ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-31-36
Аннотация
Современный уровень развития вычислительной техники и программных средств позволяет осуществлять дистанционное моделирование физических процессов в технологических задачах с использованием сложных программных комплексов. Его преимущество состоит в том, что пользователи (Клиенты) комплекса выполняют всю творческую работу по подготовке и обработке расчетных данных на собственных компьютерах, а длительные вычисления осуществляют через Интернет−доступ на удаленном суперкомпьютере (Сервере), где находится программный комплекс. Представлены примеры, иллюстрирующие применение такого комплекса программ CrystmoNet к ряду задач, связанных с сопряженным моделированием физических процессов при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского. Они включают результаты сопряженных расчетов гидродинамических процессов в расплаве с учетом его кристаллизации и радиационно−кондуктивного теплопереноса во всем объеме ростового теплового узла, а также термоупругих напряжений и распределений собственных точечных дефектов в бездислокационном монокристалле кремния.
Ключевые слова
Об авторах
А. И. ПростомолотовРоссия
доктор техн. наук, ведущий научный сотрудник
Н. А. Верезуб
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник
Х. Х. Ильясов
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник
Список литературы
1. Prostomolotov, A. CrystmoNet remote access code for Czochralski crystal growth modelling / A. Prostomolotov, H. Ilyasov, N. Verezub // Sci. and Technol. − 2013, Special Iss. − P. 18—25.
2. Introduction to MSC.Marc and Mentat: MAR101 course notes. Msc.Software Inc. 2007. http://www.mscsoftware.com/training− materials
3. Virzi, A. Computer modelling of heat transfer in Czochralski siliconcrystalgrowth/A.Virzi//J.Cryst.Growth.−1991.−V. 112. − P. 699—722.
4. Гончаров, А. Л. Аппроксимация и численный метод решения трехмерных уравнений Навье−Стокса на ортогональных сетках / А. Л. Гончаров, М. Т. Девдариани, А. И. Простомолотов, И. В. Фрязинов // Математическое моделирование. − 1991. − Т. 3, No 5. − С. 89—109.
5. Ansys Fluent Tutorial Guide: Release 14.0. Ansys Inc. 2011. http://www.ansys.com/Products/Simulation+Technology/ Fluid+Dynamics
6. Mokhtari, F. Combined effects of crucible geometry and Marangony convection on silicon Czochralski crystal growth / F. Mokhtari,A.Bouabdallah,M.Zizi,S.Hanchi,A.Alemany//Cryst. Res. and Technol. − 2009. − V. 44, N 8. − P. 787—799.
7. Верезуб, Н. А. Взаимодействие собственных точечных дефектов при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского / Н. А. Верезуб, В. В. Воронков, М. Г. Мильвидский, А. И. Простомолотов // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. − 2001. − No 10. − С. 15—20.
8. Tecplot 360: User’s Manual. Tecplot Inc. 2009. http://www. tecplot.com/support/documentation
Рецензия
Для цитирования:
Простомолотов А.И., Верезуб Н.А., Ильясов Х.Х. ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(1):31-36. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-31-36
For citation:
Prostomolotov A.I., Verezub N.A., Ilyasov Kh.Kh. Remote and Conjugated Modeling of Heat–Mass Transfer and Defect Formation in Technological Processes. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(1):31-36. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-31-36