СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H

Разработана методика синтеза и очистки триметил(фенил)силана PhSiMe3, позволяющая получать целевой продукт с высоким выходом. Индивидуальность соединения подтверждена элементным анализом на C, H, Si. ИК−, УФ− и ЯМР−спектроскопическими исследованиями (1Н, 13C, 29Si) определены его спектральные характеристики. С помощью комплексного термического анализа определены термоаналитические и термогравиметрические эффекты поведения PhSiMe3 в инертной атмосфере. На основе данных тензометрических исследований показано, что это соединение обладает достаточной летучестью и термической устойчивостью для использования в качестве прекурсора в процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD). Методом термодинамического моделирования определен состав и температурные границы возможных кристаллических фазовых комплексов в равновесии с газовой фазой различного состава. Рассчитанные CVD− диаграммы позволяют выбрать оптимальные условия процессов осаждения из газовой фазы пленок. Показана возможность использования PhSiMe3 в процессах CVD для получения диэлектрических пленок гидрогенизированного карбида кремния. 

1. Shoji, Y. Hydrogenated amorphous silicon carbide optical waveguide for telecommunication wavelength applications / Y. Shoji, K. Nakanishi, Y. Sakakibara, K. Kintaka, H. M. Kawashima, M. Mori, T. Kamei // Appl. Phys. Express. − 2010. − V. 3, N 12. − P. 122201.

2. Cech,V.Mechanicalpropertiesofindividuallayersina−SiC : H multilayer film / V. Cech, R. Trivedi, D. Skoda // Plasma Process. Polym. − 2011. − V. 8. − P. 1107—1115.

3. Fanami, T. Electrical characterization of amorphous silicon carbide thin films deposited via polymeric source chemical vapor deposition / T. Fanami, N. Camire, C. Akcik, S. Gujrathi, M. Lessard, Y. Awad, E. Oulachgar, M. Scarlete // Thin Solid Films. − 2008. − V. 516. − P. 3755—3760.

4. Jeong,C.Preparationofborn−dopeda−SiC:Hthinfilmsby ICP−CVD method and to the application of large−area heterojunction solar cells / C. Jeong, Y. B. Kim, S. H. Lee, J. H. Kim // J. Nanosci. Nanotechnol. − 2010. − V. 10. − P. 3321—3325.

5. Wrobel, A. M. Thin a−SiC : H films formed by remote hydrogen microwave plasma CVD using dimethylsilane and trimethylsilane precursors / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski // Chem. Vap. Deposition. − 2014. − V. 20. − P. 112—117.

6. Wrobel, A. M. a−SiC : H films by remote hydrogen microwave plasma CVD from ethylsilane precursors / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski, B. Glebocki // Chem. Vap. Deposition. − 2013. − V. 19. − P. 242—250.

7. Wrobel, A. M. Hard a−SiC : H films formed by remote hydrogen microwave plasma chemical vapor deposition using a novel single−source precursor / A. M. Wrobel, A. Walkiewicz−Pietrzykowska, P. Uznanski, B. Glebocki // Thin Solid Films. − 2012. − V. 520. − P. 7100—7108.

8. Jones, A. C. Chemical vapour deposition: precursors, processes and applications / A. C. Jones, M. L. Hitchman. − London : RSC Publishing, 2009. − 582 p.

9. Рахлин, В. И. Характеризация некоторых триметил(органиламино)силанов — предшественников для получения пленок карбонитрида кремния / В. И. Рахлин, И. П. Цырендоржиева, М. Г. Воронков, Л. Д. Никулина, С. В. Сысоев, М. Л. Косинова // Физика и химия стекла. − 2010. − Т. 36, No 3. − С. 463—469.

10. Bellamy, L. J. The infrared spectra of complex molecules. Vol. 2. Advances in infrared group frequencies / L. J. Bellamy − London : Chapman and Hall, 1980. − 299 c.

11. Smith, A. L. Applied infrared spectroscopy fundamentals, techniques and analytical problem−solving / A. L. Smith. − Chichester (UK) : John Wiley and Sons, 1979. − 322 p.

12. Socrates, G. Infrared and raman characteristic group frequencies: tables and charts / G. Socrates. − Chichester ; New York ; Weinheim ; Brisbane ; Singapore ; Toronto : John Wiley and Sons, 2004. − 366 p.

13. Larkin, P. J. Infrared and raman spectroscopy; principles and spectral interpretation / P. J. Larkin. − San−Diego (CA, USA) : Elsevier, 2011. − 230 p.

14. Кузнецов, Ф. А. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов, М. Г. Воронков, В. О. Борисов, И. К. Игуменов, В. В. Каичев, В. Г. Кеслер, В. В. Кириенко, В. Н. Кичай, М. Л. Косинова, В. В. Кривенцев, М. С. Лебедев, А. В. Лис, Н. Б. Морозова, Л. Д. Никулина, В. И. Рахлин, Ю. М. Румянцев, Т. П. Смирнова, В. С. Суляева, С. В. Сысоев, А. А. Титов, Н. И. Файнер, И. П. Цырендоржиева, Л. И. Чернявский, Л. В. Яковкина. − Новосибирск : Изд−во СО РАН, 2013. − 175 с.

15. Kuznetsov,F.A.Databankofpropertiesofmicroelectronic materials / F. A. Kuznetsov, V. A. Titov, A. A. Titov, L. I. Chernyavskii // Proc. Inter. Symp. on Adv. Mater. − Jap., 1995. − P. 16—32.

16. Термодинамическиесвойстваиндивидуальныхвеществ. − М. : Наука, 1982. − Т. IV, кн. I. − 622 с.

17. Baklanov, M. Advanced Interconnects for ULSI Technology / M. Baklanov, P. S. Ho, E. Zschech (Eds.) − New York : John Wiley andSons,2012.−579p.

18. Wang, T. C. Comparison of characteristics and integration of copper diffusion−barrier dielectrics / T. C. Wang, Y. L. Cheng, Y. L. Wang, T. E. Hsieh, G.J. Hwang, C. F. Chen // Thin Solid Films. − 2006. − V. 498. − P. 36—42.