Для цитирования:

Тыныштыкбаев К.Б., Рябикин Ю.А., Токмолдин С.Ж., Ракыметов Б.А., Айтмукан Т., Абдуллин Х.А. О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(1):31-36. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-31-36

For citation:

Tynyshtykbayev K.B., Ryabikin Y.A., Tokmoldin S.Z., Rakymetov B.A., Aytmukan T., Abdullin H.A. BOUNDARY PROCESSES IN ELECTROLYTE — SILICON INTERFACE AREA DURING SELF–ORGANIZATION OF MOSAIC STRUCTURE OF 3D–ISLANDS OF POROUS SILICON NANOCRYSTALLITES AT LONG–TERM ANODE ETCHING OF P–SI (100) IN ELECTROLYTE WITH AN INTERNAL SOURCE OF CURRENT. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(1):31-36. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-31-36