofborn−dopeda−SiC:Hthinfilmsby ICP−CVD method and to the application of large−area heterojunction solar cells / C. Jeong, Y. B. Kim, S. H. Lee, J. H. Kim // J. Nanosci. Nanotechnol. − 2010. − V. 10. − P. 3321—3325.

5. Wrobel, A. M. Thin a−SiC : H films formed by remote hydrogen microwave plasma CVD using dimethylsilane and trimethylsilane precursors / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski // Chem. Vap. Deposition. − 2014. − V. 20. − P. 112—117.

6. Wrobel, A. M. a−SiC : H films by remote hydrogen microwave plasma CVD from ethylsilane precursors / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski, B. Glebocki // Chem. Vap. Deposition. − 2013. − V. 19. − P. 242—250.

7. Wrobel, A. M. Hard a−SiC : H films formed by remote hydrogen microwave plasma chemical vapor deposition using a novel single−source precursor / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski, B. Glebocki // Thin Solid Films. − 2012. − V. 520. − P. 7100—7108.

8. Jones, A. C. Chemical vapour deposition: precursors, processes and applications / A. C. Jones, M. L. Hitchman. − London : RSC Publishing, 2009. − 582 p.

9. Рахлин, В. И. Характеризация некоторых триметил(органиламино)силанов — предшественников для получения пленок карбонитрида кремния / В. И. Рахлин, И. П. Цырендоржиева, М. Г. Воронков, Л. Д. Никулина, С. В. Сысоев, М. Л. Косинова // Физика и химия стекла. − 2010. − Т. 36, No 3. − С. 463—469.

10. Bellamy, L. J. The infrared spectra of complex molecules. Vol. 2. Advances in infrared group frequencies / L. J. Bellamy − London : Chapman and Hall, 1980. − 299 c.

11. Smith, A. L. Applied infrared spectroscopy fundamentals, techniques and analytical problem−solving / A. L. Smith. − Chichester (UK) : John Wiley and Sons, 1979. − 322 p.

12. Socrates, G. Infrared and raman characteristic group frequencies: tables and charts / G. Socrates. − Chichester ; New York ; Weinheim ; Brisbane ; Singapore ; Toronto : John Wiley and Sons, 2004. − 366 p.

13. Larkin, P. J. Infrared and raman spectroscopy; principles and spectral interpretation / P. J. Larkin. − San−Diego (CA, USA) : Elsevier, 2011. − 230 p.

14. Кузнецов, Ф. А. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов, М. Г. Воронков, В. О. Борисов, И. К. Игуменов, В. В. Каичев, В. Г. Кеслер, В. В. Кириенко, В. Н. Кичай, М. Л. Косинова, В. В. Кривенцев, М. С. Лебедев, А. В. Лис, Н. Б. Морозова, Л. Д. Никулина, В. И. Рахлин, Ю. М. Румянцев, Т. П. Смирнова, В. С. Суляева, С. В. Сысоев, А. А. Титов, Н. И. Файнер, И. П. Цырендоржиева, Л. И. Чернявский, Л. В. Яковкина. − Новосибирск : Изд−во СО РАН, 2013. − 175 с.

15. Kuznetsov,F.A.Databankofpropertiesofmicroelectronic materials / F. A. Kuznetsov, V. A. Titov, A. A. Titov, L. I. Chernyavskii // Proc. Inter. Symp. on Adv. Mater. − Jap., 1995. − P. 16—32.

16. Термодинамическиесвойстваиндивидуальныхвеществ. − М. : Наука, 1982. − Т. IV, кн. I. − 622 с.

17. Baklanov, M. Advanced Interconnects for ULSI Technology / M. Baklanov, P. S. Ho, E. Zschech (Eds.) − New York : John Wiley andSons,2012.−579p.

18. Wang, T. C. Comparison of characteristics and integration of copper diffusion−barrier dielectrics / T. C. Wang, Y. L. Cheng, Y. L. Wang, T. E. Hsieh, G.J. Hwang, C. F. Chen // Thin Solid Films. − 2006. − V. 498. − P. 36—42.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Ермакова Е.Н., Сысоев С.В., Никулина Л.Д., Цырендоржиева И.П., Рахлин В.И., Косинова М.Л., Кузнецов Ф.А. СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(3):199-205. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-199-205

For citation: Ermakova E.N., Sysoev S.V., Nikulina L.D., Tsyrendorzhieva I.P., Rakhlin V.I., Kosinova M.L., Kuznetsov F.A. Trimethyl(phenyl)silane — a Precursor for Gas Phase Processes of SiCx : H Film Deposition: Synthesis and Characterization. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(3):199-205. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-199-205

Просмотров: 249

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)