Для цитирования:

Ермакова Е.Н., Сысоев С.В., Никулина Л.Д., Цырендоржиева И.П., Рахлин В.И., Косинова М.Л., Кузнецов Ф.А. СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(3):199-205. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-199-205

For citation:

Ermakova E.N., Sysoev S.V., Nikulina L.D., Tsyrendorzhieva I.P., Rakhlin V.I., Kosinova M.L., Kuznetsov F.A. Trimethyl(phenyl)silane — a Precursor for Gas Phase Processes of SiCx : H Film Deposition: Synthesis and Characterization. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(3):199-205. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-199-205