ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-31-36

Полный текст:


Аннотация

Современный уровень развития вычислительной техники и программных средств позволяет осуществлять дистанционное моделирование физических процессов в технологических задачах с использованием сложных программных комплексов. Его преимущество состоит в том, что пользователи (Клиенты) комплекса выполняют всю творческую работу по подготовке и обработке расчетных данных на собственных компьютерах, а длительные вычисления осуществляют через Интернет−доступ на удаленном суперкомпьютере (Сервере), где находится программный комплекс. Представлены примеры, иллюстрирующие применение такого комплекса программ CrystmoNet к ряду задач, связанных с сопряженным моделированием физических процессов при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского. Они включают результаты сопряженных расчетов гидродинамических процессов в расплаве с учетом его кристаллизации и радиационно−кондуктивного теплопереноса во всем объеме ростового теплового узла, а также термоупругих напряжений и распределений собственных точечных дефектов в бездислокационном монокристалле кремния. 


Об авторах

А. И. Простомолотов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского Российской академии наук», просп. Вернадского, д. 101, корп. 1, Москва, 119526, Россия
Россия

доктор техн. наук, ведущий научный сотрудник



Н. А. Верезуб
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского Российской академии наук», просп. Вернадского, д. 101, корп. 1, Москва, 119526, Россия
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник



Х. Х. Ильясов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского Российской академии наук», просп. Вернадского, д. 101, корп. 1, Москва, 119526, Россия
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник



Список литературы

1. Prostomolotov, A. CrystmoNet remote access code for Czochralski crystal growth modelling / A. Prostomolotov, H. Ilyasov, N. Verezub // Sci. and Technol. − 2013, Special Iss. − P. 18—25.

2. Introduction to MSC.Marc and Mentat: MAR101 course notes. Msc.Software Inc. 2007. http://www.mscsoftware.com/training− materials

3. Virzi, A. Computer modelling of heat transfer in Czochralski siliconcrystalgrowth/A.Virzi//J.Cryst.Growth.−1991.−V. 112. − P. 699—722.

4. Гончаров, А. Л. Аппроксимация и численный метод решения трехмерных уравнений Навье−Стокса на ортогональных сетках / А. Л. Гончаров, М. Т. Девдариани, А. И. Простомолотов, И. В. Фрязинов // Математическое моделирование. − 1991. − Т. 3, No 5. − С. 89—109.

5. Ansys Fluent Tutorial Guide: Release 14.0. Ansys Inc. 2011. http://www.ansys.com/Products/Simulation+Technology/ Fluid+Dynamics

6. Mokhtari, F. Combined effects of crucible geometry and Marangony convection on silicon Czochralski crystal growth / F. Mokhtari,A.Bouabdallah,M.Zizi,S.Hanchi,A.Alemany//Cryst. Res. and Technol. − 2009. − V. 44, N 8. − P. 787—799.

7. Верезуб, Н. А. Взаимодействие собственных точечных дефектов при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского / Н. А. Верезуб, В. В. Воронков, М. Г. Мильвидский, А. И. Простомолотов // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. − 2001. − No 10. − С. 15—20.

8. Tecplot 360: User’s Manual. Tecplot Inc. 2009. http://www. tecplot.com/support/documentation


Дополнительные файлы

Для цитирования: Простомолотов А.И., Верезуб Н.А., Ильясов Х.Х. ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(1):31-36. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-31-36

For citation: Prostomolotov A.I., Verezub N.A., Ilyasov K.K. Remote and Conjugated Modeling of Heat–Mass Transfer and Defect Formation in Technological Processes. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(1):31-36. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-31-36

Просмотров: 403

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)