Исследовано структурное совершенство кристалла GaSb : Te, выращенного во время беспилотного китайского космического эксперимента. Методом количественной рентгеновской топографии показано высокое структурное совершенство этого кристалла, в большей его области, которая соответствовала кристаллизации округлого фронта. В то же время выявлены дефекты, связанные с образованием области роста грани через некоторое время после начала кристаллизации. Контроль параметров во время ростового процесса отсутствовал. Проведен анализ возможных факторов, повлиявших на особенности роста данного кристалла. Исследования выполнены с использованием двухмерной карты измеренных концентраций Te в кристалле и результатов математического моделирования ростового процесса.

В рамках квазистатической несвязанной задачи термоупругости рассмотрен односторонний нагрев пластины со свободной поверхностью непрерывным лазерным излучением и обоснован метод определения неразрушающих режимов лазерного отжига диэлектрических и полупроводниковых пластин. Получено аналитическое соотношение, являющееся критерием термостойкости пластины и позволяющее определять неразрушающие режимы лазерной обработки. Модель расчета получена при допущении о независимости теплофизических, механических и оптических свойств материалов от температуры. Показано, что для ряда диэлектрических и полупроводниковых материалов существует область изменения безразмерного параметра τ, в которой возможно разрушение термоупругими напряжениями пластин из этих материалов в процессе лазерного отжига. Проведена экспериментальная проверка адекватности модели расчета на примере оптического стекла ЛК3, показавшая вполне удовлетворительное согласование расчетных и экспериментальных данных.

Фотолюминесценция с максимумом, соответствующим желтому цвету свечения видимого спектра (так называемая желтая люминесценция), определяется глубокими уровнями в буферном слое GaN гетерооструктур и зависит от условий роста гетероструктур. В свою очередь, глубокие уровни влияют на сопротивление омических контактов СВЧ−транзисторов, изготовленных на таких гетероструктурах. Это обуславливает надежность работы СВЧ−транзисторов на основе GaN.

Разработаны два типа установок для контроля фотолюминесценции c максимумом в желтой части видимого спектра, предназначенные для характеризации качества гетероструктур AlGaN/GaN/SiC и AlGaN/GaN/Al2O3. Одна их представленных установок позволяет проводить «экспресс− контроль» желтой фотолюминесценции, а другая — снимать «карты» фотолюминесценции по площади пластин с гетероструктурами. Приведены примеры «карт» фотолюминесценции для структур, выращенных на различных подложках.

21 апреля 2015 г. исполнилось 75 лет со дня рождения и более 50 лет практической, научной и педагогической деятельности широко известного специалиста в области физики и технологии тонких пленок, профессора, доктора технических наук, академика РАЕН Геннадия Дмитриевича Кузнецова.

3 мая 2015 г. видному ученому, крупному специалисту в области материаловедения и технологии ферритовых материалов, доктору технических наук, профессору Леониду Михайловичу Летюку исполнилось бы 80 лет.

«Инженер от Бога! Свидетель становления всех технологий... Великолепный организатор… Человек, знающий, что и когда надо делать», — так говорили о профессоре Всеволоде Валерьевиче Крапухине его коллеги по работе, друзья.