ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-133-136
Аннотация
Дислокационные скопления важны в процессах зарождения и распространения деформации в моно− и поликристаллах. Именно они, в основном, приводят к образованию и росту трещин. С дислокационными скоплениями часто связывают прерывистость пластической деформации и деградацию внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов.
Представлена динамическая математическая модель образования дислокационного скопления источником Франка—Рида. Модель построена в вязкой, изотропной среде с использованием методов континуальной теории, и позволяет, кроме структурных свойств, определить временные характеристики образующихся скоплений. Приведены результаты исследования полученных скоплений дислокаций: конфигурации дислокаций в скоплении, зависимости числа дислокаций в заблокированном скоплении от внешнего напряжения, время образования новых дислокационных петель, а также время до блокировки источника обратным напряжением, дислокаций скопления. Проведено сравнение полученных результатов для скоплений, образованных источником Франка—Рида, с результатами для скоплений прямолинейных краевых дислокаций. Учет взаимодействия дислокаций скопления требует значительных вычислительных ресурсов. Для ускорения расчетов применено распараллеливание вычислений с использованием вычислительного 38 ядерного кластера Т−Edge−10.
Ключевые слова
Об авторах
В. В. Благовещенский
Костромской государственный университет им. Н. А. Некрасова
Россия
Россия
профессор, доктор физ.−мат. наук, доцент,
ул. 1 Мая, д.14, Кострома, 156961
И. Г. Панин
Костромской государственный технологический университет
Россия
Россия
профессор, доктор техн. наук, доцент,
ул. Дзержинского, д. 17, Кострома, 156005
Д. С. Андрианов
Костромской государственный технологический университет
Россия
Россия
аспирант,
ул. Дзержинского, д. 17, Кострома, 156005
С. Н. Суслина
Костромской государственный технологический университет
Россия
Россия
ассистент,
ул. Дзержинского, д. 17, Кострома, 156005
Список литературы
1. Хирт, Дж. Теория дислокаций / Дж. Хирт, И. Лоте. − М. : Атомиздат, 1972. − 600 с.
2. Предводителев, А. А. Физика кристаллов с дефектами / А. А. Предводителев, Н. А. Тяпунина, Г. М. Зиненкова, Г. В. Бушуева. − М. : Изд−во МГУ, 1986. − 260 с.
3. Akarapu, S. Dislocation pile−ups in stress gradients revisited / S. Akarapu, J. P. Hirth // Acta Materialia. − 2013. − V. 61, N 10. − P. 3621—3629.
4. Нацик, В. Д. Акустическая эмиссия при образовании дислокационного скопления источником Франка—Рида / В. Д. Нацик, К. А. Чишко // Физика твердого тела. − 1978. − Т. 20, № 7. − С. 1933—1936.
5. Шибков, А. А. Макролокализация пластической деформации при прерывистой ползучести алюминий−магниевого сплава АМг6 / А. А. Шибков, А. Е. Золотов, М. А. Желтов, А. А. Денисов, М. Ф. Гасанов // Журнал технической физики. − 2014. − Т. 84, № 4. − С. 41—47.
6. Шибков, А. А. Морфологический переход от евклидовой к фрактальной форме полосы Людерса в алюминий−магниевом сплаве АМг6 / А. А. Шибков, А. Е. Золотов, М. А. Желтов, А. А. Денисов // Физика твердого тела. − 2011. − Т. 53, № 5. − С. 833—840.
7. Шмидт, Н. М. Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии / Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. В. Сахаров, С. Ю. Курин, А. А. Антипов, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, Ю. Н. Макаров, Н. Helava // Письма в журнал технической физики. − 2014. − Т. 40, № 13. − С. 73—80.
8. Хемминг, Р. В. Численные методы / Р. В. Хемминг. − М. : Наука, 1968. − 400 с.
9. Благовещенский, В. В. Увеличение скорости пластической деформации под действием ультразвука / В. В. Благовещенский, И. Г. Панин // Физика металлов и металловедение. − 2007. − Т. 103, № 4. − С. 445—448.
10. Благовещенский, В. В. Исследование модели дислокационного источника Франка—Рида / В. В. Благовещенский, И. Г. Панин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2012. − № 1. − С. 40—45.
11. Благовещенский, В. В. Акустическая эмиссия при срыве дислокационного скопления / В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов // XIII Международный семинар «Физико−математическое моделирование систем». − Воронеж : ВГТУ, 2014. − Ч. 1. − С. 47—50.
Рецензия
Для цитирования:
Благовещенский В.В., Панин И.Г., Андрианов Д.С., Суслина С.Н. ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(2):133-136. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-133-136
For citation:
Blagoveshchenskii V.V., Panin I.G., Andrianov D.S., Suslina S.N. Formation Of Dislocation Pileup by Frank–Read Source. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(2):133-136. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-133-136
Просмотров:
1272
Послать статью по эл. почте 