| |
| Выпуск |
Название |
| |
| Том 26, № 3 (2023) |
Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
К. Л. Енишерлова, И. А. Михайлов, Л. А. Сейдман, Е. П. Кириленко, Ю. В. Колковский |
| |
| Том 25, № 3 (2022) |
Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова |
| |
| Том 24, № 2 (2021) |
Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер, Ю. А. Концевой |
| |
| Том 20, № 4 (2017) |
Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом |
Аннотация
|
|
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев |
| |
| Том 23, № 2 (2020) |
Моделирование напряжений в многослойных полупроводниковых структурах автомобильных регуляторов и прогнозирование надежности их работы |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
С. А. Адарчин, В. Г. Косушкин, В. М. Гурин, Л. В. Кожитов, М. С. Васютин, В. Г. Бебенин |
| |
| Том 23, № 2 (2020) |
Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников |
| |
| Том 22, № 3 (2019) |
Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин |
| |
| Том 21, № 2 (2018) |
Измерение поля эффективной магнитной анизотропии и ширины линии ферромагнитного резонанса на частоте ФМР в магнитноодноосных гексагональных ферритах |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
А. С. Семенов, А. Г. Налогин, С. В. Щербаков, А. В. Мясников, И. М. Исаев, В. Г. Костишин, Н. E. Адиатулина, А. А. Алексеев, Е. А. Белоконь, М. П. Мезенцева |
| |
| Том 21, № 1 (2018) |
Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин |
| |
| Том 20, № 1 (2017) |
УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова |
| |
| Том 19, № 3 (2016) |
Наноразмерная характеризация металлических магнетронных нанопленочных мультислоев из Cr, Cu, Al, Ni на ситалле |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
А. П. Кузьменко, Нау Динт, А. Е. Кузько, Мью Мин Тан, Тант Син Вин, А. И. Колпаков |
| |
| № 4 (2014) |
ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин |
| |
| Том 18, № 2 (2015) |
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин |
| |
| Том 18, № 2 (2015) |
КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов |
| |
| № 3 (2014) |
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров |
| |
| № 3 (2014) |
СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
Е. Н. Ермакова, С. В. Сысоев, Л. Д. Никулина, И. П. Цырендоржиева, В. И. Рахлин, М. Л. Косинова, Ф. А. Кузнецов |
| |
| № 2 (2014) |
ПРОЦЕССЫ ВО ВРЕМЯ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Ti—Al—Ni И Ti—Al—Ni—Au |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман |
| |
| № 2 (2013) |
СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ЗАРЯДОВОЙ ПОДКАЧКОЙ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
В. А. Гусев, В. В. Старков, А. В. Тетерский |
| |
| № 2 (2012) |
АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков |
| |
| № 1 (2012) |
НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава |
| |
| № 4 (2013) |
ДЕГРАДАЦИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
В. Н. Мурашев, С. А. Леготин, А. А. Краснов, А. А. Дудкин, Д. А. Зезин |
| |
| № 4 (2013) |
СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева |
| |
| № 4 (2013) |
ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский |
| |
| № 1 (2013) |
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух |
| |
| № 3 (2012) |
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ |
Аннотация
PDF (Rus)
|
|
С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева |
| |
| 1 - 25 из 39 результатов |
1 2 > >>
|
